机译:通过在n-Si衬底上旋转TIPS并五苯薄膜形成的异质结器件的结构和电性能
机译:上位N-SI / P-CUINS2异质结器件
机译:MOOX / A-Si:H(i)/ n-Si异质结的空穴传输机制:“S形”行为的源
机译:异质结AL / SIO_2 / N-SI器件作为螺旋晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:快速热氧化制备p-Ag2O / n-Si异质结器件的制备与表征
机译:异质结双极晶体管制作工艺流程的研究与优化。应用于高速设备