机译:极端紫外光刻在半导体制造抗蚀剂工艺中分辨率,线边缘粗糙度和灵敏度之间的权衡关系的理论研究
Osaka Univ Inst Sci & Ind Res Ibaraki Osaka 5670047 Japan;
机译:利用套索回归分辨率,线边缘粗糙度与极端紫外线光刻敏感性的权衡关系分析
机译:基于分辨率,线边缘粗糙度和化学放大的极端紫外线抗蚀剂灵敏度之间的折衷关系,确定最佳热化距离
机译:基于分辨率,线边缘粗糙度和化学放大的极端紫外线抗蚀剂灵敏度之间的折衷关系,确定最佳热化距离
机译:使用机器学习分析极端紫外线光刻中分辨率,线条边缘粗糙度和灵敏度之间的权衡关系
机译:极紫外光刻中掩模的粗糙度引起的线边缘粗糙度
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:基于分辨率,线边缘粗糙度与化学扩增极紫外线抗蚀剂的折磨关系的最佳热化距离的确定