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Symposia on III-V nitride materials and processes

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1.Computational materials science, an increasingly reliable engineering tool: example, phase diagrams of nitide alloys

机译：计算材料科学，越来越可靠的工程工具：示例，氮化物合金的相图
- 作者：A.Shr;M.van Schilfgaarde;M.A.Berding;A.-B.Chen;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
2.Plasma etching of III-V nitrides

机译：等离子体蚀刻III-V氮化物
- 作者：Charles R.Eddy;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
3.Auger and electrical analysis of metal contacts to P-GAN

机译：螺旋钻和金属触点的电气分析到P-GaN
- 作者：D.J.Kingl L.Zhang;J.C.Ramer;A.Rice;K.J.Malloy;S.D.Hersee;L.F.Lester;mark Wood;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
4.Growth of builk, polycrystalline gallium nitride and indium nitride at sub-atmospheric pressure

机译：Builk，多晶镓氮化镓和氮化铟处的亚常压压力的生长
- 作者：Brian D.Schultz;Alberto Argoitia;Cliff C.Hayman;John C.Angus;Jeffrey S.Dyck;Kathleen Kash;Nan Yang;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
5.Thermodynamic analysis of the Ga-N system

机译：GA-N系统的热力学分析
- 作者：A.V.Davydov;T.J.Anderson;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
6.STemperature effect of metal contacts on GaN

机译：金属触点对GaN的温度效应
- 作者：F.Ren;S.N.G.Chu;J.R.Lothian;S.J.pearton;C.R.Abernathy;A.G.Baca;J.han;M.J.Schurman;M.Hong;X.A.Cao;B.P.Gila;T.M.Ake;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
7.Ultraviolet hotocomducting detectors based on ordered Al_xGa_(1-x)N films grown by modelcular beam epitaxy

机译：紫外线热变压检测器基于型号射线外延生长的有序AL_XGA_（1-X）N的膜
- 作者：M.Misra;D.Korakakis;H.M.Ng;T.D.moustakas;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
8.In-situ monitoring during mocvd of algan

机译：Algan Mocvd期间的原位监测
- 作者：Jung Han;J.J.Figiel;M.H.Crawford;J.A.Floro;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
9.Cubic GSaN growth on very thin SiC-coated Si (001) substrates

机译：非常薄的SiC涂层Si（001）基板上的立方GSAN生长
- 作者：M.Tamura;Y.Hiroyama;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
10.Distributed bragg reflectors based on AlN/GaN multilayers

机译：基于ALN / GAN多层的分布式布拉格反射器
- 作者：H.M.Na;D.Doppalapudi;D.Iliopoulos;T.D.Moustakas;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
11.Ni/Pt ohmic contacts to p-GaN

机译：ni / pt欧姆接触P-GaN
- 作者：H.S.Venugopalan;S.E.Mohney;R.F.Karlicek;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
12.Low deffect density gan-based substrates grown by hvpe

机译：HVPE生长的低Deffect密度GaN基底
- 作者：R.P.Vaudo;V.M.Phanse;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
13.High temperature stable W and WSi_x contacts on n-and p-GaN

机译：高温稳定W和N-and P-GaN的触点和WSI_X触点
- 作者：X.A.Cao;F.Ren;S.J.Pearton;A.Zeitouny;M.Eizenberg;J.C.Zolper;C.R.Abernathy;J.Hanl;R.J.Shul;J.R.Lothian;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
14.Thrading defect reduction in laterallyt overgrown GaN films by hydride varpor phase epitaxy

机译：通过氢化物气相外延产生横向超越的GaN薄膜的缺陷减少
- 作者：D.Doppalapudi;K.J.Nam;A.Sampath;Raj Singh;H.M.Ng;S.N.Basu;T.D.Moustakas;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
15.A new infrared reflection technique for characterization of GaN epitaxial films

机译：一种新的红外反射技术，用于表征GaN外延薄膜
- 作者：J.A.Bardwell;C.Dharma-wardana;B.leathem;S.Moisa;J.B.Webb;B.Tam;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
16.Exafs and exafs studies of GaN and its alloys

机译：GaN及其合金的EXAFS和EXAFS研究
- 作者：M.Katsikini;E.C.Paloura;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
17.Study of phase separation and ordering in InGaN alloys

机译：Ingan合金相分离和排序研究
- 作者：S.N.Basu;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
18.Piexoelectric effects in AlGaN/GaN-based heterostructure field effect transistors

机译：基于AlGan / GaN的异质结构场效应晶体管的压电效应
- 作者：M.S.Shur;A.D.Bykhovski;R.Gaska;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
19.Spectroscopic studies of the electronic structure of wurtzite GaN and Al_xGa_(1-x)N

机译：紫立岩GaN的电子结构的光谱研究和AL_XGA_（1-x）n
- 作者：Kevin E.Smith;Laurent-C.Duda;Cristian B.Stagarescu;Sarnjeet S.Dhesi;James Downes;R.S.Ingh;D.Doppalapudi;Theodore D.Moustakas;J.H.Guo;Joseph Nordgren;Tonica Valla;Peter D.Johnson;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
20.An investigation of the thermal oxides on gallium nitride grown under various oxidizing ambients

机译：在各种氧化水下生长的氮化镓中热氧化物的研究
- 作者：E.D.Readinger;S.D.Wolter;S.E.Mohney;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年
21.Single crystal GaN substrate grown by hydride-metal organic vapor phase epitaxy (H-Movpe)

机译：由氢化物 - 金属有机气相外延（H-MOVPE）生长单晶GaN衬底
- 作者：Olga Kryliouk;Mike Reed;Mike Mastro;Todd Dann;Tim Anderson;Bruce Chai;Electrochemical Society Inc.
- 会议名称：《Symposia on III-V nitride materials and processes》 | 1999年