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2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings
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1.
Tantalum and Niobium oxide capacitors: Field crystallization, leakage current kinetics and reliability
机译:
钽和铌氧化物电容器:场结晶,漏电流动力学和可靠性
作者:
Sedlakova V.
;
Sikula J.
;
Majzner J.
;
Navarova H.
;
Chvatal M.
;
Zednicek T.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
2.
Author index
机译:
作者索引
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
3.
Doping of Ta
2
O
5
as a way to extend its potential for DRAM applications
机译:
掺杂Ta
2 inf> O
5 inf>作为扩展其在DRAM应用中潜力的方式
作者:
Atanassova E.
;
Paskaleva A.
;
Spassov D.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
4.
Random Telegraph Noise characterization of p-type silicon nanowire FinFETs
机译:
p型硅纳米线FinFET的随机电报噪声表征
作者:
Mukherjee C.
;
Maiti T. K.
;
Maiti C. K.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
关键词:
capture and emission time;
complex RTS;
nanowire FinFETs;
random telegraph noise;
surface potential;
trap;
5.
Effects of the drain width on the electrical behavior of deep defect in AlGaN/GaN/SiC HEMTs
机译:
漏极宽度对AlGaN / GaN / SiC HEMT中深缺陷电学行为的影响
作者:
Fathallah O.
;
Gassoumi M.
;
Saadaoui S.
;
Grimbert B.
;
Gaquiere C.
;
Maaref H.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
关键词:
AlGaN/GaN;
CDLTS;
Surface traps;
6.
Probing the electrical properties of the Si nitride/Si interface
机译:
探查氮化硅/硅界面的电性能
作者:
Tsonos C.
;
Kanapitsas A.
;
Karagounis A.
;
Stavrakas I.
;
Triantis D.
;
Anastasiadis C.
;
Photopoulos P.
;
Vamvakas V. Em.
;
Pissis P.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
7.
Comparisons of noise spectroscopy analyze and microplasma noise sources
机译:
噪声光谱分析与微等离子体噪声源的比较
作者:
Vanek J.
;
Dolensky J.
;
Chobola Z.
;
Lunak M.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
8.
Session: Physics and modeling
机译:
会议:物理与建模
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
9.
Poster session: Reliability physics
机译:
张贴者会议:可靠性物理学
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
10.
Effects of constant voltage stress in Hf-doped Ta
2
O
5
stacks
机译:
H掺杂Ta
2 inf> O
5 inf>堆中恒定电压应力的影响
作者:
Manic I.
;
Atanassova E.
;
Stojadinovic N.
;
Spassov D.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
11.
Aging of the photovoltaic solar cells
机译:
光伏太阳能电池的老化
作者:
Vasic A.
;
Loncar B.
;
Vujisic M.
;
Stankovic K.
;
Osmokrovic P.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
12.
RTS noise amplitude and electron concentration in MOSFETs
机译:
MOSFET中的RTS噪声幅度和电子浓度
作者:
Pavelka J.
;
Sikula J.
;
Chvatal M.
;
Tacano M.
;
Toita M.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
13.
Inside front cover
机译:
内封面
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
14.
Poster session: Circuit and system design
机译:
张贴者会议:电路和系统设计
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
15.
Session: Processes and technologies
机译:
会议:过程和技术
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
16.
Poster session: Opto and Microwave devices and ICs
机译:
张贴者会议:光和微波设备和IC
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
17.
Session: Microsystem technologies
机译:
演讲:微系统技术
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
18.
Poster session: Physics and modeling
机译:
张贴会议:物理与建模
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
19.
Session: Opto and Microwave devices and ICs
机译:
会议:光和微波设备和IC
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
20.
TCAD modeling of NPN-SiGe-HBT electrical performance improvement through extrinsic stress layer
机译:
通过外部应力层改善NPN-SiGe-HBT电性能的TCAD建模
作者:
Al-Sadi M.
;
Fregonese S.
;
Maneux C.
;
Zimmer T.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
21.
LEON2 processor with high-speed USB port: A system-on-chip for wireless applications
机译:
具有高速USB端口的LEON2处理器:用于无线应用的片上系统
作者:
Eric M.
;
Panic G.
;
Stamenkovic Z.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
22.
Virtual instrumentation software applied to integrated circuit testing procedure
机译:
虚拟仪器软件应用于集成电路测试程序
作者:
Dimitrijevic Bozidar R.
;
Simic Milan M.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
23.
On p-n junction depletion capacitance parameter extraction strategies
机译:
关于p-n结耗尽电容参数提取策略
作者:
Milovanovic Vladimir
;
van der Toorn Ramses
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
24.
Modeling of substrate effects inducing non-ideal collector current at low bias
机译:
在低偏置下诱导非理想集电极电流的衬底效应建模
作者:
Vidal Daniel
;
van der Toorn Ramses
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
25.
Effect of temperature on the electronic current of two dimensional quantum well in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMT)
机译:
温度对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中二维量子阱电子电流的影响
作者:
Yahyazadeh R.
;
Hashempour Z.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
26.
SPM electrical characterization of Ti/Al — Based ohmic contacts for sub-micron devices
机译:
Ti / Al的SPM电气特性-亚微米器件的基于欧姆的接触
作者:
Kolaklieva L.
;
Nesheva D.
;
Kakanakov R.
;
Bineva I.
;
Cimalla V.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
27.
Current-Voltage Characteristic of a p-n junction: Problems and solutions
机译:
p-n结的电流电压特性:问题和解决方案
作者:
Velazquez-Perez J. E.
;
Gurevich Yu. G.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
28.
A quantum mechanical correction of classical surface potential model of MOS inversion layer
机译:
MOS反型层经典表面电势模型的量子力学校正
作者:
Kevkic T. S.
;
Petkovic D. M.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
29.
Contactless measurement of thin metallic films
机译:
非接触式金属薄膜测量
作者:
Papez V.
;
Papezova S.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
30.
Absorption features of symmetric molecular nanofilms
机译:
对称分子纳米膜的吸收特征
作者:
Setrajcic J. P.
;
Pelemis S. S.
;
Vucenovic S. M.
;
Zoric V. M.
;
Armakovic S.
;
Skipina B.
;
Setrajcic A. J.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
31.
Determination of recombination centres in c-Si solar cells from dark I-V characteristics
机译:
从黑暗的I-V特性确定c-Si太阳能电池中的重组中心
作者:
Salinger Jan
;
Benda Vitezslav
;
Machacek Zdenek
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
32.
Extraction of thermal model parameters for field-installed photovoltaic module
机译:
现场安装光伏模块的热模型参数提取
作者:
Maranda W.
;
Piotrowicz M.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
33.
Study, simulation and manufacturing of new Geiger-APD for applications in astrophysics and biology
机译:
研究,模拟和制造新型Geiger-APD,用于天体物理学和生物学
作者:
Jradi K.
;
Camps T.
;
Pellion D.
;
Esteve D.
;
Le Padellec A.
;
Bazer-Bachi A. R.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
34.
Injection molded Mn-Zn ferrite ceramics
机译:
注射成型锰锌铁氧体陶瓷
作者:
Stanimirovic Z.
;
Stanimirovic I.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
35.
Piezoelectric ceramics by powder injection molding
机译:
粉末注射成型压电陶瓷
作者:
Stanimirovic I.
;
Stanimirovic Z.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
36.
Micro force sensor fabricated in the LTCC technology
机译:
采用LTCC技术制造的微力传感器
作者:
Radosavljevic G.
;
Smetana W.
;
Maric A.
;
Zivanov Lj.
;
Unger M.
;
Stojanovic G.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
37.
Model based performance estimation in ZigBee based wireless sensor networks
机译:
基于ZigBee的无线传感器网络中基于模型的性能评估
作者:
Lohse F.
;
Zerbe V.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
关键词:
Model Based Design;
Performance Estimation;
Standardization;
Wireless Sensor Networks;
ZigBee;
38.
Design of rad-hard SRAM cells: A comparative study
机译:
防辐射SRAM单元的设计:比较研究
作者:
Benigni Marcello
;
Liberali Valentino
;
Stabile Alberto
;
Calligaro Cristiano
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
39.
Robotic surgical system integrated with advanced electronic tracking
机译:
集成了先进电子跟踪功能的机器人手术系统
作者:
Lilly Bradford R.
;
Shenai Krishna
;
Goel Vijay
;
Biyani Ashok
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
40.
Implementation and testing of a secure fall detection system for Body Area Networks
机译:
人体局域网安全跌倒检测系统的实施和测试
作者:
Marinkovic Stevan
;
Puppo Riccardo
;
Pan Roberto Lan Cian
;
Popovici Emanuel
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
41.
Web-based tool for FSM encoding targeting low-power FPGA implementation
机译:
针对低功耗FPGA实施的FSM编码的基于Web的工具
作者:
Mihhailov D.
;
Sudnitson A.
;
Tarletski K.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
42.
On prediction in electronics
机译:
关于电子学的预测
作者:
Milojkovic Jelena
;
Bojanic Slobodan
;
Litovski Vanco
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
43.
Benchmarking of HBT models for InP based DHBT modeling
机译:
基于InP的DHBT建模的HBT模型基准测试
作者:
Ghosh S.
;
Zimmer T.
;
Ardouin B.
;
Maneux C.
;
Fregonese S.
;
Marc F.
;
Grandchamp B.
;
Kone G. A.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
44.
Compact electro-thermal modeling and simulation of large area multicellular Trench-IGBT
机译:
大面积多孔Trench-IGBT的紧凑电热建模和仿真
作者:
Riccio M.
;
Carli M.
;
Rossi L.
;
Irace A.
;
Breglio G.
;
Spirito P.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
45.
Thermal modelling of electronic systems based on spectral analysis of circuit temperature response
机译:
基于电路温度响应谱分析的电子系统热建模
作者:
Janicki M.
;
Banaszczyk J.
;
Szermer M.
;
De Mey G.
;
Napieralski A.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
46.
Electro-thermal modeling of nano-scale devices
机译:
纳米级设备的电热建模
作者:
Raleva K.
;
Vasileska D.
;
Goodnick S. M.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
47.
RF compact small-signal model for SOI DG-MOSFETs
机译:
SOI DG-MOSFET的RF紧凑型小信号模型
作者:
Cerdeira A.
;
Tinoco J. C.
;
Estrada M.
;
Raskin J.-P.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
48.
A comparative numerical simulation of a nanoscaled body on Insulator FinFET
机译:
绝缘体FinFET上纳米尺度物体的比较数值模拟
作者:
Anwar Ashfaqul
;
Hossain Imran
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
49.
Drain current computation in nanoscale nMOSFETs: Comparison of transport models
机译:
纳米级nMOSFET的漏极电流计算:传输模型的比较
作者:
Sangiorgi E.
;
Alexander C.
;
Asenov A.
;
Aubry-Fortuna V.
;
Baccarani G.
;
Bournel A.
;
Braccioli M.
;
Cheng B.
;
Dollfus P.
;
Esposito A.
;
Esseni D.
;
Fenouillet-Beranger C.
;
Fiegna C.
;
Fiori G.
;
Ghetti A.
;
Iannaccone G.
;
Martinez A.
;
Majkusiak B.
;
Monfray S.
;
Pa
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
50.
Poster session: Modeling and simulation
机译:
张贴者会议:建模与仿真
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
51.
Session: System design
机译:
会议:系统设计
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
52.
Mini-colloquium: Nanotechnologies and nanodevices
机译:
小型学术讨论会:纳米技术和纳米设备
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
53.
Application of non-equilibrium plasmas in top-down and bottom-up nanotechnologies and biomedicine
机译:
非平衡等离子体在自上而下和自下而上的纳米技术和生物医学中的应用
作者:
Petrovic Z. Lj.
;
Radmilovic-Radenovic M.
;
Maguire P.
;
Radetic M.
;
Puac N.
;
Maric D.
;
Radenovic B.
;
Malovic G.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
54.
Investigation of dielectric — Semiconductor interface in MIS structures based on p-Hg
0.8
Cd
0.2
Te
机译:
基于p-Hg
0.8 inf> Cd
0.2 inf> Te的MIS结构中介电-半导体界面的研究
作者:
Damnjanovic V.
;
Elazar J. M.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
55.
Electrical properties of Au/C
60
-Si photodiode structures with pristine and dithioloctane-functionalized C
60
nanolayers
机译:
具有原始和二硫辛烷官能化的C
60 inf>纳米层的Au / C
60 inf> / n-Si光电二极管结构的电学性质
作者:
Dmitruk N. L.
;
Borkovskaya O. Yu.
;
Naumenko D. O.
;
Basiuk E. V.
;
Horvath Zs. J.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
56.
Design of symmetric planar fishnet metamaterials for optical wavelength range
机译:
光学波长范围内对称平面鱼网超材料的设计
作者:
Jaksic Zoran
;
Tanaskovic Dragan
;
Matovic Jovan
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
57.
Amplification of space charge waves at very high electric fields in GaAs films
机译:
GaAs薄膜中很高电场下的空间电荷波的放大
作者:
Garcia-Barrientos A.
;
Palankovski V.
;
Grimalsky V.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
58.
Sputtering of ZnO:Ga thin films with the inclined crystalic texture
机译:
溅射具有倾斜晶体织构的ZnO:Ga薄膜
作者:
Tvarozek V.
;
Novotny I.
;
Sutta P.
;
Netrvalova M.
;
Flickyngerova S.
;
Spiess L.
;
Schaaf P.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
59.
Influence of different dopants on physical properties of ZnO for photovoltaic applications
机译:
不同掺杂对光伏应用ZnO物理性能的影响
作者:
Netrvalova M.
;
Novotny I.
;
Tvarozek V.
;
Prusakova L.
;
Sutta P.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
60.
T/RH-sensitive thick-film structures for ecological control and environment monitoring
机译:
T / RH敏感的厚膜结构,用于生态控制和环境监测
作者:
Shpotyuk O.
;
Hadzaman I.
;
Klym H.
;
Brunner M.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
61.
Study of re-crystallization processes in amorphous silicon films
机译:
非晶硅膜中的再结晶过程研究
作者:
Vavrunkova V.
;
Netrvalova M.
;
Prusakova L.
;
Mullerova J.
;
Sutta P.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
62.
Systematic expression shearing in symbolic CMOS circuits analysis based on topology reduction
机译:
基于拓扑约简的符号CMOS电路分析中的系统表达式剪切
作者:
Djordjevic S.
;
Petkovic P.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
63.
Engineering of the nitride charge trapping layer for non-volatile memory
机译:
非易失性存储器的氮化物电荷俘获层的工程设计
作者:
Colonna J-P.
;
Nowak E.
;
Molas G.
;
Bocquet M.
;
Gely M.
;
Rochat N.
;
Licitra C.
;
Barnes J-P.
;
Veillerot M.
;
Kies R.
;
Yckache K.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
64.
Steering committee
机译:
指导委员会
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
65.
Copyright page
机译:
版权页
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
66.
Rise time and dwell time impact on Triac solder joints lifetime during power cycling
机译:
功率上升期间的上升时间和停留时间对Triac焊点寿命的影响
作者:
Jacques S.
;
Diack P. M.
;
Batut N.
;
Leroy R.
;
Gonthier L.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
67.
Properties of Al doped Ta
2
O
5
based MIS capacitors for DRAM applications
机译:
Al掺杂Ta
2 inf> O
5 inf>的MIS电容器的性能
作者:
Skeparovski A.
;
Novkovski N.
;
Spassov D.
;
Atanassova E.
;
Lazarov V. K.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
68.
Comparison of GaN-based MOS structures with different interfacial layer treatments
机译:
不同界面层处理的GaN基MOS结构的比较
作者:
Alam E. Al
;
Cortes I.
;
Besland M. P.
;
Regreny P.
;
Goullet A.
;
Morancho F.
;
Cazarre A.
;
Cordier Y.
;
Isoird K.
;
Olivie F.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
69.
Session: Reliability physics
机译:
分会场:可靠性物理学
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
70.
Session: Modeling and simulation
机译:
会议:建模与仿真
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
71.
Nanoscaling of MOSFETs and the implementation of Schottky barrier S/D contacts
机译:
MOSFET的纳米尺度化和肖特基势垒S / D触点的实现
作者:
Ostling Mikael
;
Luo Jun
;
Gudmundsson Valur
;
Hellstrom Per-Erik
;
Malm B. Gunnar
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
72.
Poster session: Microsystem technologies
机译:
张贴者会议:微系统技术
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
73.
Plenary sessions
机译:
全体会议
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
74.
BLDC motor driver — Development of control and power electronics
机译:
BLDC电动机驱动器—控制和电力电子技术的发展
作者:
Krkljes D.
;
Morvai C.
;
Babkovic K.
;
Nagy L.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
75.
AADL modeling of M2M terminal
机译:
M2M终端的AADL建模
作者:
Prijic A.
;
Prijic Z.
;
Vuckovic D.
;
Stanimirovic A.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
76.
Accelerating first-time-right high-speed system designs with high-performance FPGAs
机译:
借助高性能FPGA加速初次使用的高速系统设计
作者:
Voss Sven-Hendrik
;
Schueler Michael
;
Baerwolff Michael
;
Kranz Markus
;
Dressler Sebastian
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
77.
Multiple-bit parallel CDMA data transfer over common bus
机译:
通过公共总线进行多位并行CDMA数据传输
作者:
Nikolic T.
;
Stojcev M.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
78.
Design of low noise fractional-N frequency synthesizer using sigma-delta modulation technique
机译:
利用sigma-delta调制技术设计低噪声分数N频率合成器
作者:
Fatahi N.
;
Nabovati H.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
79.
3D Simulation of Triple-Gate MOSFETs
机译:
三栅极MOSFET的3D模拟
作者:
Conde J.
;
Cerdeira A.
;
Pavanello M.
;
Kilchytska V.
;
Flandre D.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
80.
On randomness and reliability of electronic devices: A case-study of thick dielectrics
机译:
关于电子设备的随机性和可靠性:厚电介质的案例研究
作者:
Alam M. A.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
81.
An ultimate planar MOS transistor for high-performance applications based on classical and modern techniques
机译:
基于经典和现代技术的高性能应用的终极平面MOS晶体管
作者:
Lin Jyi-Tsong
;
Eng Yi-Chuen
;
Kuo Chih-Hao
;
Lin Po-Hsieh
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
82.
Degradation of p-channel power VDMOSFETs under pulsed NBT stress
机译:
脉冲NBT应力下p沟道功率VDMOSFET的性能下降
作者:
Djoric-Veljkovic S.
;
Dankovic D.
;
Prijic A.
;
Manic I.
;
Davidovic V.
;
Golubovic S.
;
Prijic Z.
;
Stojadinovic N.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
83.
Session: Circuit design and testing
机译:
分会场:电路设计与测试
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
84.
Awards
机译:
获奖情况
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
85.
Voltage scaling limitations and challenges of memory-rich nanoscale CMOS LSIs
机译:
电压缩放限制和存储器丰富的纳米级CMOS LSI面临的挑战
作者:
Itoh Kiyoo
;
Tsuchiya Ryuta
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
86.
Growth of dielectric-embedded silicon nanocrystallites for silicon integrated photonics
机译:
用于硅集成光子的电介质嵌入硅纳米晶体的生长
作者:
Wong H.
;
Wong C. K.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
87.
Quantum mechanical tunnelling in nanoelectronic circuits: Design of a nanoelectronic single-electron RAM
机译:
纳米电子电路中的量子机械隧穿:纳米电子单电子RAM的设计
作者:
Hagouel Paul Isaac
;
Karafyllidis Ioannis G.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
88.
Modeling floating body Z-RAM storage cells
机译:
建模浮体Z-RAM存储单元
作者:
Sverdlov Viktor
;
Selberherr Siegfried
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
89.
Electrical measurements in nanotechnology using single electron bipolar avalanche transistors
机译:
使用单电子双极雪崩晶体管的纳米技术中的电学测量
作者:
Popovic Radivoje S.
;
Lany Marc
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
90.
Single Electron Tunneling based computation
机译:
基于单电子隧穿的计算
作者:
Cotofana Sorin
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
91.
Future trends in high power devices
机译:
大功率设备的未来趋势
作者:
Vobecky J.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
92.
Perspective on Power IC technology: From design lab to wafer fab
机译:
功率IC技术的观点:从设计实验室到晶圆厂
作者:
Igic P.
;
Elwin M. P.
;
Holland P. M.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
93.
BJT static behavior improvement by modification of the epitaxial layer
机译:
通过修改外延层改善BJT静态行为
作者:
Theolier L.
;
Phung L. V.
;
Batut N.
;
Schellmanns A.
;
Raingeaud Y.
;
Quoirin J.-B.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
94.
Modeling of main leakage currents and their contribution to channel current in Fin-FETs
机译:
Fin-FET中的主泄漏电流建模及其对沟道电流的影响
作者:
Garduno I.
;
Cerdeira A.
;
Estrada M.
;
Kilchytska V.
;
Flandre D.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
95.
Comparative studies of single- and double-nanocrystal layer NVM structures: Charge accumulation and retention
机译:
单和双纳米晶体NVM结构的比较研究:电荷积累和保留
作者:
Turchanikov V.
;
Ievtukh V.
;
Nazarov A.
;
Lysenko V.
;
Theodoropoulou M.
;
Nassiopoulou A. G.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
96.
Simple model for the switching I-V characteristic in electroformed MIM structures
机译:
电铸MIM结构中切换I-V特性的简单模型
作者:
Miranda E.
;
Jimenez D.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
97.
Electron spectrum of δ-doped quantum wells by Thomas — Fermi method at finite temperatures
机译:
有限温度下通过Thomas-Fermi方法对δ掺杂量子阱的电子光谱
作者:
Grimalsky V.
;
Gaggero-S. L. M.
;
Koshevaya S.
;
Garcia-B. A.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
98.
Quantization effects in gate-all-around nanowire MOSFETs: A numerical study
机译:
全方位栅纳米线MOSFET中的量化效应:数值研究
作者:
Gamal Salah
;
Selim Dalia
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
99.
Effect of RF discharge structure on silicon etching in CF
4
/O
2
机译:
RF放电结构对CF
4 inf> / O
2 inf>中硅刻蚀的影响
作者:
Grigoryev Yu. N.
;
Gorobchuk A. G.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
100.
Electronic structure of oxygen vacancy and poly-vacancy in α- and γ-Al
2
O
3
机译:
α-和γ-Al
2 inf> O
3 inf>中氧空位和多空位的电子结构
作者:
Perevalov T. V.
;
Gritsenko V. A.
会议名称:
《2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings》
|
2010年
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