硅锗异质结构中失配位错演化及应变释放机理的分子模拟
THE MOLECULAR SIMULATION FOREVOLUTION OF THE MISFITDISLOCATIONS AND THE MISFITSTRAIN RELEASE MECHANISMS INSIGE HETEROSTRUCTURES
摘要
Abstract
第1章 绪论
1.1 课题背景及研究意义
1.2 硅锗异质结构体系中的位错简介
1.3 国内外半导体异质结构研究现状
1.4 分子动力学模拟简介
1.5 论文研究的主要内容
第2章 硅材料的弹性性质模拟
2.1 前言
2.2 模型构建及模拟过程
2.3 Si 在[111]方向上的强度及弹性常数模拟
2.4 各向同性Si 的弹性常数计算
2.5 本章小结
第3章 Si 晶体中位错成核研究
3.1 前言
3.2 90 度位错形成势垒计算
3.3 60 度位错形成势垒计算
3.4 本章小结
第4章 Si 晶体中60 度位错运动特性研究
4.1 前言
4.2 60 度位错模型构建及模拟过程
4.3 位错运动速度的确定方法
4.4 60 度位错运动特性研究
4.5 本章小结
第5章 位错在SiGe/Si 异质结构中的运动性质
5.1 前言
5.2 位错在SiGe 体系中的运动特性
5.3 位错在SiGe/Si 界面处的运动特性
5.4 LT-Si 缓冲层的温度对位错运动的影响
5.5 SiGe 层中Ge 的含量对位错运动的影响
5.6 本章小结
第6章 位错与空位缺陷的相互作用
6.1 前言
6.2 位错与六边形空位缺陷的相互作用
6.3 位错与双空位缺陷的相互作用
6.4 本章小结
结论
参考文献
攻读博士学位期间发表的学术论文
哈尔滨工业大学博士学位论文原创性声明
哈尔滨工业大学博士学位论文使用授权书
致谢
个人简历
哈尔滨工业大学;