机译:,AlN缓冲层生长对(111)Si衬底上沉积的AlGaN / GaN膜的影响
Heteroepitaxy; Si substrates; Growth temperature; Electron mobility;
机译:使用中温AlGaN缓冲层在(111)Si衬底上沉积AlGaN膜并在Si上优化GaN生长
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r面蓝宝石衬底上进行a面GaN膜的MOCVD生长的比较研究
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r平面蓝宝石衬底上MOCVD生长a平面GaN膜的比较研究
机译:AlN缓冲层生长对(111)Si基材沉积的AlGaN / GaN膜的影响
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:用Al预播种AlN缓冲液在SiC / Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的生长和表征