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机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的电热分析
School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 210 Technology Circle, Savannah, GA 31407, USA;
gallium nitride; HEMT; electrothermal transport; phonon population;
机译:大面积工程衬底上厚GaN外延层和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的电热评估
机译:具有分析电热I_(ds)模型的AlGaN / GaN异质结高电子迁移率晶体管的改进的准物理区域划分模型
机译:GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的GaN覆盖层厚度的性能分析
机译:新的离子与log(Ig)图的开发,以表征耗尽模式高电子迁移率晶体管,随着将非常薄的蒸发的Al层插入AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管作为示例
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:用铜填充结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热分析和操作特性:模拟研究
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。