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China Semiconductor Technology International Conference
China Semiconductor Technology International Conference
召开年:
2012
召开地:
Shanghai(CN)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1944
条结果
1.
Ultra wafer thinning and dicing technology for stacked die packages
机译:
用于堆叠模具包装的超晶片稀释和切割技术
作者:
Renfu Zhang
;
Hao Liu
;
Bo Li
;
Tetsukazu Sugiya
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
关键词:
Grinding;
Mechanical strength;
Multichip packages;
NAND flash;
Roughness;
Stealth Dicing;
Wafer thinning;
2.
No clean material for advance packaging assembly
机译:
没有清洁材料用于预先包装组件
作者:
SzePei Lim
;
Maria Durham
;
Andy Mackie
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
3.
Preventing aging of electrically conductive adhesives on metal substrate using graphene based barrier
机译:
基于石墨烯屏障预防金属基材上的导电粘合剂
作者:
Hui Ye
;
Shirong Huang
;
Zhichao Yuan
;
Xiuzhen Lu
;
Kjell Jeppson
;
Lilei Ye
;
Johan Liu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
4.
A simulation study on two-dimensional patterns with different post-OPC mask variations
机译:
不同开采后膜掩模变化的二维模式的仿真研究
作者:
Qiang Wu
;
Liwan Yue
;
Yanli Li
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
5.
Study on CMP process of glass wafers with SiO2 based slurry for trench-glass-via interposer
机译:
基于SiO2基于SiO2浆料的玻璃晶片CMP工艺研究
作者:
Chao-Chang A. Chen
;
Hong-Tsu Young
;
Ching-Hui Chiou
;
Min-Yue Xue
;
Chen-Lung Pan
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
关键词:
Chemical Mechanical Polishing;
Glass wafer;
Interposer;
SiO2 abrasive;
Trench-Glass-Via;
6.
Photolithography study for high-density integration technologies
机译:
用于高密度集成技术的光刻研究
作者:
Hiromi Suda
;
Masaki Mizutanf
;
Shin-Ichiro Hirai
;
Ken-Ichiro Mori
;
Seiya Miura
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
关键词:
2.5D integration;
3D integration;
FOWLP;
TSV;
i-line lithography tool;
7.
The comparison of the effectiveness of model-based SRAFs and rule-based SRAFs
机译:
基于模型的SRAF和规则的SRAF的有效性的比较
作者:
Yaojun Du
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
8.
Patent issues of embedded fan-out wafer/panel level packaging
机译:
嵌入式扇出晶圆/面板层面包装的专利问题
作者:
John H. Lau
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
9.
Automotive QFN packaging solution
机译:
汽车QFN包装解决方案
作者:
Tan Boo Wei
;
Lee Yoke Foo
;
Niu You Hua
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
10.
A new evaluation and control method on semiconductor risk production manufacturing period
机译:
半导体风险生产期的新评价与控制方法
作者:
Ziqian Javaer Liu
;
Hongtao H T Qian
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
11.
The next frontier in IC design: Determining (and optimizing) robustness and resilience of integrated circuits and systems
机译:
IC设计的下一个边疆:确定(和优化)集成电路和系统的鲁棒性和恢复力
作者:
Ulf Schlichtmann
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
12.
The characterization of photoresist shrinkage difference in X-Y directions with CDSEM metrology
机译:
CDSEM计量X-y方向的光致抗蚀剂收缩差异的表征
作者:
Weiming He
;
Xuelong Shi
;
Huayong Hu
;
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
13.
Study on the electrical characteristics of in situ PEALD-passivated HfO2/In0.53Ga0.47As MOSCAP and MOSFET structures
机译:
研究原位PEALD钝化HFO2 / IN0.53GA0.47AS和MOSFET结构的电气特性研究
作者:
Quang-Ho Luc
;
Po-Chun Chang
;
Huy-Binh Do
;
Yueh-Chin Lin
;
Edward Yi Chang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
14.
Solving the challenges of highly outgassing substrates in advanced packaging applications such as UBM and RDL
机译:
解决高级封装基材在UBM和RDL等高级封装基材的挑战
作者:
Mohamed Elghazzali
;
Andreas Erhart
;
Bernd Heinz
;
J??rgen Weichart
;
Albert Koller
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
15.
Impacts of random telegraph noise (RTN) on the Energy-Delay tradeoffs of logic circuits
机译:
随机电报噪声(RTN)对逻辑电路能量延迟权衡的影响
作者:
Yang Zhang
;
Xiaobo Jiang
;
Junyao Wang
;
Shaofeng Guo
;
Yichen Fang
;
Runsheng Wang
;
Mulong Luo
;
Ru Huang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
16.
Insights into the role of interface in the rheological property of underfill composites
机译:
洞察界面在底部填充复合材料流变性中的作用
作者:
Qian Quo
;
Pengli Zhu
;
Junjie Wen
;
Gang Li
;
Tianyu Wang
;
Ali Li
;
Daoqiang Daniel Lu
;
Rong Sun
;
Chingping Wong
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
17.
Electromigration failure mechanism investigation between wafer level and plackage level reliability test in AL interconects
机译:
Al互连晶圆水平与包装级可靠性测试的电迁移失效机制研究
作者:
Wang Dulin
;
Ong Cheng Nee
;
Ng Hong Seng
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
18.
Metal contamination control and reduction in plasma etching
机译:
金属污染控制和等离子体蚀刻的减少
作者:
Xingjian Chen
;
Xiao-Ming He
;
Bryan Pu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
关键词:
metal contamination;
plasma etch chamber;
plasma etching;
19.
Self-aligned double patterning (SADP) process even-odd uniformity improvement
机译:
自对齐双图案(SADP)过程均匀均匀性改进
作者:
Huayong Hu
;
Peng Wang
;
Jianyao Liu
;
Hongwei Zhang
;
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
20.
OPC convergence improvement by matrix OPC solver on high MEEF contact layer
机译:
OPC通过矩阵OPC求解器在高MEEF接触层上改进
作者:
Wanjuan Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
关键词:
Matrix OPC solver;
OPC convergence;
high MEEF;
21.
PMA effects on Al/HfO2 high-K PMOS capacitors
机译:
对Al / HFO2高k PMOS电容器的PMA效应
作者:
Lihong Xiao
;
Hao Deng
;
Fenglian Li
;
Jinhe Qi
;
Jian Zhao
;
Beichao Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
关键词:
Defects;
ESL;
HKMG;
Oxynitride;
PMA;
22.
Investigation of chemical effects in lithography
机译:
光刻化学效应的研究
作者:
Zhimin Zhu
;
Joyce Lowes
;
Vandana Krishnamurthy
;
Dan Sullivan
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
23.
Investigation into PR profile representation through method of OVL focus subtraction based on a case of Overlay AEI-ADI offset on contact layer of advanced technology node
机译:
基于高级技术节点接触层的覆盖AEI-ADI偏移的情况,通过OVL对焦减法方法研究了PR简档表示的研究
作者:
Guogui Deng
;
Jingan Hao
;
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2016年
24.
Innovative ultra fine line substrate with bump for semiconductor package
机译:
具有半导体封装凸块的创新超细线基材
作者:
Shimoishizka Nozomi
;
Nakano Takahiro
;
Hirata Katsunori
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
25.
Investigation of BEOL post etch wet cleaning for 40nm node and beyond
机译:
40nm节点及超越的BEOL后蚀刻湿清洗的研究
作者:
Wei Sheng
;
Kun Chen
;
Fang Li
;
Yefang Zhu
;
Lili Jia
;
Wenyan Liu
;
Jinxun Fang
;
Peng Albert
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
26.
An optimized W process for metal gate electrode gap filling application
机译:
金属栅电极间隙填充应用的优化W工艺
作者:
Jianhua Xu
;
Xuezhen Jing
;
Xiaoniu Fu
;
Xiaona Wang
;
Jingjing Tan
;
Ziying Zhang
;
Beichao Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
D-E-D;
Gap-fill;
Gate electrode;
Low resistivity;
Metal gate;
27.
A fast 3-D TCAD structure generation method for FinFET devices and circuits simulation
机译:
FINFET器件和电路仿真的快速3-D TCAD结构生成方法
作者:
Yuwei Gu
;
Chengqing Wei
;
Guohe Zhang
;
Xuejie Shi
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
28.
Variation-aware energy-delay optimization method for device/circuit co-design
机译:
用于设备/电路共同设计的变形感知能量延迟优化方法
作者:
Junyao Wang
;
Xiaobo Jiang
;
Xingsheng Wang
;
Runsheng Wang
;
Binjie Cheng
;
Asenov Asen
;
Lan Wei
;
Ru Huang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
29.
Discussion on overlay control for 2X nm technology node and beyond
机译:
对2X NM技术节点及超越叠加控制的讨论
作者:
Yuntao Jiang
;
Guogui Deng
;
Bin Xing
;
Gaorong Li
;
Jinan Hao
;
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
30.
Novel crosstalk minimization code for 3D IC
机译:
3D IC的新型串扰最小化代码
作者:
Yifan Zhang
;
BinBin Li
;
Bolun Zhang
;
Dongmei Xue
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
31.
Sample preparation and improvement for Die Pull test
机译:
模具拉动试验的样品制备和改进
作者:
Xiali Chen
;
Chien Wei-ting Kary
;
Bo Cheng
;
Guan Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
32.
A self-compliance RRAM device for high density cross-point array applications
机译:
用于高密度交叉点阵列应用的自友好RRAM设备
作者:
Feiyang Huang
;
Huaqiang Wu
;
Xinyi Li
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
33.
Finite element simulation for FPCB curing process
机译:
用于FPCB固化过程的有限元仿真
作者:
Zheng Zhirong
;
Kevin Cui
;
Ding Pingren
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
34.
The optimization of overlay control for beyond sub-40nm lithography processes
机译:
超出子40nm光刻工艺的覆盖控制的优化
作者:
Zhifeng Gan
;
Zhibiao Mao
;
Wuping Wang
;
Hui Zhi
;
Zhengkai Yang
;
Biqiu Liu
;
Yu Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
35.
Low power, highly linear folded mixer employing a multiple gated transistor approach for linearity enhancement
机译:
低功耗,高度线性折叠混频器采用多个门控晶体管方法,用于线性增强
作者:
Amin Najam Muhammad
;
Zhigong Wang
;
Zhiqun Li
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
MGTR;
g;
cancellation;
linearity enhancement;
36.
Barrier CMP slurry for low topography and wide process window
机译:
屏障CMP浆料低地形和宽工艺窗口
作者:
Chen Wang
;
Renjie Zhou
;
Wenting Zhou
;
Huafeng He
;
Xing Li
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
37.
Photolithography solutions for fabrication of Fin and Poly-gate in 14nm FinFET devices
机译:
14NM FinFET器件中的翅片和多栅极制造的光刻解决方案
作者:
Xiaobo Guo
;
Xianguo Dong
;
Shuxin Yao
;
Zhifeng Gan
;
Wuping Wang
;
Zhengkai Yang
;
Ermin Chong
;
Quanbo Li
;
Zhibiao Mao
;
Liang Zhang
;
Runling Li
;
Yu Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
38.
Metal layer PWOPC solution for 28nm node and beyond
机译:
28nm节点及超频的金属层PWOPC溶液
作者:
Dan Wang
;
Yu Shirui
;
Zhibiao Mao
;
Xiang Wang
;
Yanpeng Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
PWOPC;
process window;
runtime;
39.
PMMA removal selectivity to PS using dry etch approach for sub-10nm node applications
机译:
PMMA使用干蚀刻方法对PS进行选择性,用于SUB-10NM节点应用
作者:
Sarrazin Aurelien
;
Pimenta-Barros Patricia
;
Posseme Nicolas
;
Barnola Sebastien
;
Gharbi Ahmed
;
Argoud Maxime
;
Tiron Raluca
;
Cardinaud Christophe
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
40.
High voltage NLDMOS with multiple-RESURF structure to achieve improved on-resistance
机译:
具有多Resurf结构的高压NLDMO,实现改善的导通电阻
作者:
Shao-Ming Yang
;
Hema Ep
;
Mrinal Aryadeep
;
Amanullah Md
;
Gene Sheu
;
Pa Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
41.
The optimization of the high-temperature heat source for a MOCVD vacuum reactor
机译:
用于MOCVD真空反应器的高温热源的优化
作者:
Hsien-Chih Chiu
;
Chih-Kai Hu
;
Hung-I Chien
;
Li Tomi T.
;
Pi-Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
42.
Universal copper clip packaging solution for power management IC
机译:
电力管理IC通用铜夹包装解决方案
作者:
Tan Boo Wei
;
Lily Khor
;
Lu Hai Long
;
Loh Lee Jeng
;
Gu Su Hang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
43.
Calculation method of intra-field CDU and inter-field CDU revisited for advanced immersion lithography
机译:
用于高级浸入光刻的现场CDU和场场CDU的计算方法
作者:
Kaiting He
;
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
44.
Application of stress reversal of metal hardmask for 20nm and beyond
机译:
金属硬掩模应力逆转在20nm及以外的应用
作者:
Zhou Jun
;
Yu Bao
;
Gao Lin
;
Zhang Liang
;
Sun Lei
;
Zhou Haifeng
;
Fang Jingxun
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
45.
Advanced process control applications for advanced CMP process
机译:
高级CMP过程的高级过程控制应用
作者:
Jun Yang
;
Yi Shih Lin
;
Yang SiYuan Frank
;
Yi Huang
;
Qun Shao
;
Hongtao Liu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
advanced process control;
chemical mechanical polishing;
partition;
profile control;
run to run control;
safety guarding features;
46.
STI gap-fill optimization for advanced nodes
机译:
STI缺口 - 填充高级节点的优化
作者:
Jun Yang
;
Yan Yan
;
Hao Deng
;
Beichao Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
47.
Ant colony algorithm for layout decomposition in double/multiple patterning lithography
机译:
双/多图案化光刻中布局分解的蚁群算法
作者:
Xianhua Ke
;
Wen L.V.
;
Shiyuan Liu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
48.
Silver alloy wire for IC packaging solution
机译:
IC包装溶液的银合金电线
作者:
Tan Boo Wei
;
Niu You Hua
;
Wu Kang Sheng
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
49.
40nm offset spacer process optimization to improve device stability and mismatch
机译:
40nm偏移间隔工艺优化,提高器件稳定性和不匹配
作者:
Chen Ji
;
Zhibin He
;
Xubin Jing
;
Wei Liu
;
Wenlong Chang
;
Yu Zhang
;
Pang Albert
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
50.
Technology for polymer-based integrated optical interferometric sensors fabricated by hot-embossing and printing
机译:
基于聚合物的集成光学干涉传感器技术,由热压印和印刷制造
作者:
Yanfen Xiao
;
Hofmann Meike
;
Sherman Stanislav
;
Yixiao Wang
;
Hans Zappe
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
51.
Diagnosis driven approach for low yield analysis and identifying root causes for final compensation from wafer foundry
机译:
低产率分析的诊断驱动方法,识别晶圆铸造的最终补偿的根本原因
作者:
Samuel Ye
;
Jian Wu
;
Xiuquan Li
;
Liyun Qin
;
Kungang Wang
;
Shen Clayton
;
Hailing Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
52.
Development of a jet-generator and its application to angular rate sensor
机译:
喷射发生器的开发及其在角速率传感器的应用
作者:
Phan Thanh Hoa
;
Thien Xuan Dinh
;
Van Thanh Dau
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
53.
A novel Hspice macro model for the ESD behavior of gate grounded NMOS and gate coupled NMOS
机译:
栅极接地NMOS和门耦合NMOS的ESD行为的新型HSPICE宏模型
作者:
Shao Ming Yang
;
Hema Ep
;
Gene Sheu
;
Mrinal Aryadeep
;
Amanullah Md
;
Pa Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
54.
Numerical analysis for thermal field of susceptor in MOCVD reactor
机译:
MOCVD反应器中粘性剂热场的数值分析
作者:
Kuo-Hung Ho
;
Chih-Kai Hu
;
Li Tomi T.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
MOCVD;
SiC susceptor;
temperature uniformity;
55.
A new method to calculate intensity distribution in source mask optimization
机译:
一种新方法计算源掩模优化中的强度分布
作者:
Yehua Zuo
;
Jinyu Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
56.
An optimized and unified system for FPGA power-up validation to minimize post-silicon cycling time
机译:
用于FPGA电源验证的优化和统一系统,以最小化硅后循环时间
作者:
Hua Hua
;
Hongpeng Han
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
57.
40Nm contact related process optimization for defect reduction
机译:
40nm接触相关过程优化,减少缺陷
作者:
Zhibin He
;
Xubin Jing
;
Jian Cao
;
Yuming Qiu
;
Junhua Yan
;
Jun Zhou
;
Pang Albert
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
58.
Method of improving enhance alignment quality in Double Patterning with Spacer process for 14–16nm FinFET
机译:
用垫片工艺提高双图案化的增强对准质量的方法14-16nm finFET
作者:
Xianguo Dong
;
Zhibiao Mao
;
Zhengkai Yang
;
Zhifeng Gan
;
Wuping Wang
;
Xiaobo Guo
;
Liang Zhang
;
Yang Wang
;
Ermin Chong
;
Runling Li
;
Yu Zhang
;
Pang Albert
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
59.
Two-dimensional device simulation for radio frequency performance of AlGaN/GaN HEMT
机译:
AlGaN / GaN HEMT的射频性能二维器件仿真
作者:
Lin-Qing Zhang
;
Hong-Fan Huang
;
Xiao-Yong Liu
;
Jin-Shan Shi
;
Zhuo Liu
;
Sheng-Xun Zhao
;
Peng-Fei Wang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
60.
Automated test platform for FPGA Software Validation
机译:
用于FPGA软件验证的自动测试平台
作者:
Shixiao Yan
;
Yu Zhao
;
Ping Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
61.
Development of ito/layered a-P Si:H film stack for silicon heterojunction solar cells
机译:
ITO /分层A-P SI:H胶片堆的开发硅杂交太阳能电池
作者:
Shibin Gu
;
Lin Zhang
;
Jin Wang
;
Mingchong Ren
;
Yanru He
;
Juan Zhang
;
Zhan Xu
;
Guangyu Chen
;
Lingling Dai
;
Guanchao Zhao
;
Qi Wang
;
Rong Yang
;
Liwei Li
;
Yuan Meng
;
Guo Ted
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
62.
The study of Shallow Trench Isolation gap-fill for 28nm node and beyond
机译:
浅沟槽隔离间隙 - 填充28nm节点及超越的研究
作者:
Yu Bao
;
Xiaoqiang Zhou
;
Ningbo Sang
;
Tong Lei
;
Gang Shi
;
Hailan Yi
;
Bin Zhong
;
Jun Zhou
;
Fang Li
;
Yi Ding
;
Runling Li
;
Haifeng Zhou
;
Jingxun Fang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
63.
A new simulation method for single photon avalanche diode
机译:
单光子雪崩二极管的新模拟方法
作者:
Xiaopeng Xie
;
Yue Xu
;
Yang Huang
;
YuFeng Guo
;
Xiaoqing Chen
;
Heng Yue
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
64.
Bevel etch methods for BEOL peeling defect reduction
机译:
BEVEL蚀刻方法,用于减少BEOL剥离缺陷
作者:
Chenglong Zhang
;
Qiyang He
;
Haiyang Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
65.
A pseudo C-2C and CBW hybrid DAC structure used for SAR ADC
机译:
用于SAR ADC的伪C-2C和CBW杂交DAC结构
作者:
Xiaoxu Meng
;
Wenliang Geng
;
Yang Cao
;
Guoxing Wang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
66.
Ultrathin interfacial SiO2 layer process research for high-k gate last gate stacks
机译:
高k门最后栅极堆栈的超薄界面SiO2层工艺研究
作者:
Zhenping Wen
;
Tianjin Xiao
;
Hongwei Zhang
;
Yuming Qui
;
Yu Deqin
;
Junlong Kang
;
Jingxun Fang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
HKMG gate last;
Interfacial oxide;
Radical oxidation;
Spike RTO;
67.
Epitaxial Si growth on fin for NMOS device performance improvement
机译:
NMOS器件性能改进翅片外延SI生长
作者:
Gang Mao
;
Yong Li
;
Yang Rex
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
68.
Reciprocating surface grinding of semiconductor wafers: A kinematic model for grinding marks pattern
机译:
半导体晶片的往复式表面磨削:用于研磨标记和图案的运动模型
作者:
Qi Zhang
;
Zhichao Li
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
69.
The solution to enhance i-line stepper applications by improviing process overlay accuracy
机译:
通过提高过程覆盖精度来增强I-Line步进应用的解决方案
作者:
Sumiyoshi Atsushi Shigenobu Yuhei
;
Sasaki Ryo
;
Hasegawa Yasuo
;
Ushiku Kentaro
;
Sano Hirotaka
;
Takeshita Bunsuke
;
Miura Seiya
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
70.
The optimization of post etch treatment for Contact Etch process
机译:
用于接触蚀刻工艺的蚀刻后处理优化
作者:
Jing-yong Huang
;
Qi-yang He
;
Hai-Yang Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
Contact etch;
orthogonal design DOE;
polymer removal;
post etch treatment;
yield enhancement;
71.
Slurry selectivity to local thickness variations control in advanced Cu CMP process
机译:
高级CU CMP工艺中局部厚度变化控制的浆料选择性
作者:
Kuang-Wei Chen
;
Tung-He Chou
;
Syue-Ren Wu
;
Chun-Fu Chen
;
Yung-Tai Hung
;
Tuung Luoh
;
Ling-Wuu Yang
;
Tahone Yang
;
Kuang-Chao Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
72.
Advances n-type nc-Si:H layers depositing on passivation layer applied to the back surface field prepared by RF-PECVD
机译:
进步N型NC-Si:H层沉积在钝化层上施加到RF-PECVD制备的后表面场
作者:
Chia-Cheng Lu
;
Yu-Lin Hsieh
;
Pei-Shen Wu
;
Chien-Chieh Lee
;
Yen-Ho Chu
;
Jenq-Yang Chang
;
I-Chen Chen
;
Li Tomi T.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
73.
32/28nm BEOL Cu gap-fill challenges for metal film
机译:
32 / 28NM BEOL CU GAP-填补金属膜的挑战
作者:
Xuezhen Jing
;
Jingjing Tan
;
Jiquan Liu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
74.
Challenges and solutions to FinFET gate etch process
机译:
Finfet门蚀刻过程的挑战和解决方案
作者:
Qiu-Hua Han
;
Xiao-Ying Meng
;
Hai-Yang Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
75.
Intrinsic point defect behavior close to silicon melt/solid interface
机译:
靠近硅熔体/固体界面的内在点缺陷行为
作者:
Vanhellemont Jan
;
Kamiyama Eiji
;
Nakamura Kozo
;
Sueoka Koji
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
76.
Iron contamination and reusability of seed crystal for quasi-single crystalline silicon ingots for solar cells
机译:
用于太阳能电池准晶体硅锭的铁污染和可重用性
作者:
Zaoyang Li
;
Lijun Liu
;
Xiaofang Qi
;
Genxiang Zhong
;
Genshu Zhou
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
77.
Methods of line end cutting of small CD for 28nm technology
机译:
28NM技术小CD线结束切割方法
作者:
Quanbo Li
;
Xiangguo Meng
;
Jun Tian
;
Jun Huang
;
Biqiu Liu
;
Zhonghua Li
;
Runling Li
;
Yu Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
78.
Research of silicon cap for epitaxy sige in source/drain regions
机译:
源/漏区外延SiGe硅帽研究
作者:
Jianqin Gao
;
Jun Tan
;
Haifeng Zhou
;
Jingxun Fang
;
Pang Albert
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
79.
Sub-resolution assist feature (SRAF) study for active area immersion lithography
机译:
子分辨率辅助特征(SRAF)用于有源区浸入光刻的研究
作者:
Deping Kong
;
Manhua Shen
;
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
Sub-resolution assist feature (SRAF);
active area (AA);
common depth of focus;
focus process window;
image contrast;
photolithography;
reverse scattering bar (RSB);
scattering bar (SB);
80.
Compressive sensing method for production chip test
机译:
生产芯片测试的压缩传感方法
作者:
Bolun Zhang
;
Yifan Zhang
;
BinBin Li
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
81.
Method of improving dislocation for SiGe EPI process
机译:
改善SiGe EPI过程错位的方法
作者:
Xiangguo Meng
;
Quanbo Li
;
Jun Huang
;
Pang Albert
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
82.
Reliability degradation impact by ultra low-k dielectrics and improvement study for BEOL process beyond 28nm technology
机译:
超低k电介质和改进研究的可靠性降解影响BEOL工艺超过28nm技术
作者:
Fanfei Bai
;
Xinghua Song
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
BEOL process;
Reliability degradation;
reliability improvement;
ultra-low K film damage;
83.
APF hard mask distortion improvement for high aspect ratio patterning
机译:
高宽高比图案化的APF硬面膜失真改进
作者:
Yu Bing-Lung
;
YuKai Huang
;
Shing-Ann Luo
;
Yi-Sheng Cheng
;
Yung-Tai Hung
;
Tuung Luoh
;
Lin-Wuu Yang
;
Tahone Yang
;
Kuang-Chao Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
84.
Computational techniques to incorporate shot count reduction into inverse lithography
机译:
将拍摄计数减少到反相的计算技术
作者:
Xiaofei Wu
;
Shiyuan Liu
;
Lam Edmund Y.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
85.
An investigation of CeO
2
based ReRAM with p+ and n+-Si bottom electrodes
机译:
基于P
+ SUP>和N
+ SUP> -SI底电极的CEO
2 INF>基于REERAM的研究
作者:
Jin J.
;
Kakushima K.
;
Kataoka Y.
;
Nishiyama A.
;
Sugii N.
;
Wakabayashi H.
;
Tsutsui K.
;
Natori K.
;
Iwai H.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
86.
Uniformity impact on the upstream Electromigration of 40nm low-k Cu interconnect
机译:
均匀性对40nm低k Cu互连的上游电迁移的影响
作者:
Xiangfu Zhao
;
Atman Zhao
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
87.
Study of grain size and polishing performance of aluminum film as metal gate electrode
机译:
铝膜晶粒尺寸和抛光性能研究金属栅电极
作者:
Xiaoniu Fu
;
Xiaona Wang
;
Jianhua Xu
;
Wufeng Deng
;
Ziying Zhang
;
Xuezhen Jing
;
Beichao Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
Al grain size;
CMP;
different substrate;
88.
The new methodology of contact process window vericification
机译:
联系过程窗口敏感的新方法
作者:
Yi-Lung Fang
;
Siao-Ling Li
;
Hsiang-Chou Liao
;
Tuung Luoh
;
Ling-Wu Yang
;
Yang Tahone
;
Kuang-Chao Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
89.
Piezoelectric properties of ZnO / BN multilayer structures at the nanometer scale
机译:
ZnO / BN多层结构在纳米尺度下的压电性能
作者:
Cao Rongrong
;
Fang Huayong
;
Wang Fang
;
Fu Bangran
;
Feng Yulin
;
Zhang Kailiang
;
Yang Baohe
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
90.
Case study of reducing excursion yield loss
机译:
减少偏移产量损失的案例研究
作者:
Ting-Pu Tai
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
91.
The influencing factors and formation mechanism of the dark ring of monocrystal silicon cells
机译:
单晶硅细胞深环的影响因素及形成机制
作者:
Peidong Liu
;
Caijun Luo
;
Linjun Chen
;
Hao Deng
;
Rui Zhou
;
Zicheng Ma
;
Longlong Zhang
;
Liangping Deng
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
92.
Synthesis of monolayer MoS
2
with seed promoters by chemical vapor deposition at low temperature
机译:
通过在低温下通过化学气相沉积合成单层MOS
2 IM>
作者:
Gu Pinchao
;
Zhang Kailiang
;
Feng Yulin
;
Wang Fang
;
Miao Yinping
;
Han Yemei
;
Cao Rongrong
;
Zhang Hanxia
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
93.
Stress measurements on TSVs and BEoL structures with high spatial resolution
机译:
具有高空间分辨率的TSV和BEOL结构的应力测量
作者:
Vogel Dietmar
;
Auerswald Ellen
;
Auersperg Juergen
;
Rzepka Sven
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
94.
New Pcell based ring oscillator layout auto-generation method and application in advanced SPICE model verification
机译:
基于新的PCell基环振荡器布局自动生成方法和应用在高级Spice模型验证中
作者:
Cheng Jia
;
Shang Ganbing
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
95.
A study of self-aligned contact etch of NOR flash
机译:
对或闪光自对准蚀刻的研究
作者:
Erhu Zheng
;
Yiying Zhang
;
Haiyang Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
96.
The research of Risk assessment Sampling methodology combination
机译:
风险评估与取样方法组合的研究
作者:
Zhang Nicholas
;
Chou Chad
;
Guo Sherry
;
Ma Jenny
;
Kang Randy
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
97.
Mechanism of I–V asymmetry of MIM capacitors based on high-k dielectric
机译:
基于高k电介质的MIM电容器I-V不对称机理
作者:
Lau W.S.
;
Yu D.Q.
;
Wang X.
;
Wong H.
;
Xu Y.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
MIM capacitor;
asymmetry;
atomic force microscopy;
atomic layer deposition;
chemical vapor deposition;
high-k dielectric;
leakage current;
transmission electron microscopy;
98.
Investigation of a-SiOx:H films as passivation layer in heterojunction interface
机译:
异硬化界面中A-SiOx:H胶片的研究
作者:
Che-Hung Yeh
;
Yen-Ho Chu
;
Chien-Chieh Lee
;
Yu-Lin Hsieh
;
Shian-Ming Liu
;
Jenq-Yang Chang
;
I-Chen Chen
;
Li Tomi T.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
99.
Atomic layer deposition of RuO2 thin films on SiO2 using Ru(EtCp)
2
and O2 plasma
机译:
使用Ru(ETCP)
2 IM>和O2等离子体在SiO2上的原子层沉积ruo2薄膜沉积
作者:
Hao-Xiang Zhang
;
Chun-Min Zhang
;
Peng-Fei Wang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
100.
Plasma diagnostics of resonance magnetic field effects on a-Si:H thin films deposition using electron cyclotron resonance plasma
机译:
使用电子回旋谐振等离子体对A-Si:H薄膜沉积的血浆诊断对A-Si:H薄膜沉积
作者:
Hu L.C.
;
Lin Y.W.
;
Wang C.J.
;
Wei T.C.
;
Yang C.R.
;
Lee C.C.
;
Chang J.Y.
;
Chen I.C.
;
Li Tomi T.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
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