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Microscopy of semiconducting materials 1999
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1.
TEM study of an anti-correlation relation in corrugated layers of Si_1-xGe_x(C)/Si superlattices
机译:
Si_1-xGe_x(C)/ Si超晶格的波纹层中反相关关系的TEM研究
作者:
E Muller
;
R Hartmann
;
D Grutzmacher
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
2.
titanium disilicide nanoislands on Si (001) surfaces
机译:
Si(001)表面上的二硅化钛纳米岛
作者:
G Medeiros-ribeiro
;
D P Basile
;
T I Kamins
;
D A A Ohlberg
;
G A D Briggs
;
R Stanley Williams
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
3.
Structure of SiC layers grown by LPE in microgravity and on-ground conditions
机译:
LPE在微重力和地面条件下生长的SiC层的结构
作者:
B Pecz
;
R Yakimova
;
M Syvajarvi
;
C Lockovandt
;
G Radnoczi
;
E Janzen
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
4.
Micropipes in SiC represent frank's holow dislocations
机译:
SiC中的微管代表弗兰克的空心位错
作者:
J Heindl
;
H P Strunk
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
5.
Superconducting contacts to a two-dimensional electron gas
机译:
二维电子气的超导接触
作者:
D A Williams
;
T D Moore
;
S B Newcomb
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
6.
the modified structure of amorphous Ge Near Si(111) substrates
机译:
Si(111)衬底上非晶Ge的修饰结构
作者:
B Plikat
;
N I Borgardt
;
M Seibt
;
T Wagner
;
W Schroter
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
7.
Nanoanalysis of local electrical fields in silicon diodes by STEBIC
机译:
用STEBIC纳米分析硅二极管中的局部电场
作者:
D Brouri
;
C Cabanel
;
J Y Laval
;
L Peymayeche
;
C Garrec
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
8.
Growth of GaN lyaers onto misoriented (0001) sapphire by MOCVD
机译:
通过MOCVD将GaN lyaers生长到取向错误的(0001)蓝宝石上
作者:
B Pecz
;
M A di Forte Poisson
;
G Radnoczi
;
L Toth
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
9.
Formation of edge-type misfit dislocations in In_0.15Ga_0.85As/GaAs heterostructures during thermal processing
机译:
In_0.15Ga_0.85As / GaAs异质结构在热处理过程中形成边缘型失配位错
作者:
X W Liu
;
A A Hopgood
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
10.
Void formation at the interface of bonded hydrogen-terminated (100) silicon wafers
机译:
在键合的氢封端(100)硅晶片的界面处形成空隙
作者:
R Scholz
;
L F Giles
;
S Hopfe
;
A Plobl
;
U Gosele
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
11.
PEELS imaging and linescan study of concentration anisotropies in Al_xGa_1-xAs and In_yGa_1-yAs heterostructures grown on non-planar substrates
机译:
PEELS成像和linecan研究非平面衬底上生长的Al_xGa_1-xAs和In_yGa_1-yAs异质结构中的浓度各向异性
作者:
K Leifer
;
A Rudra
;
G Biasiol
;
P A Buffat
;
H Michler
;
E Blank
;
E Kapon
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
12.
Potential errors in quantitative EBIC studies caused by low resistance specimens
机译:
低电阻样本导致的EBIC定量研究中的潜在误差
作者:
A G Wojcik
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
13.
SEM and TEM analysis of semiconducting SrTiO_3 ceramic devices
机译:
SrTiO_3半导体陶瓷器件的SEM和TEM分析
作者:
M Shiojiri
;
M Kawasaki
;
T Yoshioka
;
S Sato
;
T Nomura
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
14.
Phase separation and facet formation during the growth of (GaAs)_1-x (Ge_2)_x alloy layers by metal organic vapour phase epitaxy
机译:
金属有机气相外延生长(GaAs)_1-x(Ge_2)_x合金层时的相分离和小面形成
作者:
A G Norman
;
J M Olson
;
J F Geisz
;
H R Moutinho
;
A Mason
;
M M Al-Jassim
;
S M Vernon
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
15.
A combined STM/AFM/TEM study of CdTe/CdS solar cell material grown on glass
机译:
在玻璃上生长的CdTe / CdS太阳能电池材料的STM / AFM / TEM组合研究
作者:
P Buckle
;
C Bridge
;
J Jacobs
;
A J Harvey
;
U Bangert
;
P Dawson
;
E Z Luo
;
I H Wilson
;
M E Ozsan
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
16.
CBED to determine the lattice parameters of strained SiC films on 6H-SiC substrates
机译:
CBED确定6H-SiC衬底上应变SiC膜的晶格参数
作者:
U Kaiser
;
K Saitoh
;
K Tsuda
;
M Tanaka
;
W Richter
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
17.
A cross-sectional HRTEM study of particle defects in an epitaxial diamond film
机译:
HRTEM横截面研究外延金刚石膜中的颗粒缺陷
作者:
H Sawada
;
H Ichinose
;
D Takeuchi
;
H Okushi
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
18.
Ordering and domain structures in Mg-doped GaInP layers
机译:
掺镁的GaInP层中的有序和畴结构
作者:
S-M Lee
;
S W Jun
;
T-Y Seong
;
G B Stringfellow
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
19.
Scanning capacitance microscopy on cross section and bevelled samples
机译:
横截面和斜面样品的扫描电容显微镜
作者:
V Raineri
;
Cs Daoczi
;
S Lombardo
;
V Privitera
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
20.
Strain determination in submicron isolation structures by TEM/CBED
机译:
通过TEM / CBED确定亚微米隔离结构中的应变
作者:
A Armigliato
;
R Balboni
;
S Balboni
;
S Frabboni
;
A Tixier
;
G P Carnevale
;
P Colpani
;
G Pavia
;
A Mamiroli
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
21.
Strain and Ge concentration determinations in SiGe/Si multiple quantum wells by TEM methods
机译:
TEM法测定SiGe / Si多量子阱中的应变和Ge浓度
作者:
A Benedetti
;
D J Norris
;
C J D Hetherington
;
A G Cullis
;
A Armigliato
;
R Balboni
;
D J Robbins
;
D J Wallis
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
22.
Study of plastic relaxation of layer stress in ZnSe/GaAs(001) heterostructures
机译:
ZnSe / GaAs(001)异质结构中层应力的塑性松弛研究
作者:
J Schreiber
;
U Hilpert
;
L Horing
;
L Worschech
;
B Konig
;
W Ossau
;
A Waag
;
G Landwehr
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
23.
Optoelectronic characterisation of semiconducting materials in a scanning near-field optical microscope
机译:
扫描近场光学显微镜中半导体材料的光电特性
作者:
R M Cramer
;
C Pagel
;
L Balk
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
24.
Study of the relaxation in InGaAs SQW grown on (111)B substrates
机译:
在(111)B衬底上生长的InGaAs SQW弛豫的研究
作者:
M Gutierrez
;
D Gonzalez
;
G Aragon
;
J J Sanchez
;
I Izpura
;
R Garcia
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
25.
Structural characterisation of AlGaN/AlN/Si(111) heterostructures by transmission electron microscopy
机译:
透射电子显微镜对AlGaN / AlN / Si(111)异质结构的结构表征
作者:
A M Sanchez
;
S I Molina
;
F J Pacheco
;
R Garcia
;
M A Sanchez-Garcia
;
E Calleja
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
26.
TEM characterisation of free standing GaInP stranski-krastanow islands grown by MOVPE on GaP substrates
机译:
MoVPE在GaP衬底上生长的独立式GaInP stranski-krastanow岛的TEM表征
作者:
C Svensson
;
J-O Malm
;
A Gustafsson
;
L K L Falk
;
J J ohansson
;
C Thelander
;
W Seifert
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
27.
TEM study of defects formed in InGaAs/GaAs and InGaAs/InP heterostructure devices
机译:
TEM研究InGaAs / GaAs和InGaAs / InP异质结构器件中形成的缺陷
作者:
J Katcki
;
J Ratajczak
;
J Muszalski
;
F Phillipp
;
N Y Jin-Phillipp
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
28.
TEM for process developemnt of silicon devices
机译:
用于硅器件工艺开发的TERM
作者:
H Cerva
;
A Rucki
;
V Kluppel
;
T Ohnemus
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
29.
TEM study of ordered domain structures in Te-doped GaInP layers grown by organometallic vapour phase epitaxy
机译:
用有机金属气相外延生长的Te掺杂GaInP层中有序畴结构的TEM研究
作者:
T-Y Seong
;
C-J Choi
;
R Spirydon
;
S H Lee
;
G B Stringfellow
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
30.
TEM investigation of wet oxidised AlAs in VCSEL structures
机译:
VCSEL结构中湿式氧化AlAs的TEM研究
作者:
M A Al-Khafaji
;
H Meidia
;
A G Cullis
;
K Y Chang
;
J Woodhead
;
J S Roberts
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
31.
Transmission electron microscopy studies of silicon-based electron waveguides fabricated by oxidation of etched ridges on buried oxide layers
机译:
硅基电子波导的透射电子显微镜研究,该硅波导是通过掩埋氧化层上的刻蚀脊氧化而制成的
作者:
A Gustafsson
;
J Ahopelto
;
M Kamp
;
M Emmerling
;
A Forchel
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
32.
Transmission electron microscopy investigations of the defect formation during Zn-diffusion in GaP and GaSb
机译:
GaP和GaSb中锌扩散过程中缺陷形成的透射电镜研究
作者:
C Jager
;
W Jager
;
G Bosker
;
J Popping
;
N Stolwijk
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
33.
The influence of NaCl on the microstructure of CdS films and CdTe solar cells
机译:
NaCl对CdS薄膜和CdTe太阳能电池微观结构的影响
作者:
K Durose
;
D Albin
;
R Ribelin
;
R Dhere
;
D King
;
H Moutinho
;
R Matson
;
P Dippo
;
J Hiie
;
D H Levi
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
34.
Two-dimensional dopant profiling in shallow junctions using TEM and scanning capacitance microscopy
机译:
使用TEM和扫描电容显微镜对浅结中的二维掺杂物进行分析
作者:
C-J Choi
;
T-Y Seong
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
35.
Cathodoluminescence studies of individual GaN dots grown by MOCVD on SiC substrates
机译:
MOCVD在SiC衬底上生长的单个GaN点的阴极发光研究
作者:
Anders Petersson
;
Anders Gustafsson
;
Lars Samuelson
;
Satoru Tanaka
;
Yoshinobu Aoyagi
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
36.
Cathodoluminescence study of low-dimensional quantum structures grown on patterned GaAs(311)A substrates
机译:
GaAs(311)A衬底上生长的低维量子结构的阴极发光研究
作者:
U Jahn
;
R Notzel
;
J Fricke
;
H-P Schonherr
;
K H Ploog
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
37.
An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4)surface reconstruction
机译:
Si(001)c(4x4)表面重建的高温STM研究
作者:
H Norenberg
;
G A D Briggs
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
38.
Characterization of surface steps on heteroepitaxial 3C-SiC thin films by TEM
机译:
异质外延3C-SiC薄膜表面台阶的TEM表征
作者:
W Bahng
;
H Matsuhata
;
T Takahashi
;
Y Ishida
;
H Okumura
;
S Yoshida
;
H Sawada
;
H Ichinose
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
39.
Application of spatially resolved electron energy-loss spectroscopy to the quantitative analysis of semiconducting layer structures
机译:
空间分辨电子能量损失谱在半导体层结构定量分析中的应用
作者:
T Walther
;
W Mader
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
40.
Bismuth adn antimony nanolines in a Si epitaxial layer
机译:
Si外延层中的铋和锑纳米线
作者:
K Miki
;
H Matsuhata
;
K Sakamoto
;
G A D Briggs
;
J H G Owen
;
D R Bowler
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
41.
Clustering of vacancies on {113} planes in Si layers close to Si-Si_3N_4 interfaces and further aggregation of self-interstitials inside vacancy clusters during electron irradiation
机译:
Si层中靠近Si-Si_3N_4界面的Si层中{113}面上空位的聚集以及电子辐照过程中空位簇内部自填隙的进一步聚集
作者:
L Fedina
;
A Gutakovskii
;
A Aseev
;
J Van Landuyt
;
J Vanhellemont
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
42.
Chemical bevelling and SIMS linescan analysis of low energy boron implanted silicon
机译:
化学能斜切和SIMS线可以分析低能硼注入的硅
作者:
K P Johansen
;
D S McPhail
;
S Fearn
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
43.
Atomic reorganisation studies from HRTEM images
机译:
HRTEM图像中的原子重组研究
作者:
J C Ferrer
;
F Peiro
;
A Cornet
;
G Armells
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
44.
Axial field measurements on a high resolution portable scanning electron microscope column
机译:
高分辨率便携式扫描电子显微镜柱上的轴向场测量
作者:
A Khursheed
;
Y Zhao
;
N Karuppiah
;
E J Chua
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
45.
Applications and problems for TEM of semiconductor products
机译:
半导体产品TEM的应用与问题
作者:
A John Mardinly
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
46.
Contrast analysis in TEM images of InGaAs/GaAs strained laters grown on non-planar substrates
机译:
在非平面衬底上生长的InGaAs / GaAs应变后代的TEM图像中的对比分析
作者:
A M Condo
;
K Leifer
;
A Rudra
;
J Michler
;
E Blank
;
E Kapon
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
47.
Characterisation of SnO_2 nanopowders obtained by liquid pyrolysis for gas monitoring
机译:
液相热解制得的SnO_2纳米粉体用于气体监测的表征
作者:
A Vila
;
A Dieguez
;
A Cirera
;
A Cornet
;
J R Morante
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
48.
Lateral-and pendeo-epitaxial growth and characterization of low defect density GaN thin films
机译:
低缺陷密度GaN薄膜的横向和斜外延生长及表征
作者:
Robert F Davis
;
O-h Nam
;
T S Zheleva
;
M D Bremser
;
K J Linthicum
;
T Gehrke
;
P Rajagopal
;
D B Thomson
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
49.
Investigation of the atomic structure of 0001 tilt grain boundaries in GaN/sapphire epitaxial layers
机译:
GaN /蓝宝石外延层中0001倾斜晶界的原子结构研究
作者:
V Potin
;
G Nouet
;
P Ruterana
;
R C Pond
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
50.
Microscale luminescence from ELOG specimens on (0001) sapphire
机译:
(0001)蓝宝石上ELOG样品的微尺度发光
作者:
A Amokrane
;
S Dassonneville
;
B Sieber
;
K Jacobs
;
z Bougrioua I Moerman
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
51.
Low-temperature spectral CL study of growth-induced defects in butt-coupled strain compensated InGaAs/InGaAs/InP MQW amplifier-waveguide devices for semiconductor optical amplifiers
机译:
用于半导体光放大器的对接耦合应变补偿InGaAs / InGaAs / InP MQW放大器-波导器件中生长引起的缺陷的低温光谱CL研究
作者:
C Zanotti-Fregonara
;
L Lazzarini
;
G Salviati
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
52.
Measurements of local lattice strains in self-assembled InAs quantum dots: a high resolution transmission electron microscopy study
机译:
自组装InAs量子点中局部晶格应变的测量:高分辨率透射电子显微镜研究
作者:
Chih-Hang Tung
;
G Muralidharan
;
George T T Sheng
;
Yaohui Zhang
;
John L F Wang
;
W J Fan
;
C H Wang
;
J Jiang
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
53.
Mechanisms of the formation of structural defects during low temperature growth of GaAs
机译:
GaAs低温生长过程中结构缺陷形成的机理
作者:
M Luysberg
;
P Specht
;
E R Weber
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
54.
Mircrostructural investigation of oxidized Ni/Au ohmic contact to p-type GaN
机译:
Ni / Au欧姆接触p型GaN的微观结构研究
作者:
Li-Chen Chen
;
Fu-rong Chen
;
Ji-Jung Kai
;
Li Chang
;
Jin-Kuo Ho
;
Charng
;
Shyang Jong
;
Chien C Chiu
;
Chao-Nien Huang
;
Chin-Yuen Chen
;
Kwang-Kuo Shih
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
55.
Microstructure of TiN layers used as ohmic contacts on GaN
机译:
TiN层的微结构用作GaN上的欧姆接触
作者:
P Ruterana
;
G Nouet
;
Th Kehagias
;
Ph Komninou
;
Th Karakostas
;
M A di Forte Poission
;
F Huet
;
M Tordjman
;
H Morkoc
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
56.
Investigation of CdSe/ZnSe quantum dot structures by composition evaluation by lattice fringe analysis
机译:
CdSe / ZnSe量子点结构的晶格条纹分析及成分评估
作者:
A Rosenauer
;
N Peranio
;
D Gerthsen
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
57.
Growth phenomena quantum dot structures in the InGaAs system
机译:
InGaAs系统中的生长现象量子点结构
作者:
P Werner
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
58.
Hall photovoltage imaging of the carrier flux in a 2DEG using an optical fibre
机译:
使用光纤对2DEG中的载流子进行霍尔光电压成像
作者:
A Bohm
;
B Ozyilmaz
;
J Heil
;
W C van der Vleuten
;
L W Molenkamp
;
U Beyer
;
P Wyder
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
59.
Growth characerisation of InAlAs/InGaAs structures on InP non_(001) index substrates
机译:
InP non_(001)指数衬底上InAlAs / InGaAs结构的生长特性
作者:
J Arbiol
;
F Peiro
;
A Cornet
;
A Christou
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
60.
Morphological instability of strained-layer superlattices grown on vicinal substrates
机译:
在邻近基底上生长的应变层超晶格的形态学不稳定性
作者:
G Patriarche
;
A Ougazzaden
;
F Glas
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
61.
New insights into the formation processes of macropores in n-Si(001) and p-Si(001)
机译:
对n-Si(001)和p-Si(001)中大孔形成过程的新见解
作者:
C Jager
;
C Dieder
;
W Jager
;
M Christopherson
;
J Carstensen
;
H Foll
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
62.
Microcharacterisation of MOVPE-grown AlAsSb/GaAsSb superlattices by STEM
机译:
通过STEM对MOVPE生长的AlAsSb / GaAsSb超晶格进行微表征
作者:
C Mendorf
;
F Schulze-Kraasch
;
S Li
;
X G Xu
;
C Giesen
;
K Heime
;
E Kubalek
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
63.
Measurement of thin silicon oxideitride/oxide layers using transmission electron microscopy
机译:
使用透射电子显微镜测量氧化硅/氮化硅/氧化物薄层
作者:
R Beanland
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
64.
Advances in high resolution imaging and microanalysis of Si,GaAs and GaN
机译:
Si,GaAs和GaN的高分辨率成像和显微分析研究进展
作者:
C J Humphreys
;
A N Bright
;
S L Elliott
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
65.
Comparison of defect formation in O~+ - and Ne~+ -implanted 6H-SiC
机译:
O〜+和Ne〜+注入6H-SiC中缺陷形成的比较
作者:
B Pecz
;
T Dalibor
;
G Pensl
;
J Stoemenos
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
66.
Optical properties of anti-phase boundaries and frenkel-type defects in CuPt-ordered GaInP studied by optical spectroscopy in a transmission electron microscope
机译:
透射电子显微镜中的光谱研究CuPt有序GaInP的反相边界和弗伦克尔型缺陷的光学性质
作者:
Y Ohno
;
S Tadeka
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
67.
A REBIC and EBSP study of a #SIGMA#=13 grain boundary in silicon
机译:
硅中#SIGMA#= 13晶界的REBIC和EBSP研究
作者:
D B Holt
;
E Napchan
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
68.
Planar,linear and point defects in high purity CVD diamond
机译:
高纯度CVD金刚石的平面,线性和点缺陷
作者:
J W Steeds
;
S J Charles
;
J E Butler
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
69.
A TEM assessment of GaN/SiC layers grown by MBE
机译:
MBE生长的GaN / SiC层的TEM评估
作者:
A N Bright
;
P D Brown
;
D M Tricker
;
N Jeffs
;
C T Foxon
;
C J Humphreys
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
70.
Impact of strain relaxation induced local crystal tilts on the quanti-tative evaluation of microstructure by high-resolution transmission electron microscopy
机译:
应变松弛引起的局部晶体倾斜对高分辨率透射电子显微镜对微观结构定量评估的影响
作者:
K Tillmann
;
M Lentzen
;
R Rosenfeld
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
71.
Excitonic transitions in cubic AlGaN
机译:
立方AlGaN中的激子跃迁
作者:
G Salviati
;
C Zanotti-Fregonara
;
M Albrecht
;
N Armani
;
S Christiansen
;
H P Strunk
;
H Angerer
;
O Ambacher
;
M Stutzmann
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
72.
Electron holography studies of piezoelectric fields in InGaN/GaN layers
机译:
InGaN / GaN层中压电场的电子全息研究
作者:
D Cherns
;
J Barnard
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
73.
FEG-SEM imaging of semiconductor dopant contrast
机译:
FEG-SEM成像或半导体掺杂剂对比
作者:
S L elliott
;
R F Broom
;
C J Humphreys
;
E J Thrush
;
L Considine
;
D B Thomson
;
W B de Boer
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
74.
Formation of microcracks in an annealed cubic boron nitride
机译:
退火立方氮化硼中微裂纹的形成
作者:
M Aki
;
Y Ohno
;
S Takeda
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
75.
HREM investigation of structural defects in Al- and B- implanted 4H and 6H SiC
机译:
HREM研究铝和B注入的4H和6H SiC中的结构缺陷
作者:
P O A Persson
;
E Olsson
;
L Hultman
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
76.
Impact of surface morphology on InAs(P) island formation of InP
机译:
表面形态对InP InAs(P)岛形成的影响
作者:
C F Carlstrom
;
S Anand
;
E Niemi
;
G Landgren
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
77.
Focused ion beam specimen preparation for transmission electron microscopy studies of ULSI devices
机译:
聚焦离子束标本制备,用于ULSI器件的透射电子显微镜研究
作者:
H Bender
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
78.
Focused ion beam control of sample cleaving for high resolution microscopy
机译:
聚焦离子束控制样品裂解的高分辨率显微镜
作者:
R M Langford
;
C M Reeves
;
J F Findlay
;
C E Jeffree
;
J G Goodall
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
79.
HREM analysis of planar defects in GaN layers grown on (0001) Al_2O_3 vicinal surfaces
机译:
(0001)Al_2O_3邻近表面生长的GaN层中平面缺陷的HREM分析
作者:
B Barbaray
;
P Ruterana
;
G Nouet
;
M A di Forte Poisson
;
F Huet
;
M Tordjman
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
80.
High sensitivity FIB-SIMS analysis of semiconductor devices
机译:
半导体器件的高灵敏度FIB-SIMS分析
作者:
M Hughes
;
D S McPhail
;
R J Chater
;
J Walker
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
81.
EBIC and CL imaging of self-organised quantum dot clusters and wetting layers in modulation-doped structures
机译:
调制掺杂结构中自组织量子点簇和润湿层的EBIC和CL成像
作者:
C E Norman
;
A J Shields
;
R A Hogg
;
M P OSullivan
;
I Farrer
;
D A Ritchie
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
82.
Electrical activity of dislocations in GaN epilayers
机译:
GaN外延层中位错的电活性
作者:
A Castaldini
;
A Cavallini
;
L Polenta
;
M Avella
;
E de la Puente
;
J Jimenez
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
83.
Crystalline quality of In_xga_1-xN samples assessed by SEM,raman and PL
机译:
SEM,拉曼光谱和PL评估In_xga_1-xN样品的晶体质量
作者:
R Correia
;
R Seitz
;
C Gaspar
;
T Monteiro
;
E Pereira
;
M Heuken
;
O Schoen
;
H Protzmann
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
84.
Dislocation blocking in strained layers grown on vicinal substrates
机译:
位错阻塞在邻近基底上生长的应变层中
作者:
P J Goodhew
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
85.
Dislocation dynamics in graded relaxed SIGe/Si,InGaAs/GaAs,and InGaP/GaP
机译:
梯度弛豫SIGe / Si,InGaAs / GaAs和InGaP / GaP中的位错动力学
作者:
E A Fitzgerald
;
A Y Kim
;
M T Bulsara
;
M T Currie
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
86.
Electrically active grain boundaries in GaP
机译:
GaP中的电活性晶界
作者:
D B Holt
;
E Napchan
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
87.
Spontaneous polarisation of AlN measured by electron holography
机译:
电子全息术测量的AlN自发极化
作者:
M Albrecht
;
S Christiansen
;
T Remmele
;
H P Strunk
;
H Banzhof
;
R Goldberg
;
H Lichte
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
88.
A novel method for studying the regrowth of implanted silicon
机译:
研究植入硅再生长的新方法
作者:
K D Vernon-Parry
;
I Brough
;
J H Evans-Freeman
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
89.
Climb/glide dislocation sources at low misfit Ge_xSi(001) interfaces
机译:
低失配Ge_xSi(001)界面处的爬升/滑移位错源
作者:
S Jiao
;
P B Hirsch
;
D D Perovic
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
90.
Characterisation of tungsten nitride barrier layer for copper metallisation
机译:
用于铜金属化的氮化钨阻挡层的表征
作者:
S Jin
;
H Li
;
H Bender
;
I Heyvaert
;
K Marx
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
91.
Comparison of the interfacial relaxation between AlN/Al_2O_3 (0001) and AlN/6H-SiC (0001) studied with TEM
机译:
TEM研究AlN / Al_2O_3(0001)与AlN / 6H-SiC(0001)界面弛豫的比较
作者:
S Kaiser
;
M Jakob
;
J Zweck
;
W Gebhardt
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
92.
Computer-aided analysis of TEM micrographs of CdSe quantum dots on ZnSe
机译:
ZnSe上CdSe量子点的TEM显微照片的计算机辅助分析
作者:
W Neumann
;
H Kirmse
;
R Schneider
;
K Scheerschmidt
;
D Conrad
;
T Wiebach
;
R Kohler
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
93.
Comparison of the growth mode of intimate In contacts deposited at room and cryogenic temperatures on (100) InGaAs and InAlAs self-decomposed layers
机译:
在室温和低温下沉积在(100)InGaAs和InAlAs自分解层上的紧密In接触的生长模式比较
作者:
F Peiro
;
A Vila
;
A Cornet
;
D S Cammack
;
S A Clark
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
94.
Analytical electron microscopy of III-V quantum dot structures
机译:
III-V量子点结构的分析电子显微镜
作者:
R Schneider
;
H Kirmse
;
W Neumann
;
F Heinrichsdorff
;
A Krost
;
D Bimberg
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
95.
Anisotropic lattice mismatch accommodation in the epitaxial MnAs/GaAs-system
机译:
外延MnAs / GaAs系统中的各向异性晶格失配适应
作者:
A Trampert
;
F Schippan
;
L Daweritz
;
K H Ploog
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
96.
Contribution of cathodoluminescence and electron bean induced current to microscale evaluation of semiconducting heterostructures
机译:
阴极发光和电子豆感应电流对半导体异质结构微观评估的贡献
作者:
B.Sieber
;
J-L Farvacque
;
J-L Lorriaux
;
A Fattorini
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
97.
Atomic resolution microscopy of semiconductor defects and interfaces
机译:
半导体缺陷和界面的原子分辨率显微镜
作者:
E M James
;
N D Browning
;
Y Xin
;
J L Reno
;
A G Baca
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
98.
Contactless characterization of semiconductor structures by the surface electron beam induced voltage method
机译:
用表面电子束感应电压法表征半导体结构
作者:
E I Rau
;
Zhu Shiqu
;
E B Yakimov
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
99.
An investigation of segregation-induced interface broadening in P-channel SiGe/Si MOSFET device structures by electron energy-loss imaging
机译:
通过电子能量损失成像研究P沟道SiGe / Si MOSFET器件结构中偏析引起的界面展宽
作者:
D J Norris
;
A G Cullis
;
T J Grasby
;
E H C Parker
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
100.
Effect of growth rate on the morphology and composition of InAs quantum dots grown on GaAs by MBE
机译:
生长速率对MBE在GaAs上生长InAs量子点形态和组成的影响
作者:
M A Al-Khafaji
;
A G Cullis
;
M Hopkinson
;
D J Mowbray
;
M S Skolnick
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
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