机译:(111)和(001)Si衬底上GaN和AlN膜的生长和表征
Department of Materials Science and Engineering, Feng Chia University, Taichung 407, Taiwan, R.O.C.;
A1. characterization; A3. atomic layer epitaxy; B1. nitrides; B2. semiconducting gallium compounds;
机译:使用高温AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长和表征GaN膜
机译:通过使用富铝AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长无裂纹GaN膜
机译:,AlN缓冲层生长对(111)Si衬底上沉积的AlGaN / GaN膜的影响
机译:在具有多个AlN缓冲层的各种生长温度的Si(111)衬底上生长的GaN膜的表征
机译:银(001)和银(111)上超薄外延铬和氧化铁膜的生长和结构:通过X射线光电子衍射和低能电子衍射完成的综合研究。
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:用Al预播种AlN缓冲液在SiC / Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的生长和表征
机译:模拟氮化铝(alN)衬底上生长的氮化铝镓((al)GaN)薄膜的生长