机译:各种退火方式对通过电子束蒸发沉积的ITO(In_2O_3:Sn)薄膜的微观结构和物理性能的影响
Pontifical Catholic University of Minas Cerais (PUC Minas), Politechnical institute (iPUC), Av. Dom Jose Caspar, 500, Predio 3, 30535-610, Belo Horizonte, M.G., Brazil;
indium tin oxide; heat treatment; microstructure; electrical and optical properties;
机译:退火温度对电子束蒸发沉积Fe2 +:ZnSe薄膜性能的影响及其在调Q光纤激光器中的应用
机译:退火对光伏应用蒸发SnS薄膜物理性能的影响
机译:退火对用于电子应用的电子束蒸发多晶CdO薄膜的物理性能的影响
机译:真空退火和氧离子束对电子束蒸发沉积ITO膜电和光学性能的影响
机译:通过电子束共蒸发沉积的高温超导体薄膜的加工和表征。
机译:电子束蒸发氧化锌膜的微观结构和光学性能 - 分解和表面解吸的影响
机译:研究退火对用于光伏应用的蒸发SnS薄膜的物理性能的影响
机译:电子束沉积Nb3sn和Nb3sn-al2O3复合材料的超导特性组织。