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贡顶; 韩峰; 王建国;
西北核技术研究所,西安,710024;
金属半导体场效应管; 砷化镓; 2维半导体模拟; 流体动力学模型; AUSM+up格式;
机译:互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容砷化镓金属 - 半导体 - 金属光电探测器(GaAs MSMPDS)在硅上使用超薄锗缓冲层进行可见光应用
机译:II-VI隧道绝缘体在基于砷化铟镓的金属氧化物半导体器件中的非易失性存储效应
机译:II-VI隧道绝缘体在基于砷化铟镓的金属-氧化物-半导体器件中的非易失性存储效应
机译:砷化镓半导体建模中的交互式工具。砷化镓
机译:基于氮化铝镓铟材料系统和新型多端子砷化镓晶闸管的半导体发光器的数值模拟。
机译:特征及模型分析金属 - 半导体 - 金属砷化镓二极管以pd /二氧化硅合剂电极
机译:利用氟掺入法在具有高k电介质的砷化镓(半导体)金属氧化物半导体电容器中钝化氧化物陷阱
机译:基于硅和砷化镓的金属氧化物半导体(mOs)电容器的扫描光电压研究
机译:场效应管金属半导体FET-具有两个栅电极,两个栅电极均控制砷化镓衬底中的源极-漏极电流
机译:场效应管制造处理特别是亚微米量子线沟道-使用两级电子束抗蚀剂系统,在抗蚀剂层中具有不同的电子曝光灵敏度,并在砷化镓层中形成栅极凹口,并在砷化铝镓沟道层中干刻蚀出孔
机译:钝化砷化镓半导体器件-使用活性砷化镓台面之间的半绝缘砷化镓沉积物
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