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International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors
International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors
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1.
Experimental investigation of the rapid thermal process slip window
机译:
快速热处理滑动窗的实验研究
作者:
Shepard Joseph F.
;
Muth William A.
;
MacNish Shawn
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
2.
Characterization of nickel silicide transition behavior using non-contact CGS metrology
机译:
使用非接触式CGS计量表征镍硅化物转变行为的表征
作者:
Owen David M.
;
Hebb Jeff
;
Shetty Shrinivas
;
Yun Wang
;
Van Le
;
Binder Robert
;
Giedigkeit Rainer
;
Waidmann Stephan
;
Richter Inka
;
Dittmar Kornelia
;
Prinz Hartmut
;
Weisheit Martin
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
3.
Furnace annealing effects in the formation of titanium silicide Schottky barriers
机译:
炉退火效果在形成钛硅化钛肖特基障碍
作者:
Barbarini Elena
;
Guastella Salvatore
;
Pirri Candido F.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
4.
A novel hydrogen rich interfacial layer to downscale high-K dielectrics
机译:
一种新的氢富型界面层,以降低高k电介质
作者:
Shao Wei Wang
;
Wang Y.R.
;
Lin Charles CL
;
Huang Frank CC
;
Chan Michael
;
Chan Lon Yang
;
Wu J Y
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
5.
Investigation of the temperature coefficient of electrical resistance and 1/f noise of laser-annealed amorphous silicon layers
机译:
激光退火非晶硅层电阻温度系数的研究及1 / F噪声
作者:
Foerster J.
;
Vogt H.
;
Grabmaier A.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
6.
Full Device Exposure Laser Thermal Annealing: High performance and high yield junction formation process
机译:
全设备暴露激光热退火:高性能和高产结形成过程
作者:
Huet K.
;
Boniface C.
;
Negru R.
;
Aing P.
;
Venturini J.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
7.
RTP conference achievement awards
机译:
RTP会议成就奖
作者:
{missing}
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
8.
Model-based temperature control of heated plates
机译:
基于模型的加热板温度控制
作者:
Ebert J. L.
;
van der Linden G. W.
;
de Roover D.
;
Porter L. L.
;
Kosut R. L.
;
Emami-Naeini A.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
9.
Pure-boron chemical-vapor-deposited layers: A new material for silicon device processing
机译:
纯硼化工 - 蒸汽沉积层:用于硅装置加工的新材料
作者:
Nanver L.K.
;
Scholtes T. L. M.
;
Sarubbi F.
;
de Boer W.B.
;
Lorito G.
;
Sakic A.
;
Milosavljevic S.
;
Mok C.
;
Shi L.
;
Nihtianov S.
;
Buisman K.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
10.
Ultrathin SiO
2
interface layer growth
机译:
超薄SIO
2 INM>界面层生长
作者:
Bevan M. J.
;
Curtis R.
;
Guarini T.
;
Liu W.
;
Hung S. C. H.
;
Graoui H.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
11.
Copyright page
机译:
版权页面
作者:
{missing}
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
12.
Influence of the process sequence and thermal budget on the strain of Si:C stressor layers formed by ion implantation
机译:
处理序列和热预算对离子注入形成的Si:C应力层应变的影响
作者:
Rosseel Erik
;
Ortolland Claude
;
Hikavyy Andriy
;
Schram Tom
;
Falepin Annelies
;
Hoffmann Thomas
;
Douhard Bastien
;
Moussa Alain
;
Vandervorst Wilfried
;
Ameen Mike
;
Rubin Leonard
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
13.
Formation of titanium silicide by Millisecond Anneal
机译:
通过毫秒退火形成硅化钛
作者:
Beneyton R.
;
Morin P.
;
Muthukrishnan S.
;
Larmagnac D.
;
Mayur A.
;
Richard C. T.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
14.
Process and RTP equipment design for Cu(In,Ga)Se
2
layer formation using in-situ XRD techniques
机译:
使用原位XRD技术的Cu(In,Ga)SE
2 INF>层形成的工艺和RTP设备设计
作者:
Kotschau I.M.
;
Kampmann A.
;
Hahn T.
;
Hinze J.
;
Richter E.
;
Pursche O.
;
Gorse S.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
15.
Activation of silicon wafer by excimer laser
机译:
准分子激光激活硅晶片
作者:
Paetzel Rainer
;
Brune Jan
;
Simon Frank
;
Herbst Ludolf
;
Machida Masashi
;
Shida Junichi
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
关键词:
back side illuminated image sensor;
dopant activation;
laser annealing;
shallow activation;
16.
Impact of laser anneal thermal budget on the quality of thin SiGe channels with a high Ge content
机译:
激光退火热预算对高GE含量的薄SiGe通道质量的影响
作者:
Rosseel Erik
;
Hikavyy Andriy
;
Everaert Jean-Luc
;
Witters Liesbeth
;
Mitard Jerome
;
Hoffmann Thomas
;
Vandervorst Wilfried
;
Pap A.
;
Pavelka T.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
17.
Impact of dual beam laser spike annealing parameters on nickel silicide formation characteristics
机译:
双光束激光尖峰退火参数对硅化镍的影响
作者:
Mileham Jeffrey
;
Van Le
;
Shetty Shrinivas
;
Hebb Jeff
;
Yun Wang
;
Owen Dave
;
Binder Robert
;
Giedigkeit Rainer
;
Waidmann Stephan
;
Richter Inka
;
Dittmar Kornelia
;
Prinz Hartmut
;
Weisheit Martin
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
18.
High throughput laser doping for selective emitter crystalline Si solar cells
机译:
高通量激光掺杂用于选择性发射器晶体Si太阳能电池
作者:
Oesterlin Peter
;
Jager Ulrich
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
19.
22nm node p+ USJ defect analysis with various PAI and HALO structures using laser annealing
机译:
22NM节点P + USJ使用激光退火的各种PAI和光环结构缺陷分析
作者:
Borland John
;
Tallian Milkos
;
Kosztka David
;
Pap Aron
;
Mocsar Kalman
;
Somogyi Andras
;
Nadudvari Gyorgy
;
Jastrzebski Lubek
;
Pavelka Tibor
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
20.
Location- and orientation-controlled, large single grain silicon induced by pulsed excimer laser crystallization
机译:
由脉冲准分子激光结晶引起的位置和定向控制的大型单颗粒硅
作者:
Tajari Mofrad M.R.
;
Ishihara R.
;
van der Cingel J.
;
Beenakker C.I.M.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
21.
Comparison of Solid Phase Epi (SPE) non-melt to Liquid Phase Epi (LPE) melt laser annealing for 22nm node n+ USJ formation
机译:
固相EPI(SPE)非熔体对液相EPI(LPE)熔体激光退火22NM节点N + USJ形成的比较
作者:
Borland John
;
Shishiguchi Seiichi
;
Matsuzaka Norihiko
;
Hane Masami
;
Tanjyo Masayasu
;
Oesterlini Peter
;
Mayer Jeff
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
22.
Nitric oxide rapid thermal nitridation for Flash memory applications
机译:
闪存应用的一氧化氮快速热氮化
作者:
Guarini T.
;
Bevan M.
;
Ripley M.
;
Ganguly U.
;
Date L.
;
Graoui H.
;
Swenberg J.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
23.
A 3D model for simulating temperature and stress profiles during sub-millisecond laser spike annealing
机译:
亚毫秒激光尖峰退火期间模拟温度和应力分布的3D模型
作者:
Iyengarz Krishna A.
;
Clancy Paulette
;
Thompson Michael
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
24.
Effects of cluster carbon implantation at low temperature on damage recovery after rapid thermal annealing
机译:
簇碳植入在低温下快速热退火后损伤恢复的影响
作者:
Onoda Hiroshi
;
Hamamoto Nariaki
;
Nagayama Tsutomu
;
Sakai Shigeki
;
Tanjyo Masayasu
;
Umisedo Sei
;
Koga Yuji
;
Maehara Noriaki
;
Kawamura Yasunori
;
Nakashima Yoshiki
;
Tanaka Kouhei
;
Hashino Yoshikazu
;
Hashimoto Masahiro
;
Yoshimi Hideki
;
Sezaki Shinichi
;
Reyes Jason
;
Prussin Simon
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
25.
Backside activation of power device IGBTs by microsecond-pulsed green laser annealing thermally assisted with CW diode laser
机译:
通过CW二极管激光器热辅助的微秒脉冲绿色激光退火的电力装置的背面激活
作者:
Seino T.
;
Arai Y.
;
Kobayashi N.
;
Kudo T.
;
Sano K.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
26.
Novel chlorine-enriched SiO2/Si3N4 bilayers to downscale gate dielectrics toward sub-45nm and beyond
机译:
新型氯富含SiO2 / Si3N4双层向低45nm及以外的低级栅极电介质
作者:
Wang Frank. C.C.
;
Lin Charles CL
;
Wang Y.R.
;
Shao Wei Wang
;
Tsuo Wen Lu
;
Chan Michael
;
Chan Lon Yang
;
Wu J Y
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
27.
Optimization of implant and anneal processes
机译:
优化植入物和退火过程
作者:
Prussin S.
;
Reyes J.
;
Onoda H.
;
Hamamoto N.
;
Nagayama T.
;
Tanjyo M.
;
Umisedo S.
;
Kawamura Y.
;
Hashimoto M.
;
Koga Y.
;
Maehara N.
;
Nakashima Y.
;
Yoshimi H.
;
Sezaki S.
;
Current Michael
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
28.
Investigation of Ni-based silicide formation by different dynamic surface annealing approaches
机译:
不同动态表面退火方法研究Ni基硅化物形成
作者:
Yonggen He
;
Bing Wu
;
Guobin Yu
;
Jin Lin
;
Zhang Seanf
;
Jiong-Ping Lu
;
Jingang Wu
;
JiYue Tang
;
Ganming Zhao
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
29.
Characterization of dopant activation, mobility and diffusion in advanced millisecond laser spike annealing
机译:
高级毫秒激光尖峰退火中掺杂剂活化,移动性和扩散的特征
作者:
Shaoyin Chen
;
Xiaoru Wang
;
Thompson Michael
;
Wang Yun
;
Cam Lu
;
McWhirter Jim
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2010年
30.
Variable Frequency Microwave Induced Low Temperature Dopant Activation in Ion Implanted Silicon
机译:
可变频率微波诱导离子植入硅中的低温掺杂剂活化
作者:
T. L. Alford
;
Iftikhar Ahmad
;
Robert Hubbard
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
31.
Homogeneity check of ion implantation in silicon by wide-angle ellipsometry
机译:
广角椭圆形测定法在硅中的离子植入均匀检查
作者:
M. Fried
;
G. Juhasz
;
C. Major
;
P. Petrik
;
G. Battistig
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
32.
Microwave based technique for ultra-fast and ultra-high temperature thermal processing of compound semiconductors and nano-scale Si semiconductors
机译:
复合半导体和纳米尺度Si半导体的超快速和超高温热加工的微波技术
作者:
Yong-Lai Tian
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
33.
Formation of Si-based light-emitting structures by ion implantation and pulsed treatments
机译:
通过离子植入和脉冲处理形成Si基发光结构
作者:
R. M. Bayazitov
;
R. I. Batalov
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
34.
Microwave Permittivity of As and B Implanted and Annealed Silicon
机译:
AS和B植入和退火硅的微波介电常数
作者:
B. Lojek
;
H. Song
;
T. Mulcahy
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
35.
Accurate micro Hall Effect measurements on scribe line pads
机译:
精确的Micro Hall效果测量划线垫上
作者:
F. W. Osterberg
;
D. H. Petersen
;
F. Wang
;
E. Rosseel
;
W. Vandervorst
;
O. Hansen
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
36.
Impact of Pattern and LSA Stitching Effects and Processing Parameters on Reflectance and Stress Distribution for Thermal Annealing Technologies
机译:
图案和LSA缝合效应的影响及加工参数对热退火技术反射和应力分布的影响
作者:
Jeffrey Mileham
;
James Willis
;
David M. Owen
;
Shrinivas Shetty
;
Jeff Hebb
;
Yun Wang
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
37.
Formation of thin Ni_2Si and NiSi Films Using Low Temperature Rapid Thermal Processing
机译:
使用低温快速热处理形成薄Ni_2SI和NISI薄膜
作者:
J. P. Li
;
Aaron Hunter
;
Rajesh Ramanujam
;
Michael Liu
;
Norman Tarn
;
Leonid Tertitski
;
Eric Tran
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
38.
Issues in Modeling, Supervision, and Fault Detection for Automated RTP Systems
机译:
自动RTP系统建模,监督和故障检测中的问题
作者:
Hamdi A. Awad
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
关键词:
Petri nets;
Discrete Event Systems;
Fault detection and Isolation;
RTP;
39.
Non-contact, Non-destructive Characterization of Ge Content and SiGe Layer Thickness using Multi-wavelength Raman Spectroscopy
机译:
使用多波长拉曼光谱法的Ge含量和SiGe层厚度的非接触式,非破坏性表征
作者:
Woo Sik Yoo
;
Takeshi Ueda
;
Toshikazu Ishigaki
;
Kitaek Kang
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
40.
The Effect of Die-Level Stress Variations on Device Performance
机译:
模级应力变化对器件性能的影响
作者:
David M. Owen
;
Christian Otten
;
Haowen Bu
;
Yun Wang
;
Shrinivas Sherry
;
Jeff Hebb
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
41.
22nm Node n+ SiC Stressor Using Deep PAI+C_77H_7+P_4 With Laser Annealing
机译:
22nm节点N + SIC应力源使用Deep PAI + C_77H_7 + P_4具有激光退火
作者:
John Borland
;
Masayasu Tanjyo
;
Nariaki Hamamoto
;
Tsutomu Nagayama
;
Shankar Muthukrishnan
;
Jeremy Zelenko
;
Iad Mirshad
;
Walt Johnson
;
Temel Buyuklimanli
;
Hiroshi Itokawa
;
Ichiro Mizushima
;
Kyoichi Suguro
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
42.
Millisecond Annealing of High-Performance SiGe HBTs
机译:
毫秒退火的高性能SiGE HBT
作者:
D. Bolze
;
B. Heinemann
;
J. Gelpey
;
S. McCoy
;
W. Lerch
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
43.
Diffusion and activation of Boron and Phosphorus in preamorphized and crystalline Germanium using ultra fast spike anneal
机译:
使用超快速尖锐退火的前钻石和结晶锗中硼和磷的扩散和激活
作者:
V. Mazzocchi
;
X. Pages
;
M. Py
;
J. P. Barnes
;
K. Vanormelingen
;
L. Hutin
;
R. Truche
;
P. Vermont
;
M. Vinet
;
C. Le Royer
;
K. Yckache
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
44.
Accuracy of Micro Four-Point Probe Measurements on Inhomogeneous Samples: A Probe Spacing Dependence Study
机译:
Micro 4点探针测量对非均匀样品的准确性:探测间距依赖性研究
作者:
Fei Wang
;
Dirch H. Petersen
;
Frederik W. Osterberg
;
Ole Hansen
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
45.
Boron and Phosphorus dopant activation in germanium using Laser annealing with and without preamorphization implant
机译:
硼和磷掺杂剂在锗中使用激光退火,无前瞻性植入物
作者:
V. Mazzocchi
;
C. Sabatier
;
M. Py
;
K. Huet
;
C. Boniface
;
J.-P. Barnes
;
L. Hutin
;
V. Delayer
;
D. Morel
;
M. Vinet
;
C. Le Royer
;
J. Venturini
;
K. Yckache
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
46.
Advances on 32nm NiPt Salicide Process
机译:
32nm nipt palicide过程的进展
作者:
Yi-Wei Chen
;
Nien-Ting Ho
;
Jerander Lai
;
T. C. Tsai
;
C. C. Huang
;
J. Y. Wu
;
Ben Ng
;
A. J. Mayur
;
Alex Tang
;
Shankar Muthukrishnan
;
Jeremy Zelenko
;
Helen Yang
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
47.
Application of Laser Annealing in the EU FP6 Project D-DotFET
机译:
激光退火在欧盟FP6项目D-DOTFET中的应用
作者:
L. K. Nanver
;
V. Jovanovic
;
C. Biasotto
;
J. van der Cingel
;
S. Milosavljevic
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
48.
Advances in Si Ge millisecond processing: From silicon-on-insulator to superconducting Ge
机译:
SI&GE毫秒处理的进步:从绝缘体上的超导GE
作者:
W. Skorupa
;
V. Heera
;
T. Herrmannsdorfer
;
M. Posselt
;
D. Buca
;
R. A. Minamisawa
;
S. Mantl
;
W. Anwand
;
Th. Gebel
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
49.
Time evolution of phosphorus dose loss due to interface segregation
机译:
界面隔离引起的磷剂量损失的时间演变
作者:
Ruey-Dar Chang
;
Jung-Ruey Tsai
;
Chia-Chi Ma
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
50.
Very High Magnification Optical Characterization of Global and Local Distortion of Si Wafers after Laser Spike Annealing
机译:
激光尖峰退火后Si晶片全局和局部畸变的非常高的放大光学表征
作者:
Woo Sik Yoo
;
Takeshi Ueda
;
Toshikazu Ishigaki
;
Kitaek Kang
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
51.
BACKSIDE-ACTIVATION TECHNIQUE OF POWER DEVICE IGBTs BY A MICROSECOND-PULSED GREEN LASER
机译:
微秒脉冲绿色激光器功率装置的反向激活技术
作者:
Yuko Aral
;
Takahiko Milsuda
;
Toshio Kudo
;
Kazuya Sano
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
52.
Study of sub-melt laser damage annealing using Therma-Probe
机译:
使用Therma探针退火的亚熔体激光损伤的研究
作者:
Erik Rosseel
;
Janusz Bogdanowicz
;
Trudo Clarysse
;
Wilfried Vandervorst
;
Alex Salnik
;
Sang-Hyun Han
;
Lena Nicolaides
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
53.
22nm Node p+ Junction Scaling Using B_(36)H_(44) And Laser Annealing With or W/O PAI
机译:
22nm节点P +结缩放使用B_(36)H_(44)和带有或W / O PAI的激光退火
作者:
John Borland
;
Masayasu Tanjyo
;
Nariaki Hamamoto
;
Tsutomu Nagayama
;
Shankar Muthukrishnan
;
Jeremy Zelenko
;
Iad Mirshad
;
Walt Johnson
;
Temel Buyuklimanli
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
54.
Heating and Photoionization of Silicon Structures at Laser Treatments
机译:
激光处理硅结构的加热和光相
作者:
R. M. Bayazitov
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
55.
Expanded Application Space for Laser Spike Annealing of CMOS Devices
机译:
CMOS设备的激光尖峰退火的扩展应用空间
作者:
Jeff Hebb
;
Yun Wang
;
Shaoyin Chen
;
Michael Shen
;
Senquan Zhou
;
Xiaoru Wang
;
David Owen
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
56.
Improvement of Pattern Effect by Optical-Absorption Carbon Film and Flexibly-Shaped-Pulse Flash Lamp Annealing
机译:
光学吸收碳膜和柔性脉冲闪光灯退火的改进模式效果
作者:
Shinichi Kato
;
Takayuki Aoyama
;
Takashi Onizawa
;
Kazuto Ikeda
;
Yuzuru Ohji
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
57.
Damage evolution in implanted Silicon by pulsed Excimer Laser Annealing
机译:
脉冲准分子激光退火的植入硅损伤进化
作者:
G. Fisicaro
;
A. La Magna
;
G. Piccitto
;
V. Privitera
;
K. Huet
;
J. Venturini
;
H. Besaucele
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
58.
Application and advantages of larger boron cluster ions for 22nm and beyond technology nodes
机译:
较大硼簇离子的应用和优点22nm及超出技术节点
作者:
Karuppanan Sekar
;
Wade Krull
;
Jason Chan
;
Steve McCoy
;
Jeff Gelpey
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
59.
Monitoring of local and global temperature non-uniformities by means of Therma-Probe and Micro Four-Point Probe metrology
机译:
通过Therma探针和微四点探针计量监测局部和全球温度不均匀性
作者:
Erik Rosseel
;
Dirch H. Petersen
;
Frederik W. Osterberg
;
Ole Hansen
;
Janusz Bogdanowicz
;
Trudo Clarysse
;
Wilfried Vandervorst
;
Claude Ortolland
;
Thomas Hoffmann
;
Philip Chan
;
Alex Salnik
;
Lena Nicolaides
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2009年
60.
Selective Rapid Thermal Oxidation of Silicon vs. Tungsten using Oxygen in Hydrogen
机译:
使用氢气在氢气中选择性快速热氧化硅与钨
作者:
Ripley M.
;
Balasubramanian R.
;
Tam N.
;
Yokota Y.
;
An Bae Lee
;
Tae Jung Kim
;
Chung Hun Lee
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
关键词:
Element;
Surface;
Binary;
oxidation;
reflectivity;
silicon compounds;
transmission electron microscopy;
tungsten;
RadOxtrade solution;
Si;
Si;
SiOlt;
subgt;
2lt;
/subgt;
SiOlt;
subgt;
2lt;
/subgt;
TEM observations;
W;
W;
applied materials radiancetrade chamber;
hydrogen gas;
oxygen gas;
61.
Impact of sub-melt laser annealing on Si
1-x
Ge
x
source /drain defectivity
机译:
Si
1-X / INM> GE
X / INM>源/漏极缺陷的副熔体激光退火的影响
作者:
Rosseel E.
;
Lu J.P.
;
Hikavyy A.
;
Verheyen P.
;
Hoffmann T.
;
Richard O.
;
Geypen J.
;
Bender H.
;
Loo R.
;
Absil P.
;
McIntosh R.
;
Felch S.B.
;
Schreutelkamp R.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
关键词:
Surface;
Interface;
Ge-Si alloys;
MOSFET;
annealing;
laser materials processing;
semiconductor materials;
thermal stresses;
PFET transistor;
Si;
Si;
Silt;
subgt;
1-xlt;
/subgt;
Gelt;
subgt;
xlt;
/subgt;
-Si;
SiGe-Si;
defect density;
laser annealing;
leakage current;
source-drain defectivit;
62.
Thermal Processing with Maximized Simplicity and Energy Efficiency
机译:
热加工,具有最大简单和能量效率
作者:
Malik Igor J.
;
Ouaknine Michel
;
Fukada Takashi
;
Yoo Woo Sik
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
63.
Highly Reliable Rapid Thermal Selective Gate Re-Oxidation Process of Advanced Metal Gate Stacks with Tungsten Electrode
机译:
高度可靠的快速热选择栅极重新氧化工艺,具有钨电极的先进金属栅极堆叠
作者:
Niess J.
;
Kirchner C.
;
Dietl W.
;
Meyer H.-J.
;
Nadig B.
;
Lerch W.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
关键词:
MIS structures;
elemental semiconductors;
oxidation;
reflectivity;
silicon;
tungsten;
tungsten compounds;
W-WN-Si;
W-WN-Si;
advanced metal gate stacks;
rapid thermal selective gate re-oxidation;
secondary ion mass spectroscopy;
spectral reflectivity;
temp;
Interface;
64.
The Reflectivity enhancement of Ni/Ag/(Ti or Mo)/Au Ohmic Contact for Flip-Chip Light-Emitting Diode Applications
机译:
用于倒装芯片发光二极管应用的Ni / Ag /(Ti或Mo)/ Au欧姆接触的反射率增强
作者:
Chang Liann-Be
;
Shiue Ching-Chuan
;
Jeng Ming-Jer
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
65.
Thermal Stability of Pt and C-Doped NiSi Films
机译:
PT和C掺杂NISI薄膜的热稳定性
作者:
Machkaoutsan V.
;
Pages X.
;
Bauer M.
;
Thomas S.
;
Mertens S.
;
Verheyden K.
;
Vanormelingen K.
;
Granneman E.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
66.
Effect of Thermal Annealing on the Electrically Active Profiles and Surface Roughness in Multiple Al Implanted 4H-SiC
机译:
热退火对多Al植入4H-SIC中的电活性型材和表面粗糙度的影响
作者:
Giannazzo F.
;
Roccaforte F.
;
Raineri V.
;
Salinas D.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
67.
Pattern-Dependent Heating of 3D Structures
机译:
3D结构的图案依赖性加热
作者:
Granneman E.
;
Pages X.
;
Terhorst H.
;
Verheyden K.
;
Vanormelingen K.
;
Rosseel E.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
关键词:
annealing;
elemental semiconductors;
silicon;
Si;
Si;
conduction-based system;
pattern-dependent heating;
radiation heating;
size 150 nm to 4500 nm;
spike anneals;
temperature 10 degC to 45 degC;
temperature gradient;
Element;
68.
Strengths, Weaknesses, Opportunities and Threats of the Post-Silicon Technologies
机译:
后硅技术的优势,劣势,机遇和威胁
作者:
Coffa S.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
69.
Ultra-Shallow Dopant Diffusion from Pre-Deposited RPCVD Monolayers of Arsenic and Phosphorus
机译:
来自预沉积的RPCVD单层的砷和磷的超浅掺杂剂扩散
作者:
Popadic Milos
;
Nanver Lis K.
;
Scholtes T.L.M.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
70.
Widening of FUSI RTP Process Window by Spike Anneal
机译:
通过Spike退火扩展Fusi RTP流程窗口
作者:
Lauwers A.
;
Mertens S.
;
Absil P.
;
Chiarella T.
;
Hoffmann T.
;
Kubicek S.
;
de Marneffe J.F.
;
Brijs B.
;
Vrancken C.
;
Biesemans S.
;
Kittl J.
;
Verheyden K.
;
Vanormelingen K.
;
Granneman E.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
71.
Investigation of Excimer Laser Annealing of Si using Photoluminescence at Room Temperature
机译:
室温下光致发光的Si准分子激光退火研究
作者:
Bourdon H.
;
Halimaoui A.
;
Venturini J.
;
Gonzatti F.
;
Dutartre D.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
72.
Highly Active Junctions Formed in Crystalline Silicon by Infrared Laser Annealing
机译:
通过红外激光退火形成在晶体硅中形成的高度有源结
作者:
Mannino G.
;
La Magna A.
;
Privitera V.
;
Christensen J.S.
;
Vines L.
;
Svensson B.G.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
关键词:
boron;
diffusion;
interstitials;
laser beam annealing;
rapid thermal annealing;
silicon;
B;
B;
Si;
Si;
boron interstitial;
clusters formation;
crystalline silicon;
diffusion length;
highly active junctions;
infrared laser annealing;
millisecond annea;
Element;
Element;
73.
Effect of Low Temperature Annealing Prior to Non-melt Laser Annealing in Ultra-shallow Junction Formation
机译:
低温退火在超浅浅接线形成中的非熔体激光退火效果
作者:
Fukaya Takumi
;
Yamada Ryuta
;
Tanaka Yuki
;
Matsumoto Satoru
;
Suzuki Toshiharu
;
Fuse Gensyu
;
Kudo Toshio
;
Sakuragi Susumu
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
74.
Excimer Laser Annealing of Ion-Implanted Silicon: Dopant Activation, Diffusion and Defect Formation
机译:
离子植入硅的准分子激光退火:掺杂剂活化,扩散和缺陷形成
作者:
Monakhov E.V.
;
Svensson B.G.
;
La Magna A.
;
Alippi P.
;
Italia M.
;
Privitera V.
;
Fortunato G.
;
Mariucci L.
;
Tumisto F.
;
Kuitunen K.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
75.
High-Activation Laser Anneal Process for the 45nm CMOS Technology Platform
机译:
45nm CMOS技术平台的高激光激光退火工艺
作者:
Bidaud M.
;
Bono H.
;
Chaton C.
;
Dumont B.
;
Huard V.
;
Morin P.
;
Proencamota L.
;
Ranica R.
;
Ribes G.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
76.
Bi-Directional Reflectivity of Surfaces with Anisotropic Roughness on the Wafer Backside
机译:
晶圆背面各向异性粗糙度的双向反射率
作者:
Hsu Pei-feng
;
Buchanan Robert R.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
77.
Temperature Dependent Reaction of Thin Ni-Silicide Transrotational Layers on 001Si
机译:
薄Ni-硅化物转块层对001 Si的温度依赖性反应
作者:
Alberti Alessandra
;
Bongiorno Corrado
;
Alippi Paola
;
La Magna Antonino
;
Spinella Corrado
;
Rimini Emanuele
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
78.
Impact of sub-melt laser annealing on Si
1-x
Ge
x
source /drain defectivity
机译:
Si
1-X / INM> GE
X / INM>源/漏极缺陷的副熔体激光退火的影响
作者:
Rosseel E.
;
Lu J.P.
;
Hikavyy A.
;
Verheyen P.
;
Hoffmann T.
;
Richard O.
;
Geypen J.
;
Bender H.
;
Loo R.
;
Absil P.
;
Intosh R. Mc
;
Felch S. B.
;
Schreutelkamp R.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
79.
New Tool and New Process for Ultra High Performance for Metal/High-K Gate Dielectric Stack for Sub-45 nm CMOS Manufacturing
机译:
用于金属/高k栅极介质堆栈的超高性能的新工具和新工艺,用于SUB-45 NM CMOS制造
作者:
Venkateshan A.
;
Singh R.
;
Poole K.F.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
80.
Characterization of nitrided gate oxides under manufacturing conditions
机译:
制造条件下氮化栅氧化物的表征
作者:
Hayn Regina
;
Storbeck Olaf
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
81.
Aiming for the Best Matching Between Ultra-Shallow Doping and Milli-To Femto-Second Activation
机译:
针对超浅掺杂和毫到毫微微第二激活的最佳匹配
作者:
Mizuno Bunji
;
Sasaki Yuichiro
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
82.
Characteristics of Silicon Oxide Gate MOS Capacitors Formed by Rapid Thermal Oxidation and Annealing
机译:
通过快速热氧化和退火形成的氧化硅栅极MOS电容器的特性
作者:
Cavarsan F.A.
;
Toma A.
;
Fo J.G.
;
Diniz J.A.
;
Doi I.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
关键词:
Fourier transform spectra;
MOS capacitors;
current density;
infrared spectra;
insulating thin films;
leakage currents;
oxidation;
rapid thermal annealing;
silicon compounds;
transmission electron microscopy;
Fourier transform infrared spectra;
SiOlt;
subgt;
2lt;
/subgt;
SiOlt;
s;
83.
Virtual Metrology in RTP with WISR
机译:
RTP中的虚拟计量与WISR
作者:
Aderhold Wolfgang
;
Iliopoulos Ilias
;
Hunter Aaron
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
84.
Characterization of Nickel Silicides Produced by Millisecond Anneals
机译:
毫秒退火生产的镍硅化物的表征
作者:
Adams Bruce
;
Jennings Dean
;
Ma Kai
;
Mayur Abhilash J.
;
Moffatt Steve
;
Nagy Stephen G
;
Parihar Vijay
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
85.
Implants of ClusterBoron and ClusterCarbon materials for USJ applications - a study with various anneal techniques
机译:
用于USJ应用的Clusterboron和ClusterCarbon材料的植入物 - 各种退火技术的研究
作者:
Karuppanan Sekar
;
Wade Krull
;
Tom Horsky
;
Jason Chan
;
Steve McCoy
;
Jeff Gelpey
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
86.
15th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors
机译:
15
TH SUP> IEEE国际半导体高级热处理国际会议
作者:
anonymous
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
关键词:
curing;
diffusion;
laser beam annealing;
nanostructured materials;
rapid thermal annealing;
semiconductor doping;
thermal stability;
IEEE International Conference;
advanced logic technologies;
advanced thermal processing;
curing;
diffusion;
interface engineering;
las;
87.
Applied Materials'' Product Portfolio and Roadmap
机译:
应用材料的产品组合和路线图
作者:
Hunter Aaron
;
Zelenko Jeremy
;
Mani Rajesh
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
88.
Laser Annealing of Power Devices
机译:
电力器件的激光退火
作者:
Friedrich D.
;
Bernt H.
;
Hanssen H.
;
Oesterlin P.
;
Schmidt H.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
关键词:
boron;
doping profiles;
insulated gate bipolar transistors;
laser beam annealing;
phosphorus;
power bipolar transistors;
secondary ion mass spectra;
Si:B;
Si:P;
dopant activation;
frequency doubled Yb:YAG laser;
insulated gate bipolar transistor;
phosphorous doped f;
89.
Laser annealing of a-Si for realization of polycrystalline Si film on plastic substrate
机译:
A-Si激光退火实现塑料基材上多晶硅膜的实现
作者:
Mangano F.
;
Caristia L.
;
Costa N.
;
Camalleri M.
;
Ravesi S.
;
Scalese S.
;
Bagiante S.
;
Privitera V.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
90.
New Approaches to Ultra Shallow Junction Formation by Molecular Implantation and Millisecond Laser Spike Annealing
机译:
分子植入和毫秒激光尖峰退火的超浅结形成新方法
作者:
Variam N.
;
Kontos A.
;
Arevalo E.
;
Hatem C.
;
Shaoyin Chen
;
Yun Wang
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
关键词:
CMOS integrated circuits;
boron;
ion implantation;
laser beam annealing;
semiconductor junctions;
JkJk:B;
device scalability;
dopant concentration;
drive current;
extension junctions;
ion implantation;
junction depth;
junction leakage;
millisecond laser spike anneali;
91.
Role of Temperature on the Morphology and the Chemical Composition of C-based Nanostructures: From Nanocolumns to Nanotubes
机译:
温度对C基纳米结构的形态和化学成分的作用:从纳米柱到纳米管
作者:
Scalese S.
;
Scuderi V.
;
Simone F.
;
Pennisi A.
;
Compagnini G.
;
Privitera V.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
92.
Nodal and Spatial Analysis for a Compact Thermal Modeling Methodology
机译:
紧凑型热建模方法的节点和空间分析
作者:
Krishnamoorthy Shriram
;
Chowdhury Masud H.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
93.
Wafer Level Curing of Polymer Dielectrics with Variable Frequency Microwaves
机译:
具有可变频率微波的聚合物电介质的晶片级固化
作者:
Hubbard R.L.
;
Garard R.S.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
关键词:
adhesion;
brittleness;
cracks;
curing;
dielectric thin films;
elongation;
interface phenomena;
photoresists;
polymer films;
shrinkage;
brittleness;
cured film properties;
dielectric films;
elongation;
epoxy-based films;
film cracking;
interfacial adhesion;
photoresists;
p;
94.
Effect of He Induced Nanovoid on B Implanted in Si: The Microscopic Mechanism
机译:
Si中植入B植入B中B的培养基:微观机制
作者:
Bruno E.
;
Mirabella S.
;
Priolo F.
;
Giannazzo F.
;
Raineri V.
;
Napolitani E.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
95.
Silicon Laser Annealing by a Two-Pulse Laser System with Variable Pulse Offsets
机译:
具有可变脉冲偏移的双脉冲激光系统的硅激光退火
作者:
Gonda V.
;
Slabbekoorn J.
;
Nanver L.K.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
96.
Implants of ClusterBoron庐 and ClusterCarbon驴 materials for USJ applications - a study with various anneal techniques
机译:
USJ应用的ClasterBoron庐和ClusterCarbon驴材料的植入物 - 各种退火技术的研究
作者:
Sekar K.
;
Krull W.
;
Horsky T.
;
Chan J.
;
McCoy S.
;
Gelpey J.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
关键词:
MOS integrated circuits;
annealing;
ion implantation;
solid phase epitaxial growth;
transmission electron microscopy;
ClusterBoron;
ClusterCarbon;
PMOS ultrashallow junction;
TEM;
diffusion-less anneals;
flash-assisted anneals;
high temperature spike anneal;
ion imp;
97.
Laser Annealing of Power Devices
机译:
电力器件的激光退火
作者:
Friedrich Detlef
;
Bernt Helmut
;
Hanssen Henning
;
Oesterlin Peter
;
Schmidt Henning
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
98.
Millisecond processing beyond chip technology: From electronics to photonics
机译:
超越芯片技术的毫秒处理:从电子设备到光子
作者:
Skorupa W.
;
Anwand W.
;
Posselt M.
;
Prucnal S.
;
Rebohle L.
;
Voelskow M.
;
Zhou S.
;
McMahon R. A.
;
Smith M.
;
Gebel T.
;
Hentsch W.
;
Fendler R.
;
Luthge T.
;
Satta A.
;
Borseth T. Moe
;
Kuznetsov A. Yu.
;
Svensson B.G.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
99.
Nodal and Spatial Analysis for a Compact Thermal Modeling Methodology
机译:
紧凑型热建模方法的节点和空间分析
作者:
Krishnamoorthy S.
;
Chowdhury M.H.
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
关键词:
integrated circuit modelling;
integrated circuit reliability;
temperature distribution;
aggressive scaling;
compact thermal modeling;
die level;
heat dissipation;
integrated circuits technology;
nodal analysis;
nonuniform temperature distribution;
reliability;
spat;
100.
Defect Generation and Evolution in Laser Processing of Si
机译:
SI激光加工的缺陷生成和演变
作者:
La Magna A.
;
Privitera V.
;
Mannino G.
;
Fortunato Guglielmo
;
Cuscuna Massimo
;
Svensson B. G.
;
Monakhov E.
;
Kuitunen K.
;
Slotte J.
;
Tuomisto F.
;
RTP
会议名称:
《International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2007年
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