Short channel effects suppression and process variability in a dual-gate Gate-All-Around Si nanowire transistor

著录项

• 作者

  Rony, Mohammed Wahiduzzaman.;

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• 作者单位

  Lamar University - Beaumont.;

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• 授予单位 Lamar University - Beaumont.;
• 学科
• 学位 M.E.S.
• 年度 2016
• 页码 86 p.
• 总页数 86
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 AAI10192531;
• 关键词

  Dual-gate; Gate-all-around; Mosfet; Nanowire; Si; TCAD;

  机译：双门;全部门;MOSFET;纳米线;Si;TCAD.;