首页> 中国专利> 改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法

改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法，在形成有STI区域和有源区的硅片上进行锗硅或锗硅碳外延生长，外延生长过程中通入一定量的卤化氢气体，降低锗硅或锗硅碳在STI区域的生长速率，使锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面向STI区域推移。本发明能有效减少有源区面积的损失。

著录项

公开/公告号CN102117741B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-03-13

原文格式PDF
申请/专利权人上海华虹NEC电子有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201010027233.2
发明设计人刘继全;季伟;
展开▼

申请日2010-01-06
分类号H01L21/205(20060101);H01L21/331(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人戴广志
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
入库时间 2022-08-23 09:12:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-01-08

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/205 变更前: 变更后: 登记生效日:20131216 申请日:20100106

专利申请权、专利权的转移
2013-03-13

授权

授权
2011-08-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20100106

实质审查的生效
2011-07-06

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法 [P] . 中国专利： CN102117741B . 2013.03.13
2. 改善锗硅或锗硅碳单晶体与多晶体交界面形貌的方法 [P] . 中国专利： CN102117740A . 2011-07-06
3. Producing silicon-germanium layer, comprises depositing graded silicon-germanium buffer layer on substrate made of single-crystalline silicon with surface, and depositing the silicon-germanium layer on the silicon-germanium buffer layer [P] . 德国专利： DE102008062685A1 . 2010-06-24

机译：制备硅锗层，包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层，以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
4. Growth of silicon carbide-germanium-volume mixed crystals, comprises producing silicon-, carbon- and germanium gas phase from two source materials containing silicon, carbon and germanium by sublimation and evaporation [P] . 德国专利： DE102005049932A1 . 2007-04-26

机译：碳化硅-锗-体积混合晶体的生长包括通过升华和蒸发由包含硅，碳和锗的两种原料生产硅，碳和锗气相
5. Process for obtaining a layer of single crystal germanium or silicon on single cystal silicon or germanium substrate respectively, and multilayer products thus obtained [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0930382B1 . 2002-08-21

机译：分别在单晶硅或锗衬底上获得单晶锗或硅层的方法，以及由此获得的多层产品

获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号