机译:新的离子与log(Ig)图的开发,以表征耗尽模式高电子迁移率晶体管,随着将非常薄的蒸发的Al层插入AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管作为示例
机译:X射线光电子能谱研究通过在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上的AlGaN和肖特基栅极之间插入薄Al层来改善器件性能的起源
机译:在AlGaN和肖特基栅极之间插入薄Al层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管特性的影响
机译:具有覆盖层工程的单片集成增强/耗尽模式AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:新的离子与log(Ig)图的开发,以表征耗尽模式高电子迁移率晶体管,随着将非常薄的蒸发的Al层插入AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管作为示例
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌是否可能源于沟道电子的能量弛豫?
机译:载流子供应层对AlGaN / GaN / SiC高电子迁移率晶体管的载流子密度和漂移迁移率的影响
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)应力发展的电 - 热 - 力学瞬态建模(后印刷)。