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无;
Si衬底; 外延生长; AlN; 半导体薄膜;
机译:AlN / GaN应力缓解层的应变状态及其对100mm Si(111)上氨分子束外延生长的GaN缓冲层的影响
机译:Si(111)衬底上脉冲激光沉积AlN膜的外延生长机理
机译:(111)Cu /(111)HfN双层膜在(111)Si上的顺序外延生长和(111)HfN膜的扩散阻挡性能
机译:Si单晶体表面(100)和(111)的原子取代方法外延生长的机制和在单晶中生长的Si膜的表面上的表面(100)和(111)
机译:在铜(100),铜(111)和铜(110)上外延生长的铁的电子能量损失研究
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上的AlN纳米壁结构
机译:原位快速等温加工在(100)和(111)Inp上II-a氟化物膜固相外延生长中的作用
机译:Si100 / Si111硅蚀刻剂组合物表现出低Si100 / Si111选择性和低碳化硅蚀刻速率
机译:在Si(111)上无针孔外延生长CoSi.sub.2薄膜
机译:用于III-N外延的Si(100)晶片上具有Si(111)平面的纳米结构和纳米特征
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