机译:调制掺杂的AlGaN / GaN量子阱中的电子迁移率
General theory; scattering mechanisms; Low-field transport and mobility; piezoresistance; III-V semiconductor-to-semiconductor contacts; p-n junctions; and heterojunctions;
机译:调制掺杂的AlGaN / GaN量子阱中的电子迁移率
机译:体纤锌矿型AlGaN中的双模横向光学声子对AlGaN / GaN量子阱中电子迁移率的影响
机译:C掺杂GaN膜厚度对基于AlGaN / GaN的高电子迁移率晶体管的结构和电性能的影响
机译:温度对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中二维量子阱电子电流的影响
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:电子迁移率在无意中掺杂的GaN / AlGaN表面量子阱
机译:具有插入的薄alas势垒的调制掺杂alGaas / Gaas / alGaas量子阱中电子迁移率的大幅增加。