带有具有压缩应力的保形沉积导电层的深沟槽电容器

摘要

本申请案涉及带有具有压缩应力的保形沉积导电层的深沟槽电容器。提供一种高密度深沟槽MIM电容器结构，其中例如Poly‑Si_xGe_1‑x的半导体材料的导电‑压缩‑保形施加的层穿插在MIM电容器层内以抗衡由此类MIM电容器层形成的抗拉应力。导电‑压缩‑保形施加的材料层的所述穿插适于在高密度深沟槽MIM电容器硅装置的制造过程期间抗衡硅晶片的凸状(向上)弯曲以借此帮助最大化每晶片此类装置的生产合格率。