不同预退火温度对制备Cu2 SnS3薄膜材料的影响

摘要

采用射频磁控溅射技术在钠钙玻璃(SLG)上制备Sn/Cu/Sn/Cu金属预制层,将预制层置于不同温度下进行预退火处理后,对样品进行快速硫化得到Cu2SnS3(CTS)薄膜.主要研究不同的预退火温度对最终薄膜结构以及光电性能的影响,结果表明,低温预退火对快速硫化法制备高品质CTS薄膜有重要影响,当退火温度为200℃时可获得结晶质量良好晶粒尺寸大且平整致密的CTS薄膜.利用各种表征方法分别对薄膜的晶体结构、表面形貌、相的纯度和薄膜组分进行分析表征,薄膜的电学、光学性能通过霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计进行测试分析.