机译:退火对汽化SnS薄膜物理性能的影响
Department of Physics, Sri Venkateswara University, Tirupati 517 502, India;
机译:退火温度对热真空蒸发法制备Cu2SnSe3薄膜物理性能的影响
机译:退火对光伏应用蒸发SnS薄膜物理性能的影响
机译:各种退火方式对通过电子束蒸发沉积的ITO(In_2O_3:Sn)薄膜的微观结构和物理性能的影响
机译:退火对热蒸发Sn2Sb2S5薄膜物理性能的影响
机译:磁性生长和氧退火的SnO2:Co薄膜的物理性质。
机译:基材工艺条件和生长ZnO薄膜性能的底蛋白温度通过连续的离子层吸附和反应方法
机译:研究退火对用于光伏应用的蒸发SnS薄膜的物理性能的影响