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机译:包含短沟道效应的双栅无结场效应晶体管的统一分析漏极电流模型
IIT Kanpur, Dept Elect Engn, Kanpur 208016, Uttar Pradesh, India;
IIT Kanpur, Dept Elect Engn, Kanpur 208016, Uttar Pradesh, India;
Accumulation mode; Double-Gate Junctionless Field-Effect; Transistors (DG-JLFETs); Drain Induced Barrier Lowering (DIBL); Subthreshold Swing (SS); Unified model;
机译:长通道无结双栅晶体管的电势,阈值电压和漏极电流的分析模型
机译:无结双栅极垂直狭缝场效应晶体管的漏极电流和短沟道效应的解析模型
机译:短通道无结对称双栅场效应晶体管中亚阈值电流的半解析模型
机译:基于Landau理论的长沟道双栅负电容无结晶体管的分析漏电流模型
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:短沟道无结双栅mOsFET的二维分析模型
机译:短沟道场效应晶体管的电流 - 电压特性。