机译:直接在硅上沉积的锗碳薄层用于金属氧化物半导体器件
Microelectronics Research Center, UT-Austin, 10100 Burnet Road Bldg. 160, Austin, TX 78758, USA;
机译:直接在硅上生长的锗碳合金薄层,用于金属氧化物半导体器件应用
机译:碳偏析作为直接沉积在硅上的锗碳薄层中的应变松弛机制
机译:器件兼容的砷化镓在具有薄(〜80 nm)Si_(1-x)Ge_x台阶缓变缓冲层的硅衬底上的分子束外延生长,用于高κⅢ-Ⅴ型金属氧化物半导体场效应晶体管的应用
机译:用于金属氧化物半导体器件的硅上的锗碳薄层
机译:基于通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上生长的外延锗碳层的金属氧化物半导体器件。
机译:通过薄中间缓冲层在硅上沉积的优先取向BaTiO3薄膜
机译:具有原子层沉积的La2O3薄膜的器件中的硅向外扩散和铝向内扩散