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砷化镓金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析

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本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解采用藕合法,偏压步长大,计算速度快.

著录项

来源
《西安交通大学学报》 |1990年第1期|79-86|共8页
作者
陈贵灿; WangKL;
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作者单位

不详;

不详;

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正文语种 CHI
中图分类肖特基势垒栅场效应器件;
关键词
场效应晶体管; 肖特基势垒栅; 砷化镓;

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