极紫外光刻模板中光学图形位移精确度的分析及控制

摘要

极紫外光刻技术是芯片制造业在45 纳米节点以下的主要光刻技术之一。实现极紫外光刻工艺产业化的最主要困难之一在于控制极紫外光刻模板中的光学图形位移精确度。本文对极紫外光刻模板制造工艺，包括电子梁图形扫描、图形转移以及曝光前模板夹持，进行了仿真分析，对其制造工艺中所产生的光学图形位移的精确度控制进行研究。结果表明，如果在电子梁图形扫描时以及曝光前使用静电夹具对光刻模板进行夹持，则在模板制造工艺中产生的光学图形位移可以控制在10纳米以下。本文结果为极紫外光刻模板的制造工艺提供了重要的指导意义和参考依据。