沟道热载流子导致的SOI NMOSFET's的退化特性

摘要

研究了沟道热载流子效应引起的 SOI NMOSFET's的退化 .在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )条件下 ,器件退化表现出单一的幂律规律 ;而在低栅压应力 (Vgs≈ Vth)下 ,由于寄生双极晶体管 (PBT)效应的影响 ,多特性的退化规律便会表现出来 ,漏电压的升高、应力时间的延续都会导致器件退化特性的改变 .对不同应力条件下的退化特性进行了详细的理论分析 ,对 SOI NMOSFET'S器件退化机理提出了新见解 .