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锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究

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摘要

SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性.本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究.

著录项

来源
《材料科学与工程学报》|2000年第1期|25-27,10|共4页
作者
章国强; 黄靖云; 亓震; 卢焕明; 赵炳辉; 汪雷; 叶志镇;
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作者单位

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
锗硅碳合金; 应变弛豫; 超高真空CVD;

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