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刘红侠; 郝跃; 朱建纲;
西安电子科技大学微电子所;
热载流子效应; SOI; NMOSFET's; 场效应晶体管;
机译:TID辐射和热载流子应力在130nm短沟道PDSOI NMOSFET中引起的降解
机译:具有梯度沟道掺杂的垂直nMOSFET改善了热载流子和短沟道性能
机译:减少侧向渐变沟道掺杂分布的0.1- / splμ/ m嵌入式沟道nMOSFET中热载流子的产生
机译:薄膜Soi / nmosfet器件中前沟道热载流子对漏极-源极击穿电压的影响
机译:完全耗尽的Δ沟道SOI NMOSFET的实现
机译:硅二极管表面热载流子各向异性击穿的拓扑特征
机译:由于在Gaas中注入2 eV的热载流子的初始热化导致的飞秒增益动态
机译:通过导电掩埋沟道深度优化,减少了热载流子在隔离掩埋沟道器件中引起的寄生侧壁器件激活
机译:基于沟道的功率半导体器件,具有更高的击穿电压特性
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