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公开/公告号CN109680314B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人 上海大学;
申请/专利号CN201910142133.5
发明设计人 王欣睿;韩博;尧科峰;曹萌;
申请日2019-02-26
分类号C25D9/04(20060101);C25D5/54(20060101);
代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);
代理人顾勇华
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
入库时间 2022-08-23 11:28:48
机译: Li-Sn-Mn复合正电极薄膜的锂二次电池,Li-Sn-Mn复合靶的制备方法和正电极薄膜制备方法
机译: SN-NI合金薄膜用于在锂离子电池中使用阳极及其制备方法
机译: 超宽带合金ME X Sub> SN 1-X Sub> O 2 Sub>合金半导体薄膜材料及其制备方法,应用和装置
机译:Ni-Sn薄膜(1)的Sn高含(> 30)制作:Ni-Sn薄膜交配浴组合物优化的试验
机译:使用SN3O4花状薄膜在Ti底板上使用SN3O4花朵薄膜(SN3O4 / TiO2 / Ti)的可见光光驱动光电催化剂降解酸黄17
机译:共溅射Ti-Sn薄膜阳极氧化制备Sn掺杂TiO_2纳米管的性能
机译:共电沉积Cu-Zn-Sn-Sn-Sn-sn-sn-sn-sn-sn-sn-前体组合物对太阳能电池硫化CZTS薄膜的影响
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机译:使用Cu-Zn-Sn-O前体优化CZTSSE薄膜通过掺杂的CZTS薄膜制造的薄膜
机译:sns和sns薄膜的制备和表征:硫化沉积的Bi / sns和sns的制备和表征:硫化沉积的Bi薄膜
机译:脉冲激光沉积外延sr(Ru(sub x)sn(sub 1-x))O(sub 3)薄膜电极和KNbO(sub 3)/ sr(Ru(sub x)sn(sub 1-x)) O(sub 3)双层