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机译:自组装单层膜修饰的60 nm沟槽图案上的铜籽晶层的保形化学沉积
Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Engineering Building 427, 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu, Seoul 133-791, Republic of Korea;
electrodeposition; self-assembled monolayer (sam); cu seed layer; 60-nm trench pattern;
机译:通过自组装单层工艺在铜籽晶层上进行铜电沉积来填充60 nm沟槽图案
机译:通过自组装单层(sam)工艺在60nm沟槽图案化的Sio_2衬底上制备Cu种子层并进行表征
机译:使用通过SAM改性化学镀和电子束蒸发沉积的Cu种子层完全填充41 nm沟槽图案
机译:在自组装单层替代屏障上的化学型Cu沉积
机译:自组装单分子层用作封盖剂和可调整的抗蚀剂,用于图案结构的位置选择性电沉积。
机译:电子束图案化的自组装单层作为模板用于铜的电沉积和剥离
机译:通过脉冲激光沉积通过纳米模具和无电沉积形成在自组装单层上的金属纳米和微图案
机译:聚合物自组装单层膜。 3.利用光刻,电化学方法和超薄自组装二乙炔抗蚀剂进行图案转移