机译:通过使用富铝AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长无裂纹GaN膜
Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China;
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; LIGHT-EMITTING-DIODES; INTERMEDIATE LAYER; INTERLAYERS; STRESS; SAPPHIRE; EPITAXY; RATIO; MOCVD;
机译:通过两步生长AlN缓冲层在Si衬底上生长的高质量无裂纹GaN外延膜
机译:AlN / GaN多层膜在5“φSi(111)衬底上无裂纹GaN层生长中的作用
机译:使用高温AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长和表征GaN膜
机译:在具有多个AlN缓冲层的各种生长温度的Si(111)衬底上生长的GaN膜的表征
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:用Al预播种AlN缓冲液在SiC / Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的生长和表征