改善半导体工艺中光刻图案线条边缘粗糙度的方法

摘要

本发明提出了一种改善半导体工艺中光刻图案线条边缘粗糙度的方法，所述方法包括：在需要形成图案的半导体层上涂覆光刻胶；对所述光刻胶曝光显影，以形成带有图案的光刻胶；对所述带有图案的光刻胶进行离子注入，以形成硬掩膜；以所述硬掩膜为掩膜对所述半导体层进行刻蚀。利用本发明的工艺可以显著改善图案的线边缘粗糙度，同时工艺简单，成本低廉。