机译:极紫外光刻中光子携带的信息与能量之间的关系:从灵敏度提高的角度考虑
Osaka Univ, Inst Sci & Ind Res, Osaka 5670047, Japan;
Osaka Univ, Inst Sci & Ind Res, Osaka 5670047, Japan;
Hokkaido Univ, Fac Grad Sch Engn, Div Quantum Sci & Engn, Sapporo, Hokkaido 0608628, Japan;
EUVL Infrastruct Dev Ctr Inc EIDEC, Tsukuba, Ibaraki 3058569, Japan;
EUVL Infrastruct Dev Ctr Inc EIDEC, Tsukuba, Ibaraki 3058569, Japan;
机译:用于极端紫外光刻的化学放大抗蚀剂能量不足区域中灵敏度提高的理论研究
机译:利用套索回归分辨率,线边缘粗糙度与极端紫外线光刻敏感性的权衡关系分析
机译:极端紫外光刻在半导体制造抗蚀剂工艺中分辨率,线边缘粗糙度和灵敏度之间的权衡关系的理论研究
机译:极紫外光子携带的信息与能量之间的关系:从灵敏度增强的角度考虑
机译:强烈的毛细管放电等离子体极紫外光源,用于极紫外光刻和其他极紫外成像应用。
机译:迈向极紫外光刻的高精度反射计
机译:极端紫外光刻化学放大抗蚀剂过程中随机现象与光学对比的关系
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。