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1.
Zero-dimensional states in nanostructures constricted by double-barrier heterojunctions and H-isolation
机译:
双势垒异质结和H隔离限制了纳米结构的零维态
作者:
Marleen Van Hove
;
Interuniv. Microelectronics Ctr.
;
Leuven
;
Belgium.
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
2.
Structural and optical properties of strained In0.2Ga0.8As-GaAs quantum wells
机译:
In0.2Ga0.8As-GaAs应变量子阱的结构和光学性质
作者:
Moses T. Asom
;
ATT Bell Labs.
;
Breinigsville
;
PA
;
USA
;
Lars C. Luther
;
ATT Bell Labs.
;
Breinigsville
;
PA
;
USA
;
Gabriela Livescu
;
ATT Bell Labs.
;
Breinigsville
;
PA
;
USA
;
Venkat Swaminathan
;
ATT Bell Labs.
;
Breinigsville
;
PA
;
USA
;
S.N. Chu
;
ATT Bell La
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
3.
Photoluminescence and Raman scattering studies of GaAs-AlGaAs quantum dots
机译:
GaAs-AlGaAs量子点的光致发光和拉曼散射研究
作者:
Peidong Wang
;
Univ. of Glasgow
;
Glasgow
;
Scotland
;
United Kingdom
;
Clivia M. Sotomayor Torres
;
Univ. of Glasgow
;
Glasgow
;
Strathclyde
;
United Kingdom
;
H.McLelland
;
Univ. of Glasgow
;
Glasgow
;
United Kingdom
;
S.Thoms
;
Univ. of Glasgow
;
Glasgow
;
United Kingd
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
4.
Ordered-disordered ternary III-V semiconductor alloys
机译:
有序-无序三元III-V半导体合金
作者:
N.A. El-Masry
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA.
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
5.
Monte Carlo simulation of a 'true' quantum wire
机译:
“真实”量子线的蒙特卡洛模拟
作者:
Lucio Rota
;
Univ. di Modena
;
Modena
;
Italy
;
F.Rossi
;
Univ. di Modena
;
Modena
;
Italy
;
Paolo Lugli
;
II Univ. di Roma
;
Roma
;
Italy
;
Elisa Molinari
;
Instituto di Acustica/CNR
;
Modena
;
Italy
;
Stephen M. Goodnick
;
Oregon State Univ.
;
Corvallis
;
OR
;
USA
;
W.Porod
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
6.
MBE growth of (GaAs)m/(AlAs)n short-period superlattices and their a
机译:
(GaAs)m /(AlAs)n短周期超晶格的MBE生长及其a
作者:
Naresh Chand
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA
;
Niloy K. Dutta
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
John Lopata
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA
;
Robert Hull
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA
;
Michael Geva
;
ATT Bell Labs.
;
Bre
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
7.
In-situ x-ray studies of OMVPE growth
机译:
OMVPE生长的原位X射线研究
作者:
Paul H. Fuoss
;
ATT Bell Labs.
;
Holmdel
;
NJ
;
USA
;
Frank J. Lamelas
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA
;
P.Imperatori
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA
;
David W. Kisker
;
IBM Research Div.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
G.B. Stephenson
;
IBM Resea
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
8.
Growth and performance of surface-emitting lasers
机译:
表面发射激光器的生长和性能
作者:
Niloy K. Dutta
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
9.
GaInP/GaAs multiwafer production in a commercial-available AIX 2000 reactor
机译:
在商用AIX 2000反应器中生产GaInP / GaAs多晶片
作者:
Holger Juergensen
;
AIXTRON GmbH
;
Aachen
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
10.
Dry-etching process for the fabrication of optoelectronic gratings in III-V substrates
机译:
在III-V基板中制造光电子光栅的干法蚀刻工艺
作者:
Antoni S. Gozdz
;
Bell Communications Research
;
Red Bank
;
NJ
;
USA
;
John A. Shelburne
;
III
;
Bell Communications Research
;
Red Bank
;
NJ
;
USA
;
Chuan C. Chang
;
Bell Communications Research
;
Red Bank
;
NJ
;
USA
;
R.S. Robinson
;
Bell Communications Research
;
Red Ba
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
11.
Atomic-layer epitaxy of device-quality Al0.3Ga0.7As
机译:
器件质量的Al0.3Ga0.7As的原子层外延
作者:
Anthony Dip
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA
;
P.C. Colter
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA
;
G.M. Eldallal
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA
;
Salah M. Bedair
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA.
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
12.
Al-Ga-In-As-P alloy system in low-pressure MOVPE
机译:
低压MOVPE中的Al-Ga-In-As-P合金体系
作者:
Dietmar Schmitz
;
AIXTRON GmbH
;
Aachen
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
13.
GaAs atomic-layer epitaxy in a rotating disc reactor
机译:
圆盘反应器中的GaAs原子层外延
作者:
Heng Liu
;
EMCORE Corp.
;
Somerset
;
NJ
;
USA
;
Peter A. Zawadzki
;
EMCORE Corp.
;
Somerset
;
NJ
;
USA
;
Peter E. Norris
;
EMCORE Corp.
;
Cambridge
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
14.
Evaluation of the band offsets of GaAs/GaInP multilayers by electroreflectance
机译:
通过电反射评估GaAs / GaInP多层带隙
作者:
Manijeh Razeghi
;
Northwestern Univ.
;
Evanston
;
IL
;
USA
;
D.Yang
;
Northwestern Univ.
;
Evanston
;
IL
;
USA
;
James W. Garland
;
Univ. of Illinois/Chicago
;
Chicago
;
IL
;
USA
;
Zhijie Zhang
;
Univ. of Illinois/Chicago
;
Chicago
;
IL
;
USA
;
Dazhong Xue
;
Univ. of Illinois
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
15.
Quantization of static domains in slim superlattices
机译:
超薄超晶格中静态域的量化
作者:
Dmitri V. Averin
;
SUNY/Stony Brook
;
Moscow State Univ.
;
Stony Brook
;
NY
;
USA
;
A.N. Korotkov
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Konstantin K. Likharev
;
SUNY/Stony Brook
;
Moscow State Univ.
;
Stony Brook
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
16.
Vapor transport epitaxy: an advanced growth process for III-V and II-VI semiconductors
机译:
蒸气传输外延:III-V和II-VI半导体的先进生长工艺
作者:
Alexander Gurary
;
EMCORE Corp.
;
Bridgewater
;
NJ
;
USA
;
Gary S. Tompa
;
EMCORE Corp.
;
Somerset
;
NJ
;
USA
;
Craig R. Nelson
;
EMCORE Corp.
;
Somerset
;
NJ
;
USA
;
Richard A. Stall
;
EMCORE Corp.
;
Somerset
;
NJ
;
USA
;
Yicheng Lu
;
Rutgers Univ.
;
Piscataway
;
NJ
;
USA
;
Shao
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
17.
Resonance phenomenon in double-bend-point contact structures
机译:
双弯点接触结构的共振现象
作者:
Jong C. Wu
;
Univ. of Oregon
;
Eugene
;
OR
;
USA
;
Martin N. Wybourne
;
Univ. of Oregon
;
Eugene
;
OR
;
USA
;
Andreas Weisshaar
;
Oregon State Univ.
;
Corvallis
;
OR
;
USA
;
Stephen M. Goodnick
;
Oregon State Univ.
;
Corvallis
;
OR
;
USA.
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
18.
Real-time optical control of epitaxial III-V semiconductor composition and structure
机译:
外延III-V族半导体组成和结构的实时光学控制
作者:
William E. Quinn
;
Bandgap Technology Corp.
;
Broomfield
;
CO
;
USA
;
David E. Aspnes
;
Bell Communications Research
;
Raleigh
;
NC
;
USA
;
M.J. Brasil
;
Bell Communications Research
;
Morristown
;
NJ
;
USA
;
M.A. Pudensi
;
Bell Communications Research
;
Morristown
;
NJ
;
U
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
19.
Processing of InP and related compounds at nanometer dimensions
机译:
InP和相关化合物的纳米级加工
作者:
Ilesanmi Adesida
;
Univ. of Illinois/Urbana-Champaign
;
Urbana
;
IL
;
USA
;
H.Chang
;
Univ. of Illinois/Urbana-Champaign
;
Urbana-Champaign
;
IL
;
USA
;
D.Ballegeer
;
Univ. of Illinois/Urbana-Champaign
;
Urbana-Champaign
;
IL
;
USA
;
X.Liu
;
Univ. of Illinois/Urbana-Cham
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
20.
Quantum wires and other novel structures by MBE overgrowth on the cleaved edges of multilayer substrates
机译:
MBE在多层基板劈开边缘上过度生长的量子线和其他新颖结构
作者:
Loren Pfeiffer
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA
;
H.L. Stormer
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA
;
Alejandro R. Goni
;
ATT Bell Labs.
;
Stuttgart 80
;
Federal Republic of Germany
;
A.Pinczuk
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA
;
K.W. Bald
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
21.
Laser-assisted chemical vapor deposition of device-quality GaAs
机译:
高质量器件质量的激光辅助化学气相沉积
作者:
John C. Roberts
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA
;
H.Liu
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA
;
Karim Boutros
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA
;
J.Ramdani
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA
;
Salah M. Bedair
;
Nort
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
22.
Direct electron-beam patterning on a nanometer scale of CaF2 layers grown by MBE on silicon <111>
机译:
MBE在硅上通过纳米束生长的CaF2层的纳米级直接电子束构图<111>
作者:
Richard Zanetti
;
Cambridge Univ.
;
Cambridge
;
United Kingdom
;
J.H. Paterson
;
Cambridge Univ.
;
Cambridge
;
United Kingdom
;
G.A. Jones
;
Cambridge Univ.
;
Cambridge
;
United Kingdom
;
King-Ning N. Tu
;
Cambridge Univ.
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr .
;
Yorktown
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
23.
Direct synthesis of III-V semiconductor quantum wires and quantum dots by molecular-beam epitaxy
机译:
分子束外延直接合成III-V族半导体量子线和量子点
作者:
Klaus H. Ploog
;
Max-Planck-Institut fuer Festkoerperforschung
;
Berlin
;
Federal Republic of Germany
;
Richard Noetzel
;
Max-Planck-Institut fuer Festkoerperforschung
;
Stuttgart 80
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
24.
Buried heterostructure formation processes for high-performance devices
机译:
高性能器件的掩埋异质结构形成工艺
作者:
Alexei V. Syrbu
;
Kishinev Polytechnic Institute
;
Kishinev
;
Moldova.
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
25.
Buried heterostucture lasers using a single-step metal-organic chemical vapor deposition growth over patterned substrates
机译:
使用单步金属有机化学气相沉积在图案化衬底上生长的埋藏异质结构激光器
作者:
John Lopata
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA
;
Niloy K. Dutta
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
William S. Hobson
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA
;
Paul R. Berger
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
26.
Carbon doping of III-V compounds by atomic-layer epitaxy
机译:
原子层外延对III-V族化合物进行碳掺杂
作者:
Kimberly G. Reid
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA
;
A.F. Myers
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA
;
J.Ramdani
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA
;
N.A. El-Masry
;
North Carolina State Univ.
;
Raleigh
;
NC
;
USA
;
Salah M. Bedair
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
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1992年
27.
Fabrication and imaging of quantum-well wire structures
机译:
量子阱线结构的制作和成像
作者:
Lars Samuelson
;
Lund Univ.
;
Lund
;
Sweden
;
Kristina Georgsson
;
Lund Univ.
;
Lund
;
Sweden
;
Anders Gustafsson
;
Lund Univ.
;
Lund
;
Sweden
;
Ivan Maximov
;
Lund Univ.
;
Lund
;
Sweden
;
Lars Montelius
;
Lund Univ.
;
Lund
;
Sweden
;
Stefan Nilsson
;
Lund Univ.
;
Lund
;
Sweden
会议名称:
《Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication》
|
1992年
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