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机译:Ge_xSi_(1-x)/ Si(001)(x〜1)异质结构中的边缘失配位错:缓冲Ge_ySi_(1- y)(y
机译:Ge_xSi_(1-x)/ Si(001)(x〜1)异质结构中的边缘失配位错:缓冲Ge_ySi_(1- y)(y
机译:在未取向(001)→(111)Si衬底上生长的Ge_xSi_(1-x)(x〜0.4-0.5)薄膜中边缘失配位错的形成
机译:低温(300-400℃)分子束外延生长的异质结构Ge_xSi_(1-x)/ Si(001):错配位错传播
机译:In_0.15Ga_0.85As / GaAs异质结构在热处理过程中形成边缘型失配位错
机译:通过有限反应处理在硅(1-x)锗(x)应变层中形成错配位错
机译:Si(001)上GeSi覆盖层中位错释放晶格应变的原子尺度形成机理
机译:001应变层异质结构中错位错位成核的理论考虑
机译:siGe / si异质结构中空穴与失配位错的相互作用