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张寒峭; 黄卡玛;
四川大学,电子信息学院,成都,610064;
砷化镓场效应管; 全局模型; 电磁脉冲; 时域有限差分; 热效应;
机译:形成封闭结构的模式的性质在矩形谐振器基于异质结构的InGaAs / AIGaAs /砷化镓用于高功率半导体激光器
机译:高功率,长寿命的砷化镓光电导半导体开关
机译:飞秒激光脉冲后砷化镓吸收层的形成和砷化镓向金属态的快速转变
机译:砷化镓或砷化镓注入的砷化镓中的皮秒寿命和高电阻率:快速光电应用的替代材料
机译:高功率砷化镓铝砷半导体激光器的线性,非线性和可调导波模式。
机译:特征及模型分析金属 - 半导体 - 金属砷化镓二极管以pd /二氧化硅合剂电极
机译:利用氟掺入法在具有高k电介质的砷化镓(半导体)金属氧化物半导体电容器中钝化氧化物陷阱
机译:阻挡层高度对半导体硅和砷化镓与纯金属接触摩擦行为的影响
机译:场效应管金属半导体FET-具有两个栅电极,两个栅电极均控制砷化镓衬底中的源极-漏极电流
机译:场效应管制造处理特别是亚微米量子线沟道-使用两级电子束抗蚀剂系统,在抗蚀剂层中具有不同的电子曝光灵敏度,并在砷化镓层中形成栅极凹口,并在砷化铝镓沟道层中干刻蚀出孔
机译:钝化砷化镓半导体器件-使用活性砷化镓台面之间的半绝缘砷化镓沉积物
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