硅纳米线不同的掺杂浓度对无结场效应晶体管性能的影响

摘要

根据摩尔定律(集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍),集成电路的基本单元MOSFET的尺寸会越来越小,随之而来不仅在制作工艺上的难度加深,短沟道效应也愈发凸显,功耗也越来越大.为了解决以上问题,无结场效应晶体管(Junctionless Field Effect Tansistor)被广泛提出.该器件的源、漏沟道具有相同的掺杂类型和掺杂浓度,沿着沟道方向,不存在"结".研究结果表明,无结场效应晶体管具有开关比高、沟道迁移率高等优点,并有效抑制了短沟道效应.该论文利用三维数值模拟软件SILVACO对立体栅进行了仿真,研究了硅纳米线不同的纵向掺杂浓度对器件性能的影响.