LSI/PSI University of Sao Paulo Av. Professor Luciano Gualberto trav. 3 n. 158 Sao Paulo 05508-010 Brazil;
Department of Electrical Engineering Centro Universitario da FEI Av. Humberto de Alencar Castelo Branco 3972 Sao Bernardo do Campo 09850-901 Brazil;
LSI/PSI University of Sao Paulo Av. Professor Luciano Gualberto trav. 3 n. 158 Sao Paulo 05508-010 Brazil Department of Electrical Engineering Centro Universitario da FEI Av. Humberto de Alencar Castelo Branco 3972 Sao Bernardo do Campo 09850-901 Brazil;
机译:短沟道三栅极无结纳米线晶体管的漏极电流模型
机译:无结双栅极垂直狭缝场效应晶体管的漏极电流和短沟道效应的解析模型
机译:包含短沟道效应的双栅无结场效应晶体管的统一分析漏极电流模型
机译:结漏电流建模的短频道效应的核算纳米线晶体管
机译:短沟道效应抑制和处理双栅极 - 全面Si纳米线晶体管中的过程变异性
机译:具有洛伦兹力效应的MOS晶体管的简单漏极电流模型
机译:单层基于MoS2的无结和反转模式场效应晶体管中的短沟道效应比较
机译:短沟道场效应晶体管的电流 - 电压特性。