首页> 中国专利> SnS纳米管薄膜或SnS纳米棒薄膜的制备方法

SnS纳米管薄膜或SnS纳米棒薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种SnS纳米棒/管薄膜的制备方法,沉积温度为10~18℃,湿度不高于50%。先将可溶性二价锡盐、硫代化合物依次加入去离子水或有机溶剂中,搅拌并加入柠檬酸或者柠檬酸盐,继续搅拌并加入酸调节溶液pH,使溶液澄清;再加入碱调节溶液pH至1.5,得到前驱体溶液;然后以FTO为工作电极,铂丝作为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极,在前驱体溶液中沉积,沉积过程中溶液进行间歇性搅拌,沉积后的SnS纳米薄膜用去离子水冲洗并烘干,控制沉积电压制得SnS纳米棒/管薄膜。本发明制备方法绿色环保操作简单且可严格控制操作的每一步,所用前驱体材料成本低廉,制备薄膜有利于提高其光电特性。

著录项

  • 公开/公告号CN109680314B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN201910142133.5

  • 发明设计人 王欣睿;韩博;尧科峰;曹萌;

    申请日2019-02-26

  • 分类号C25D9/04(20060101);C25D5/54(20060101);

  • 代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人顾勇华

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2022-08-23 11:28:48

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号