机译:应变硅/应变硅锗异质结构中的硅锗互扩散及其对提高迁移率的金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:高迁移率金属氧化物半导体场效应晶体管的应变Si,SiGe和Ge沟道
机译:应变SiGe p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中增强冲击电离的研究
机译:自热对纳米级绝缘体上应变硅和在绝缘体上Sige上生长的应变硅中的金属迁移率N-金属氧化物半导体场效应晶体管的电子迁移率的比较研究
机译:绝缘体上薄体应变Si /应变SiGe / Si异质结构中电子和空穴迁移率的提高
机译:氮化铝镓/氮化镓金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管的器件设计和制造。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:基于p-i-n二极管的压缩应变SiGe带间隧穿模型校准及应变SiGe隧穿场效应晶体管的前景