机译:通过面内磁场抑制Al_xGa_(1-x)N / GaN二维电子气中的弱反局部化
Institute of Bio- and Nanosystems (IBN-1) and Virtual Institute of Spin Electronics (VISel), Research Centre Juelich GmbH, 52425 Juelich, Germany;
weak or anderson localization; magnetoresistance; spin relaxation and scattering; Ⅲ-Ⅴ semiconductors;
机译:极化诱导的二维电子气在Al_xGa_(1-x)N / AlN / GaN异质结构中的弱反定位和零场电子自旋分裂
机译:具有强Rashba自旋轨道耦合的高电子迁移率Al_xGa_(1-x)N / GaN二维电子气中的弱反定位和跳动模式
机译:栅极控制的Al_xGa_(1-x)N / GaN二维电子气中的弱反局部化
机译:偏振掺杂Al_XGA_(1-X)N / GaN异质结构的弱脱氯化
机译:二维电子气在高磁场下的太赫兹时域光谱。
机译:在弱磁场和强自旋轨道耦合下二维电子气中无定域
机译:极化诱导的二维电子气在AlxGa1-xN ∕ AlN ∕ GaN异质结构中的弱反定位和零场电子自旋分裂