Cu2SnSe3纳米管阵列薄膜的制备及表征

孙海滨; 陈昊; 郜梦迪; 柴爱宁; 张伟

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Cu2SnSe3纳米管阵列薄膜的制备及表征

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一维纳米半导体材料由于其独特的物理、化学特性受到了广泛关注.首先利用在FTO透明导电基底上制备了有序且分布均匀的ZnO纳米片阵列薄膜,并以ZnO阵列薄膜为模板,制备了具有空心纳米管结构的Cu2SnSe3阵列薄膜.详细讨论了Cu2SnSe3阵列薄膜的制备过程,并利用XRD、SEM和UV-vis等对纳米管阵列薄膜的结构形貌及光学性质进行了分析.

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来源
《当代化工》|2018年第11期|2267-22692276|共4页
作者
孙海滨; 陈昊; 郜梦迪; 柴爱宁; 张伟;
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作者单位

渤海大学新能源学院, 辽宁锦州 121007;

渤海大学新能源学院, 辽宁锦州 121007;

渤海大学新能源学院, 辽宁锦州 121007;

渤海大学新能源学院, 辽宁锦州 121007;

渤海大学新能源学院, 辽宁锦州 121007;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类硫化氢及硫化物;
关键词
Cu2SnSe3; 纳米管阵列; 纳米结构; 半导体材料;
入库时间 2022-08-18 14:08:07

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