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NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding
NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding
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1.
TOWARDS AN ATOMIC SCALE UNDERSTANDING OF DEFECTS AND TRAPS IN OXIDE/NITRIDE/OXIDE AND OXYNITRIDE SYSTEMS
机译:
朝着原子规模对氧化物/氮化物/氧化物和氧氮化物体系中的缺陷和陷阱的理解
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
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1998年
2.
OPTICALLY INDUCED SWITCHING IN BISTABLE STRUCTURES: HEAVILY DOPED n~+- POLYSILICON - TUNNEL OXIDE LAYER - n - SILICON
机译:
双稳态结构的光学诱导切换:重掺杂N〜+ - 多晶硅 - 隧道氧化物层 - N - 硅
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
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1998年
3.
HETEROJUNCTION Al/SiO_2/n-Si DEVICE AS AN AUGER TRANSISTOR
机译:
异质结AL / SIO_2 / N-SI器件作为螺旋晶体管
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
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1998年
4.
ELECTRICAL DEFECTS AT THE SiO_2/Si INTERFACE STUDIED BY EPR
机译:
EPR研究的SiO_2 / SI接口处的电气缺陷
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
5.
Tunneling transport and reliability evaluation in extremely thin gate oxides
机译:
极薄的栅极氧化物中的隧道运输和可靠性评估
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
6.
Endurance of EEPROM-cells using ultrathin NO and NH_3 nitrided tunnel oxides
机译:
使用超薄NO和NH_3氮化隧道氧化物的EEPROM-细胞的耐久性
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
7.
LOCAL TUNNEL EMISSION ASSISTED BY INCLUSIONS CONTAINED IN BURIED OXIDES
机译:
掩埋氧化物中包含的夹杂物辅助的本地隧道发射
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
8.
THERMAL ROUTES TO ULTRATHIN OXYNITRIDES
机译:
热线氧化氧氮化物
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
9.
MEDIUM ENERGY ION SCATTERING STUDIES OF SILICON OXIDATION AND OXYNITRIDATION
机译:
硅氧化和氧氮化的中等能离子散射研究
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
10.
Modelling the oxide and the oxidation process: Can silicon oxidation be solved?
机译:
涂上氧化物和氧化过程:可以解决硅氧化吗?
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
11.
Interaction of O_2 and N_2O with Si during the early stages of oxide formation
机译:
O_2和N_2O在氧化物形成早期与SI的相互作用
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
12.
Chemical perspectives on growth and properties of ultrathin SiO_2 layers
机译:
超薄SiO_2层生长和性质的化学视角
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
13.
HYDROGENOUS SPECIES AND CHARGE DEFECTS IN THE Si-SiO_2 SYSTEM
机译:
Si-SiO_2系统中的氢物种和电荷缺陷
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
14.
THE INITIAL PHASES OF SiC-SiO_2 INTERFACE FORMATION BY LOW-TEMPERATURE (300 °C) REMOTE PLASMA-ASSISTED OXIDATION OF Si AND C FACES ON FLAT AND VICINAL 6H SiC
机译:
通过低温(300°C)的SiC-SiO_2界面形成的初始阶段通过低温(300°C)远程等离子体辅助氧化Si和C面上的平面和张开6小时
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
15.
Study of the Si/SiO_2 interface using positrons: present status and prospects
机译:
使用正面的Si / SiO_2界面研究:现状和前景
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
16.
A SIMPLE MODEL OF THE CHEMICAL NATURE OF BONDS AT THE Si-SiO_2 INTERFACE AND ITS INFLUENCE ON THE ELECTRONIC PROPERTIES OF MOS DEVICES
机译:
Si-SiO_2接口键的化学性质的简单模型及其对MOS器件电子特性的影响
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
17.
Core-level shifts in Si(001)-SiO_2 systems: the value of first-principle investigations
机译:
SI(001)-SIO_2系统中的核心级换档:第一原则调查的价值
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
18.
STRESS IN THE SiO_2/Si STRUCTURES FORMED BY THERMAL OXIDATION
机译:
通过热氧化形成的SiO_2 / Si结构中的应力
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
19.
Effects of the surface deposition of nitrogen on the oxidation of silicon
机译:
氮气表面沉积对硅氧化的影响
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
20.
THE ROLE OF HYDROGEN IN THE FORMATION, REACTIVITY AND STABILITY OF SILICON (OXY)NITRIDE FILMS
机译:
氢在硅(氧)氮化硅膜的形成,反应性和稳定性中的作用
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
21.
LOW TEMPERATURE ULTRATHIN DIELECTRICS ON SILICON AND SILICON CARBIDE SURFACES: FROM THE ATOMIC SCALE TO INTERFACE FORMATION
机译:
硅和碳化硅表面的低温超薄电介质:从原子秤到界面形成
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
22.
A theoretical model of the Si/SiO_2 interface
机译:
SI / SIO_2接口的理论模型
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
23.
ULTRATHIN DIELECTRICS IN SILICON MICROELECTRONICS
机译:
硅片微电子中的超薄电介质
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
24.
Scanning tunneling microscopy on oxide and oxynitride formation, growth and etching of Si surfaces
机译:
在氧化物和氧氮化物形成,生长和蚀刻Si表面扫描隧穿显微镜
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
25.
A NEW MODEL OF PHOTOELECTRIC PHENOMENA IN MOS STRUCTURES
机译:
MOS结构中光电现象的新模型
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
26.
Surface, interface and valence band of ultra-thin silicon oxides
机译:
超薄硅氧化物的表面,界面和价带
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
27.
THE CURRENT STATUS AND FUTURE TRENDS OF SEMOX/SOI, NEW TECHNOLOGICAL APPLICATIONS OF THE SIC/SOI SYSTEM
机译:
SEMOX / SOI的当前状态和未来趋势,SIC / SOI系统的新技术应用
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
28.
POINT DEFECT GENERATION DURING Si OXIDATION AND OXYNITRIDATION
机译:
Si氧化和氧偶氮期间的点缺陷产生
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
29.
FUTURE TRENDS IN SiC-BASED MICROELECTRONIC DEVICES
机译:
基于SIC的微电子器件的未来趋势
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
30.
NITROGEN IN ULTRA THIN DIELECTRICS
机译:
超薄电介质中的氮气
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
31.
CHALLENGES IN THE OXIDATION OF STRAINED SiGe LAYERS
机译:
应变SiGe层氧化在氧化中的挑战
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
32.
SYNCHROTRON AND CONVENTIONAL PHOTOEMISSION STUDIES OF OXIDES AND N_2O OXYNITRIDES
机译:
同步氧化物和N_2O氧氮化的同步电解研究
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
33.
Spatially-selective incorporation of bonded-nitrogen into ultra-thin gate dielectrics by low-temperature plasma-assisted processing
机译:
通过低温等离子体辅助加工在空间 - 选择性掺入粘合剂 - 氮气进入超薄栅极电介质
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
34.
Hydrogen-induced donor states in the mos system: Hole Traps, Slow States and Interface States
机译:
MOS系统中的氢诱导的供体状态:孔陷阱,慢态和界面状态
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
35.
THE INTERACTION OF OXYGEN WITH SI(IOO) IN THE VICINITY OF THE OXIDE NUCLEATION THRESHOLD
机译:
氧气与Si(IOO)的相互作用在氧化物成核阈值附近
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
36.
RADIATION INDUCED BEHAVIOR IN MOS DEVICES
机译:
辐射诱导MOS装置的行为
会议名称:
《NATO advanced research workshop on fundamental aspects of ultrathin dielectrics on si-based devices : Towards an atomic scale understanding》
|
1998年
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