机译:用于数字应用的全能门无结纳米线双栅晶体管(JN-TGT)的基于物理的漏极电流建模
Univ Delhi, Dept Elect Sci, Semicond Device Res Lab, South Campus, New Delhi 110021, India;
Univ Delhi, Dept Elect Sci, Semicond Device Res Lab, South Campus, New Delhi 110021, India;
Univ Delhi, Motilal Nehru Coll, New Delhi 110021, India;
Maharaja Agrasen Inst Technol, Dept Elect & Commun Engn, New Delhi 110086, India;
Univ Delhi, Dept Elect Sci, Semicond Device Res Lab, South Campus, New Delhi 110021, India;
Dual threshold voltage; Junctionless nanowire twin gate transistor (JNTGT); Metal oxide semiconductor (MOS); Gate-all-around (GAA);
机译:用于长通道连接纳米线晶体管的漏极电流,终端电荷和固有电容的明确连续模型
机译:在URN中制造的应变无线纳米线隧道场效应晶体管分析漏极电流模型:X-Wiley:1751858X:媒体:CDS2BF00056:CDS2BF00056-Math-0001虚拟基板
机译:勘误表“三栅极无结纳米线晶体管的基于表面电势的漏极电流分析模型”
机译:在无结纳米线晶体管的漏极电流建模中考虑短沟道效应
机译:短沟道效应抑制和处理双栅极 - 全面Si纳米线晶体管中的过程变异性
机译:静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法
机译:硅纳米线栅极全场效应晶体管低频漏电流模型分析