掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
其他
>
Symposia on III-V nitride materials and processes
Symposia on III-V nitride materials and processes
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
共
21
条结果
1.
Computational materials science, an increasingly reliable engineering tool: example, phase diagrams of nitide alloys
机译:
计算材料科学,越来越可靠的工程工具:示例,氮化物合金的相图
作者:
A.Shr
;
M.van Schilfgaarde
;
M.A.Berding
;
A.-B.Chen
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
2.
Plasma etching of III-V nitrides
机译:
等离子体蚀刻III-V氮化物
作者:
Charles R.Eddy
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
3.
Auger and electrical analysis of metal contacts to P-GAN
机译:
螺旋钻和金属触点的电气分析到P-GaN
作者:
D.J.Kingl L.Zhang
;
J.C.Ramer
;
A.Rice
;
K.J.Malloy
;
S.D.Hersee
;
L.F.Lester
;
mark Wood
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
4.
Growth of builk, polycrystalline gallium nitride and indium nitride at sub-atmospheric pressure
机译:
Builk,多晶镓氮化镓和氮化铟处的亚常压压力的生长
作者:
Brian D.Schultz
;
Alberto Argoitia
;
Cliff C.Hayman
;
John C.Angus
;
Jeffrey S.Dyck
;
Kathleen Kash
;
Nan Yang
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
5.
Thermodynamic analysis of the Ga-N system
机译:
GA-N系统的热力学分析
作者:
A.V.Davydov
;
T.J.Anderson
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
6.
STemperature effect of metal contacts on GaN
机译:
金属触点对GaN的温度效应
作者:
F.Ren
;
S.N.G.Chu
;
J.R.Lothian
;
S.J.pearton
;
C.R.Abernathy
;
A.G.Baca
;
J.han
;
M.J.Schurman
;
M.Hong
;
X.A.Cao
;
B.P.Gila
;
T.M.Ake
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
7.
Ultraviolet hotocomducting detectors based on ordered Al_xGa_(1-x)N films grown by modelcular beam epitaxy
机译:
紫外线热变压检测器基于型号射线外延生长的有序AL_XGA_(1-X)N的膜
作者:
M.Misra
;
D.Korakakis
;
H.M.Ng
;
T.D.moustakas
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
8.
In-situ monitoring during mocvd of algan
机译:
Algan Mocvd期间的原位监测
作者:
Jung Han
;
J.J.Figiel
;
M.H.Crawford
;
J.A.Floro
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
9.
Cubic GSaN growth on very thin SiC-coated Si (001) substrates
机译:
非常薄的SiC涂层Si(001)基板上的立方GSAN生长
作者:
M.Tamura
;
Y.Hiroyama
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
10.
Distributed bragg reflectors based on AlN/GaN multilayers
机译:
基于ALN / GAN多层的分布式布拉格反射器
作者:
H.M.Na
;
D.Doppalapudi
;
D.Iliopoulos
;
T.D.Moustakas
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
11.
Ni/Pt ohmic contacts to p-GaN
机译:
ni / pt欧姆接触P-GaN
作者:
H.S.Venugopalan
;
S.E.Mohney
;
R.F.Karlicek
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
12.
Low deffect density gan-based substrates grown by hvpe
机译:
HVPE生长的低Deffect密度GaN基底
作者:
R.P.Vaudo
;
V.M.Phanse
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
13.
High temperature stable W and WSi_x contacts on n-and p-GaN
机译:
高温稳定W和N-and P-GaN的触点和WSI_X触点
作者:
X.A.Cao
;
F.Ren
;
S.J.Pearton
;
A.Zeitouny
;
M.Eizenberg
;
J.C.Zolper
;
C.R.Abernathy
;
J.Hanl
;
R.J.Shul
;
J.R.Lothian
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
14.
Thrading defect reduction in laterallyt overgrown GaN films by hydride varpor phase epitaxy
机译:
通过氢化物气相外延产生横向超越的GaN薄膜的缺陷减少
作者:
D.Doppalapudi
;
K.J.Nam
;
A.Sampath
;
Raj Singh
;
H.M.Ng
;
S.N.Basu
;
T.D.Moustakas
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
15.
A new infrared reflection technique for characterization of GaN epitaxial films
机译:
一种新的红外反射技术,用于表征GaN外延薄膜
作者:
J.A.Bardwell
;
C.Dharma-wardana
;
B.leathem
;
S.Moisa
;
J.B.Webb
;
B.Tam
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
16.
Exafs and exafs studies of GaN and its alloys
机译:
GaN及其合金的EXAFS和EXAFS研究
作者:
M.Katsikini
;
E.C.Paloura
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
17.
Study of phase separation and ordering in InGaN alloys
机译:
Ingan合金相分离和排序研究
作者:
S.N.Basu
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
18.
Piexoelectric effects in AlGaN/GaN-based heterostructure field effect transistors
机译:
基于AlGan / GaN的异质结构场效应晶体管的压电效应
作者:
M.S.Shur
;
A.D.Bykhovski
;
R.Gaska
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
19.
Spectroscopic studies of the electronic structure of wurtzite GaN and Al_xGa_(1-x)N
机译:
紫立岩GaN的电子结构的光谱研究和AL_XGA_(1-x)n
作者:
Kevin E.Smith
;
Laurent-C.Duda
;
Cristian B.Stagarescu
;
Sarnjeet S.Dhesi
;
James Downes
;
R.S.Ingh
;
D.Doppalapudi
;
Theodore D.Moustakas
;
J.H.Guo
;
Joseph Nordgren
;
Tonica Valla
;
Peter D.Johnson
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
20.
An investigation of the thermal oxides on gallium nitride grown under various oxidizing ambients
机译:
在各种氧化水下生长的氮化镓中热氧化物的研究
作者:
E.D.Readinger
;
S.D.Wolter
;
S.E.Mohney
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
21.
Single crystal GaN substrate grown by hydride-metal organic vapor phase epitaxy (H-Movpe)
机译:
由氢化物 - 金属有机气相外延(H-MOVPE)生长单晶GaN衬底
作者:
Olga Kryliouk
;
Mike Reed
;
Mike Mastro
;
Todd Dann
;
Tim Anderson
;
Bruce Chai
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《Symposia on III-V nitride materials and processes》
|
1999年
上一页
1
下一页
意见反馈
回到顶部
回到首页