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1.
Study of abnormal appearances on the failed die by FIB milling technology
机译:
利用FIB铣削技术研究失效模具上的异常外观
作者:
Liyuan Liu
;
Guangning Xu
;
Fuyao Mo
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
2.
Electrical fault isolation of intermittent frequency-dependent BRAM functional failure using fast frequency initialized read-only test and failure pattern commonality analysis
机译:
使用快速频率初始化的只读测试和故障模式共性分析,对间歇性与频率相关的BRAM功能故障进行电气故障隔离
作者:
Karkeong Yeoh
;
Fang Chew Su
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
3.
Evaluation of thermal mapping analysis technique for failure mechanism
机译:
失效机理的热图分析技术评价
作者:
Yusof Yusnani Mohamad
;
Ahmad Izhar Helmi
;
Abd Halim Nur Ainn Hanis
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
4.
Real time observation of nanoscale multiple conductive filaments in RRAM by using advanced in-situ TEM
机译:
使用先进的原位TEM实时观察RRAM中的纳米级多导电丝
作者:
Sun J.
;
Wu X.
;
Liu Q.
;
Liu M.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Transmission electron microscopy (TEM);
conductive filaments;
in-situ;
resistive random access memory;
5.
A study of substrate damage issue caused SRAM device soft failure
机译:
对导致SRAM器件软故障的基板损坏问题的研究
作者:
Yu Hsiang Shu
;
Chun Ming Chen
;
Chia Hsing Chao
;
Song Chao Gang
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Contact volcano;
Nanoprobing;
SRAM soft failure;
6.
Corrosion failure analysis about package box of aluminum silicon alloy used for microwave module
机译:
微波模块用铝硅合金包装盒的腐蚀失效分析
作者:
Hongwei Li
;
Qiantao Cao
;
Zhiming Song
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
7.
Failure analysis of P-N junction degradation by high temperature reverse bias operating condition
机译:
高温反向偏置工作条件下P-N结退化的失效分析
作者:
SungSoon Choi
;
Kwanhoon Lee
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
8.
Failure mechanism of flip-chip circuit interconnects induced by electromigration
机译:
电迁移引起倒装芯片电路互连的失效机理
作者:
Lu Y.D.
;
En B.Y.F.
;
Shi Z.Y.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
electromigration;
failure;
flip chip;
interconnect;
9.
Faulty Failure Analyses
机译:
故障故障分析
作者:
Mura G.
;
Vanzi M.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
10.
Pulsing electrical over-stress (EOS) testing and its failure analysis for advanced process integrated circuits
机译:
先进工艺集成电路的脉冲电超应力(EOS)测试及其故障分析
作者:
Yuan-Hung Tseng
;
Chun-Liang Wang
;
Yu-Chia Chang
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
11.
SCM application in localized 2D dopant profiling
机译:
SCM在局部2D掺杂物分析中的应用
作者:
Lee Siew Shyuan
;
Kenny Gan Chye Siong
;
Lee Nean Sern
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
12.
Successful failure analysis using fault diagnosis tool and product characterization board in BiCMOS technology low yield investigation
机译:
使用故障诊断工具和产品特性板在BiCMOS技术中成功进行故障分析,低产调查
作者:
Renee Liu
;
Aaron Chin
;
Seah Pei Hong
;
Lee Wenfeng
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
13.
The example of circuit analysis to assist 2
nd
-generation hot spot for the failure localization
机译:
协助第二代sup热点进行故障定位的电路分析示例
作者:
Guo Shouzhu
;
Pan Andrew
;
Xu Mingjie
;
Sun Tommy
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
14.
Critical factors on the hermetic characteristics of DC/DC power module
机译:
影响DC / DC电源模块气密性的关键因素
作者:
Li Xunping
;
He Xiaoqi
;
En yunfei
;
Guo Qi
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Critical facotr;
DC/DC;
FEA;
Glass insulator;
Hermetic;
15.
Reliability characterization exploring extreme conditions for chips' design optimization
机译:
可靠性表征探索芯片设计优化的极端条件
作者:
Chu T.P.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
16.
Building the electrical model of the pulsed photoelectric laser stimulation of a PMOS transistor in 90nm technology
机译:
以90nm技术建立PMOS晶体管的脉冲光电激光激励的电气模型
作者:
Sarafianos Alexandre
;
Gagliano Olivier
;
Lisart Mathieu
;
Serradeil Valerie
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
1064nm wavelength;
PMOS transistor;
parasitic bipolar transistor;
pulsed PLS;
17.
Thickness measurement of Si substrate with infrared laser of Optical Beam Induced Resistor Change (OBIRCH) in failure analysis
机译:
失效分析中用光束感应电阻变化(OBIRCH)红外激光测量Si基板的厚度
作者:
Li Tian
;
Miao Wu
;
Diwei Fan
;
Chunlei Wu
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
18.
Bias-temperature instability of Si and Si(Ge)-channel sub-1nm EOT p-MOS devices: Challenges and solutions
机译:
Si和Si(Ge)沟道亚1nm EOT p-MOS器件的偏置温度不稳定性:挑战和解决方案
作者:
Groeseneken G.
;
Aoulaiche M.
;
Cho M.
;
Franco J.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
NBTI;
Si(Ge) devices;
charge trapping;
logic device;
sub 1-nanometer EOT;
19.
Understanding correlated drain and gate current fluctuations
机译:
了解相关的漏极和栅极电流波动
作者:
Goes W.
;
Toledano-Luque M.
;
Baumgartner O.
;
Bina M.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
20.
Application of photoemission microscopy (PEM) and Computer Aided Design (CAD) navigation system in localization of high side power switch open contact failure
机译:
光电显微镜(PEM)和计算机辅助设计(CAD)导航系统在高压侧电源开关断路故障定位中的应用
作者:
Lee Nean Sern
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
21.
Failure analysis of complicated case by functional OBIRCH method
机译:
用功能OBIRCH方法分析复杂情况下的故障
作者:
Diwei Fan
;
Li Tian
;
Miao Wu
;
Chunlei Wu
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Failure analysis;
Failure mode;
Functional OBIRCH;
Leakage current path;
22.
Optimization of TEM sample preparation methods by FIB for the increase of throughput
机译:
FIB优化TEM样品制备方法以提高通量
作者:
Shuqing Duan
;
Ruijuan Qi
;
Ming Li
;
Yanli Zhao
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
TEM;
failure analysis;
sample preparation;
23.
Design flow and techniques for fault-tolerant ASIC
机译:
容错ASIC的设计流程和技术
作者:
Stamenkovic Z.
;
Petrovic V.
;
Schoof G.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
ASIC design;
Single event effect;
fault tolerance;
latchup protection switch;
triple and double modular redundancy;
24.
Fast 3D tomography at package level by using Xe plasma focused ion beam
机译:
通过使用Xe等离子体聚焦离子束在包装水平进行快速3D层析成像
作者:
Hrncir T
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
25.
Optical probing (EOFM / TRI): A large set of complementary applications for ultimate VLSI
机译:
光学探测(EOFM / TRI):为最终VLSI提供的大量补充应用
作者:
Perdu P.
;
Bascoul G.
;
Chef S.
;
Celi G.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
26.
Advanced transient thermoreflectance 2D imaging for integrated circuit sub-micron defect detection and thermal analysis
机译:
用于集成电路亚微米缺陷检测和热分析的高级瞬态热反射二维成像
作者:
Yazawa Kazuaki
;
Kendig Dustin
;
Yan Zhang
;
Yazawa Kazuaki
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Thermoreflectance imaging;
defect detection;
thermal analysis;
transient;
27.
New statistical post processing approach for precise fault and defect localization in TRI database acquired on complex VLSI
机译:
在复杂VLSI上获取TRI数据库中精确的故障和缺陷定位的新统计后处理方法
作者:
Chef S.
;
Perdu P.
;
Bascoul G.
;
Jacquir S.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
28.
A microwave plasma dry etch technique for failure analysis of Cu and PdCu wire bonds strength
机译:
微波等离子体干法刻蚀铜和钯铜丝键合强度的失效技术
作者:
Tan Y.Y
;
Ng Melissa
;
Khoo J.L
;
Tan C.H
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Cu;
PdCu;
plasma etching;
pull strength;
shear strength;
29.
Composition distribution studies of Sn/Ag/Cu solder material using TOF-SIMS, XPS and EDX
机译:
使用TOF-SIMS,XPS和EDX研究Sn / Ag / Cu焊料材料的成分分布
作者:
Lee H.S.
;
Xing Z.X.
;
Gui D.
;
Hao M.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
3-D ion image;
EDX;
SnAgCu solder material;
TOF-SIMS;
XPS;
30.
Novel approach in selective area chemical etching of copper metallization for electrical failure analysis
机译:
用于电气故障分析的铜金属镀层选择性区域化学刻蚀的新方法
作者:
Lim Wei Chuan
;
Zakaria Nurhanani Binti
;
Stephan Meinhardt
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
31.
Uniform delayering of copper metallization
机译:
均匀延迟铜金属化
作者:
Siah Y.W.
;
Hong Y.J.
;
Liu Q.
;
Kor H.B.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Delayering;
copper metallization;
polishing;
sample preparation;
32.
The variability issues in small scale trigate CMOS devices: Random dopant and trap induced fluctuations
机译:
小规模三栅极CMOS器件中的可变性问题:随机掺杂剂和陷阱引起的波动
作者:
Chung Steve S.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Reliability;
Trigate CMOS;
Variability;
Variation;
33.
Reliability comparison on self-aligned via and punch-through via etch methods of hard-mask based Cu/ultra low-k interconnects
机译:
基于硬掩模的铜/超低k互连的自对准通孔和穿通孔蚀刻方法的可靠性比较
作者:
Jie Zhou
;
Zhenghao Gan
;
Minda Hu
;
Fanfei Bai
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Self align via (SAV);
punch through (PT);
34.
Transverse domain wall formation in a free layer: A mechanism for switching failure in a MTJ-based STT-MRAM
机译:
自由层中的横向畴壁形成:一种基于MTJ的STT-MRAM中切换失败的机制
作者:
Makarov Alexander
;
Sverdlov Viktor
;
Selberherr Siegfried
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
MTJ;
STT-MRAM;
failure analysis;
micromagnetic modeling;
switching probability;
35.
Capacitor dielectric defect or damage localization by photon emission microscopy with the combination of OBIRCH
机译:
结合OBIRCH的光子发射显微镜观察电容器的介电缺陷或损伤定位
作者:
Chunlei Wu
;
Suying Yao
;
Song Grace
;
Gaojie Wen
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
36.
Die front-end defect isolation case study using a combination of atomic force probing and SEM high beam inspection techniques
机译:
结合原子力探测和SEM远光检测技术的模具前端缺陷隔离案例研究
作者:
Lee Lan Yin
;
Chua Kok Keng
;
Bai Hao Nan
;
Chow Yew Meng
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
37.
Failure analysis based on dummy TIVA spot
机译:
基于虚拟TIVA点的故障分析
作者:
Chen C.Q.
;
Ang G.B.
;
Zhao S.P.
;
Ng H.P.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
38.
Analysis of satellite defects formed in photolithograph process by TOF-SIMS and XPS
机译:
用TOF-SIMS和XPS分析光刻过程中形成的卫星缺陷
作者:
Lei Zhu
;
Teo H.W.
;
Hua Y.N.
;
Loh H.L.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
39.
Trends and challenges in solid state lighting reliability
机译:
固态照明可靠性的趋势和挑战
作者:
Tao Guoqiao
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
40.
Failure analysis for probe mark induced galvanic corrosion and bond degradation during HAST
机译:
HAST过程中探针引起的电偶腐蚀和键降解的失效分析
作者:
Lai-Seng Yeoh
;
Kok-Cheng Chong
;
Susan Li
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
41.
Identification of mega electron volt arcing mechanism through detail microscopic analysis approach
机译:
细观微观分析方法识别兆伏电子电弧机理
作者:
Yong Foo Khong
;
Hong Lay Leng
;
Lim Saw Sing
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
42.
Low frequency noise in polycrystalline p-#x03B2;-FeSi2/Ge heterojunction solar cells
机译:
多晶p-β-FeSi2/ Ge异质结太阳能电池中的低频噪声
作者:
Bag A.
;
Mukherjee C.
;
Mallik S.
;
Maiti C.K.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
43.
Dynamic HC-induced degradation in n-type poly-Si thin film transistors under off-state gate pulse voltage
机译:
在断态栅极脉冲电压下,n型多晶硅薄膜晶体管中由HC引起的动态退化
作者:
Wang Huaisheng
;
Wang Mingxiang
;
Zhang Meng
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
dynamic stress;
hot carrier effect;
low temperature polycrystalline silicon (LTPS);
non-equilibrium PN junction;
thin-film transistor (TFT);
44.
Electrical properties of N-type CdS and P-type CdTe thin films in CdS/CdTe solar cells
机译:
CdS / CdTe太阳能电池中N型CdS和P型CdTe薄膜的电性能
作者:
Jingjin Wu
;
Ang Ferryanto
;
Cezhou Zhao
;
Smith Jeremy S
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
CdS;
CdTe;
electrical properties;
morphology;
thin films;
45.
Advanced methodologies for atomic-scale nanofabrication and dynamic characterization
机译:
原子级纳米加工和动态表征的先进方法
作者:
Wu Xing
;
Sun Litao
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Dynamic characterization;
Nanodevice;
Nanofabrication;
Transmission electron microscopy;
46.
Application of TEM for distinguishing the primary and secondary abrasives of undiluted CMP slurry
机译:
TEM在区分未稀释CMP浆料的一次和二次磨料中的应用
作者:
Sun C.J.
;
Tai L.A.
;
Sharma P.
;
Ko Y.F.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
47.
ISTFA best paper: FemtoFarad/TeraOhm endpoint detection for microsurgery of integrated circuit devices
机译:
ISTFA最佳论文:用于集成电路器件显微外科手术的FemtoFarad / TeraOhm终点检测
作者:
Colvin Jim
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
48.
Electrical fault localization and Scanning Capacitance Microscopy (SCM) analysis methodology on high RDSON failure of smart power technology IC device
机译:
智能电源技术IC器件高RDSON故障的电气故障定位和扫描电容显微镜(SCM)分析方法
作者:
Ang Chung Keow
;
Hashim Ismail Bin
;
Lee Nean Sern
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
49.
Application of Atomic Force Microscopy in IC/discrete failure analysis
机译:
原子力显微镜在IC /离散故障分析中的应用
作者:
Poo Khai Yee
;
Lim Saw Sing
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
50.
Material contrast identification and compositional contrast mapping using backscattered electron imaging
机译:
使用背向散射电子成像的材料对比度识别和成分对比度映射
作者:
Lagar Jason H.
;
Raborar Mary Grace C.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
51.
Putting the die contour back - Methods in advanced sample preparation for 3D and flip-chip devices
机译:
放回芯片轮廓-用于3D和倒装芯片设备的高级样品制备方法
作者:
Richardson Chris
;
Liechty Gary
;
Smith Clay
;
Karow Michael
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
52.
SIMS sample preparation method for GOX analysis with small-size polysilicon patterns
机译:
用于小尺寸多晶硅图案的GOX分析的SIMS样品制备方法
作者:
Zhu Lei
;
Teo H.W.
;
Lee M.T.
;
Ng H.P.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
53.
Study on a leaf-like bonding pad defect
机译:
叶状焊盘缺陷的研究
作者:
Qi R.J.
;
Duan S.Q.
;
Li M.
;
Chang V.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
54.
Application of EMMI contrast method in failure analysis
机译:
EMMI对比法在故障分析中的应用
作者:
Xuanlong Chen
;
Xianjun Kuang
;
Guangning Xu
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
55.
Application of transmission EBSD in aluminium metal layer and GaAs/AlAs epitaxial layers
机译:
透射式EBSD在铝金属层和GaAs / AlAs外延层中的应用
作者:
Yi Qiang Shen
;
Lee Esther
;
Shue Yin Chow
;
Bing Sheng Khoo
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
56.
FIB fast positioning technology and its application
机译:
FIB快速定位技术及其应用
作者:
Lin Xiao-ling
;
Zhang Xiao-wen
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
FIB;
circuit edit;
positioning technology;
57.
Degradation characteristics and analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistors under reverse gate bias step stress
机译:
反向栅极偏置阶跃应力下AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的退化特性及分析
作者:
Chang Zeng
;
Yuansheng Wang
;
Xiao Hong
;
Ping Lai
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
58.
Channel thermal noise modeling and high frequency noise parameters of tri-gate FinFETs
机译:
三栅极FinFET的通道热噪声建模和高频噪声参数
作者:
Mukherjee C.
;
Maiti C.K.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Equivalent noise resistance;
FinFETs;
High frequency noise parameters;
MOSFET channel noise;
Noise;
Noise figure;
Tri-gate MOSFETs;
59.
Effect of gate structures on ESD characteristics in SOI MOS device
机译:
栅极结构对SOI MOS器件ESD特性的影响
作者:
He Yujuan
;
Luo Hongwei
;
Xiao Qingzhong
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
ESD protection;
GGNMOS;
SOI;
TLP test;
60.
Failure analysis of TaN thin film resistors for microwave circuits
机译:
用于微波电路的TaN薄膜电阻器的故障分析
作者:
Qiantao Cao
;
Zhiming Song
;
Fei Wang
;
Bin Wang
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
61.
Geometric effect on InAs/GaAs quantum dot lasers analyzed with the aid of EDX mapping
机译:
EDX映射分析对InAs / GaAs量子点激光器的几何效应
作者:
Wang Rui
;
Yee Kian Seng
;
Phua Reese
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
62.
Reliability of 10Gb/s 850nm oxide confined vertical cavity surface emitting lasers
机译:
10Gb / s 850nm氧化物受限垂直腔表面发射激光器的可靠性
作者:
Meng Haijie
;
Zhang Zhenfeng
;
Wang Shancheng
;
Ding Guoqing
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
63.
The evaluation of quality and reliability management system in the foundry process
机译:
铸造过程中质量和可靠性管理体系的评估
作者:
Zhang XiaoWen
;
En yunfei
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
64.
The application of fault tree analysis method in electrical component
机译:
故障树分析方法在电气元件中的应用
作者:
Chen Y.
;
He X.Q.
;
Lai P.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
65.
The real-time fault diagnosis of electrolytic filter capacitors in switching mode power supply
机译:
开关电源中电解滤波电容器的实时故障诊断
作者:
Shi Zheng-Yu
;
Lu Yu-dong
;
Ning Tao
;
Li Meng-Qi
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
electrolytic filter capacitor;
fault diagnosis;
output-ripple voltage;
switching mode power supply;
66.
Channel Hot-Carrier degradation characteristics and trap activities of high-k/metal gate nMOSFETs
机译:
高k /金属栅极nMOSFET的沟道热载流子退化特性和陷阱活动
作者:
Weichun Luo
;
Hong Yang
;
Wenwu Wang
;
Hao Xu
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
CHC degradation;
HK/MG;
Nit;
Not;
67.
Failure mechanism of leakage induced by pattern-dependent photo resist distortion
机译:
与图案有关的光致抗蚀剂变形引起的泄漏的失效机理
作者:
Miao Wu
;
Li Tian
;
Diwei Fan
;
Chunlei Wu
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
68.
HV PMOSFET Vth (threshold voltage) shift caused by HEIP after HTOL
机译:
HTOL之后由HEIP引起的HV PMOSFET Vth(阈值电压)偏移
作者:
Lee Kyenam
;
Jang Hyunho
;
Kim Kihyun
;
Park Jeonghyeon
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
69.
NBTI life time of a high voltage PMOS FET
机译:
高压PMOS FET的NBTI寿命
作者:
Jia James Yingbo
;
Xue Fengliang
;
Liu Patty
;
Tien Jon
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
70.
Study on the interface properties and reliability of the electric-double-layer gate dielectric for Hf-In-Zn-O MIS capacitors
机译:
Hf-In-Zn-O MIS电容器双电层栅极电介质的界面特性和可靠性研究
作者:
Wang Hong-Jiu
;
Li Yao
;
Zou Xiao
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
71.
Photo-induced instability and temperature dependence of amorphous In-Ga-Zn-O thin film transistors
机译:
非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的光诱导不稳定性和温度依赖性
作者:
Jie Chen
;
Jie Xu
;
Mingxiang Wang
;
Lu Cai
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO);
oxygen vacancy;
photo-induced instability;
spontaneous recovery;
temperature dependence;
thin-film transistor (TFT);
72.
The worst stress condition of hot carrier degradation on high voltage LDMOSFET
机译:
高压LDMOSFET上热载流子退化的最坏应力条件
作者:
Sarah Zhou Huayang
;
Yongliang Song
;
Zhuo Song
;
Lisa Yu Yanju
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
73.
Voltage dependence and AC life time of PMOS HCI
机译:
PMOS HCI的电压依赖性和AC寿命
作者:
Jia James Yingbo
;
Liu Patty
;
Xue Fengliang
;
Tien Jon
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
74.
Analysis of solder bump electromigration reliability
机译:
焊锡凸块电迁移可靠性分析
作者:
Ceric H.
;
de Orio R.L.
;
Selberherr S.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
75.
A study of the mechanical reliability of a MEMS microphone
机译:
MEMS麦克风的机械可靠性研究
作者:
Fang Wenxiao
;
Huang Qinwen
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
MEMS;
Mechanical Reliability;
Microphone;
76.
Analysis of dummy-gate dual-directional SCR (dSCR) device for ESD protection
机译:
用于ESD保护的伪栅极双向SCR(dSCR)器件的分析
作者:
Yuan Wang
;
Guangyi Lu
;
Jian Cao
;
Song Jia
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Electrostatic discharge (ESD);
dual-directional silicon controlled rectifier (dSCR);
holding voltage;
triggering voltage;
77.
Anomalous degradation behavior of p-type polycrystalline silicon thin film transistors under negative gate bias stress
机译:
负栅极偏压作用下p型多晶硅薄膜晶体管的异常退化行为
作者:
Zhang Meng
;
Zhou Wei
;
Chen Rongsheng
;
Wong Man
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
78.
N-type dopant out diffusion induced EEPROM failure
机译:
N型掺杂剂向外扩散引起的EEPROM故障
作者:
Tan L.T.
;
Chan Gary H.G.
;
Kho W.F.
;
Wang X.D.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
79.
Study on light sensitive functional failures in VLSI failure analysis
机译:
VLSI故障分析中光敏功能故障的研究
作者:
Gaojie Wen
;
Diwei Fan
;
Li Tian
;
Chunlei Wu
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
80.
Failure rate calculation for NMOS devices under multiple failure mechanisms
机译:
多种故障机制下NMOS器件的故障率计算
作者:
Zhenwei Zhou
;
Xin Liu
;
Qian Shi
;
Yunfei En
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
81.
An unique method to fabricate on-chip capacitors for chip-level EMC evaluation
机译:
制作片上电容器以进行芯片级EMC评估的独特方法
作者:
Sheng-Yu Chen
;
Siao Vicky
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
EMC/EMI;
FIB;
circuit edit;
82.
Reliability of oxide TFT for display application
机译:
氧化物TFT在显示应用中的可靠性
作者:
Jang J.
;
Um J.K.
;
Mativenga M.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
83.
Investigation of EOS damage issue induced by failure analysis on back-end test vehicle
机译:
后端测试车故障分析引起的EOS损坏问题调查
作者:
Hong Bo Zhang
;
Kaeng Nan Liew
;
Ren De Lin
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
84.
Development of high resolution scanning aeoustie tomograph for advanced LSI packages
机译:
开发用于高级LSI封装的高分辨率扫描自动断层扫描仪
作者:
Kitami Kaoru
;
Takada Masafumi
;
Kikuchi Osamu
;
Ohno Shigeru
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
85.
New capability of laser ablation in failure analysis
机译:
激光烧蚀在故障分析中的新功能
作者:
Liew C.N.
;
Khoo K.L.
;
Tiang L.S.
;
Ng Y.J.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
86.
Optimize design on quantum effect photo-detector array board-level packaging
机译:
优化量子效应光电探测器阵列板级封装的设计
作者:
Ge Y.P.
;
Guo F.M.
;
Ding Lin
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Coupling;
Crosstalk;
MCM;
Photo-detector;
TSV(Through Silicon Via);
Thermal Stress;
87.
Development of failure analysis technique for temperature dependent failures
机译:
温度相关故障的故障分析技术的发展
作者:
Hat Noorsyuhada
;
Sabate Andrew
;
Yusof Khairul Aiman
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
88.
Case studied of failure threat caused by counterfeit plastic encapsulated microcircuits
机译:
假冒塑料封装微电路引起的故障威胁案例研究
作者:
Wang Y.L
;
Kuang XJ
;
Huang CM
;
Li S.P
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
89.
ESD detection circuit with reverse-used RC network in a 90-nm CMOS process
机译:
具有90nm CMOS工艺的具有反向使用RC网络的ESD检测电路
作者:
Yang Z.N.
;
Liu H.X.
;
Wang S.L.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
90.
Failure localization methods for system-on-chip (SoC) using photon emission microscopy
机译:
使用光子发射显微镜的片上系统(SoC)故障定位方法
作者:
Chen Y.
;
Chen H.
;
Zhang X.W.
;
Lai P.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
91.
Investigation of failures on dual-dies stacked package
机译:
双芯片堆叠式封装的故障调查
作者:
Yi Heng Chen
;
Lin WB
;
Hsien Wei Huang
;
Meiying Hsiao
会议名称:
《》
|
2013年
92.
Research on tin whisker growth of pure tin plating of different lead substrates
机译:
不同铅基体纯锡镀锡晶须生长的研究
作者:
Zhou Bin
;
Wan Zhonghua
;
Li Xunping
;
En Yun-fei
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
93.
Study of process influences on the break down limit of high voltage transistors in an embedded EEPROM CMOS technology by using EMMI and nanoprobing
机译:
利用EMMI和纳米探针研究工艺对嵌入式EEPROM CMOS技术中高压晶体管击穿极限的影响。
作者:
Acovic Alexandre
;
Dreybrodt Joerg
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
94.
The effect of Pb contamination on the solidification behaviors and mechanical properties of backward compatible solder joints
机译:
铅污染对向后兼容焊点的凝固行为和力学性能的影响
作者:
Li Xunping
;
Zhou Bin
;
En yunfei
;
He Xiaoqi
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
backward compatible;
shear properties;
solder joint;
solidification behavior;
95.
A novel analysis method of power signal for integrated circuits Trojan detection
机译:
一种新型的集成电路木马检测功率信号分析方法
作者:
Li-wei Wang
;
Hai Xie
;
Hong-wei Luo
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
96.
Analysis of dynamic retention characteristics of NWL scheme in high density DRAM
机译:
高密度DRAM中NWL方案的动态保持特性分析。
作者:
Myungjae Lee
;
Hyungshin Kwon
;
Jonghyoung Lim
;
Hongsun Hwang
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
97.
Optimal Vth window in endurance and retention enhancement of MLC flash
机译:
MLC闪光灯的耐久性和保留力增强的最佳Vth窗口
作者:
Ko Chen Hsien
;
Kuo Shuen Chao
;
Yi Heng Chen
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
98.
Ultra high precision circuit diagnosis through seebeck generation and charge monitoring
机译:
通过Seebeck生成和电荷监控实现超高精度电路诊断
作者:
Boit Christian
;
Helfmeier Clemens
;
Nedospasov Dmitry
;
Fox Alexander
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
99.
Optical Probing of FinFETs
机译:
FinFET的光学探测
作者:
Fine J.
;
Young C.D.
;
Hobbs C.
;
Bersuker G.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
100.
A non destructive scan diagnosis based fault isolation technique verification method using infrared laser stimulation on wafer level
机译:
基于晶圆级红外激光刺激的基于无损扫描诊断的故障隔离技术验证方法
作者:
You G F
;
Goh S H
;
Yeoh B L
;
Hu H.
会议名称:
《2013 20th IEEE International Symposium on the Physical amp; Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
ATE (Automatic Test Equipment);
Laser Assisted Device Alteration (LADA);
Scan Chain diagnosis;
Wafer level laser diagnostic;
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