机译:电子束光刻制造16nm半间距线间距图形中曝光图案宽度对线条边缘粗糙度和随机缺陷产生的影响的理论研究
Osaka Univ, Inst Sci & Ind Res, Ibaraki, Osaka 5670047, Japan;
NuFlare Technol Inc, Yokohama, Kanagawa 2358522, Japan;
机译:使用化学放大的抗蚀剂工艺的电子束光刻技术制造7纳米四分之一间距(7纳米间距和21纳米线宽)的线和间隔图案的理论研究:I.灵敏度和化学梯度之间的关系
机译:使用电子束光刻技术和化学放大的抗蚀剂工艺制造7纳米四分之一间距的线和空间图案的理论研究:II。随机效应
机译:用于光掩模和纳米压印模具的电子束光刻中曝光图案宽度与16nm半间距线间距图形的化学梯度之间的关系的理论研究
机译:使用极端紫外光刻技术制造11 nm线和间隔图案时的随机效应
机译:下一代光刻的线边缘粗糙度研究:碳纳米管在数百纳米图案测量中的应用。
机译:海藻糖糖醇抗性可通过电子束光刻直接写入蛋白质图案
机译:用电子束光刻制造线路图案的制造特性和辊模上的点图案