机译:II-VI隧道绝缘体在基于砷化铟镓的金属-氧化物-半导体器件中的非易失性存储效应
机译:II-VI隧道绝缘体在基于砷化铟镓的金属氧化物半导体器件中的非易失性存储效应
机译:基于并五苯半导体和有机隧穿绝缘层的非易失性纳米浮栅存储器件
机译:基于并五苯半导体和有机隧穿绝缘层的非易失性纳米浮栅存储器件
机译:具有高K电介质的非易失性或动态随机存取存储器的金属绝缘金属器件
机译:III-VI半导体和氧化物:硒化镓,硒化铟和氧化镓的电子结构,表面形态和过渡金属掺杂。
机译:氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面制备和沉积的栅极氧化物
机译:基于金属氧化物半导体的非易失性存储器件中Au和Ag纳米颗粒的基体依赖性应变分布
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。