机译:使用先进的TCAD对28 nm高k /金属栅CMOS技术的结合RTA /激光退火条件的USJ形成进行过程和器件仿真
机译:光热模拟用于研究先进CMOS技术中亚熔融激光退火工艺引起的图案效应
机译:光热模拟用于研究先进CMOS技术中亚熔融激光退火工艺引起的图案效应
机译:适用于45nm CMOS技术平台的高激活激光退火工艺
机译:具有45nm CMOS SOI技术的具有32:1串行器的2位1Gsps ADC阵列
机译:基于CMOS的小型颗粒物感测平台成像仪和实时图像处理
机译:使用p型和n型气相掺杂和亚熔体激光退火技术用于32 nm以下CMOS技术中的延伸结