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Al0.22Ga0.78N/GaN 二维电子气中的弱局域和反弱局域效应

         

摘要

通过磁输运测量研究了Al0.22 Ga078N/GaN二维电子气的电子相干散射中的弱局域和反弱局域化现象.在外加弱磁场的情况下,该系统表现出正-负磁阻的变化,说明在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结中存在晶体场引起的电子自旋-轨道散射.同时讨论了二维电子气中不同的散射时间对温度的依赖关系,实验得到的非弹性散射时间与温度成反比,表明非弹性散射机理主要来源于小能量转移的电子-电子散射.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2006年第5期|2498-2503|共6页
  • 作者单位

    兰州大学物理系,兰州,730000;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    兰州大学物理系,兰州,730000;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验,北京,100871;

    北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验,北京,100871;

    北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验,北京,100871;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    二维电子气; 弱局域; 磁阻;

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