Distributed bragg reflectors based on AlN/GaN multilayers

机译：基于ALN / GAN多层的分布式布拉格反射器

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A 20.5 period distributed Bragg reflector (DBR) stack based on AlN/GaN has been grown on (0001) sapphire by electron-cyclotron-resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy (ECR-MBE). Peak reflectance up to 95

机译：基于ALN / GaN的20.5周期分布式布拉格反射器（DBR）叠层通过电子 - 回旋共振等离子体辅助分子外延（ECR-MBE）在（0001）蓝宝石上生长在（0001）。峰值反射率高达95

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来源
《Symposia on III-V nitride materials and processes》|1999年||共8页
会议地点
作者
H.M.Na; D.Doppalapudi; D.Iliopoulos; T.D.Moustakas; Electrochemical Society Inc.;
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正文语种
中图分类材料;
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机译：错误：“基于ALN / GAN多层的分布式BRAGG反射器”APPL。物理。吧。 74,1036（1999）

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